勢TI、POL排富モジュ〖ルを2.3mm∵3mmの燙姥に井房步
Texas Instrumentsは、POL∈Point of Load∷と鈣ばれる排富脫ICとして蝗う、叫蝸6Aの井房排富脫パワ〖モジュ〖ル≈MagPack∽を倡券、サンプル叫操を倡幌した。叫蝸6AのDC-DCコンバ〖タでさえ、絡きさは2.3mm∵3mm∵1.95mm∈光さ∷とボ〖ドに悸劉する燙姥が井さい。このためボ〖ドスペ〖スを銅跟に蝗うことができる。 [ⅹ魯きを粕む]
禱窖尸老∈染瞥攣瀾墑∷
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TI、GaNとドライバICを1パッケ〖ジに礁姥したモジュ〖ルを瀾墑步
GaNやSiCのような光廬のパワ〖染瞥攣は拉墻の庭疤拉は湯澄にあるものの、ノイズやオ〖バ〖シュ〖ト、アンダ〖シュ〖ト、リンギングなどプリント答饒懼で蝗いにくさが荒る。ノイズを娃えるドライバICがカギを愛ることをすでに帕えたが∈徊雇獲瘟1∷、ドライバICとGaNパワ〖トランジスタを礁姥したモジュ〖ル∈哭1∷をTexas Instrumentsが倡券した。 [ⅹ魯きを粕む]
糠欄Imagination Technologies、RISC-V CPUとGPUのIPで盡砷
毖柜のIP∈Intellectual Property∷ベンダ〖の辦つ、Imagination Technologiesの沸蹦控が丸泣、Imaginationの恃似ぶりを帕えた。CPUはRISC-V、GPUはかつての肩蝸瀾墑POWERVRのポ〖トフォリオをロ〖エンドからハイエンド、さらにAシリ〖ズからDシリ〖ズへと渴步させている。AIはCPU+GPUがカギとなる。炳脫もかつての肩妥1家から驢呆に畔る。 [ⅹ魯きを粕む]
Analog Devices、GaNパワ〖FETを額瓢するシリコンICでGaN攙烯肋紛を推白に
Analog Devicesは、GaNパワ〖FETのゲ〖トをドライブするためのシリコンのドライバICを2023鉗に糠瀾墑として券卿していたが、このほどその秦肥について湯らかにした。GaNパワ〖FETはシリコンのパワ〖MOSFETと孺べて、冷憋卵暗が10擒光く、排灰敗瓢刨も2000cm2/Vsと光く光廬瓢侯に努している。辦數、光廬すぎて蝗いにくい爬もある。 [ⅹ魯きを粕む]
Arm、モバイルにも詞帽な欄喇AIを烹很できるサブシステムIPを倡券
IntelやAMD、Qualcommまでがパソコン羹けのAI怠墻柒壟のSoCプロセッサを券山し、パソコンにAI怠墻がこれから掐っていく箕洛になるが、スマ〖トフォンのようなモバイルにもAI怠墻が掐っていく箕洛になりそうだ。モバイル染瞥攣IPの瞧莢ArmがAI怠墻を烹很できる糠IP≈Arm Compute Subsystems∈CSS∷for Client∽を券山した。排蝸跟唯が光いことが呵絡の潑墓となる。 [ⅹ魯きを粕む]
泣塑欄まれのファブレスEdgeCortix、塑呈弄な欄喇AIチップを瀾墑步
泣塑欄まれのファブレス染瞥攣スタ〖トアップ、EdgeCortixが欄喇AI脫の糠しい染瞥攣チップ≈SAKURA-II∽をリリ〖ス∈哭1∷、60 TOPS∈Trillion Operations per Second∷という光拉墻ながら、驕丸のチップよりも久銳排蝸がはるかに警ない8Wだとしている。チップ肋紛だけではなく、モジュ〖ルやカ〖ドも瀾侯しており、橙磨拉もあり4改儡魯で240 TOPSの拉墻を積つ。 [ⅹ魯きを粕む]
SiTime、4つのSoCに票箕にクロック慨規を流れるICを瀾墑步
MEMSを網脫する慷瓢灰と券慷攙烯、クロック券欄達を1パッケ〖ジに悸劉したクロックICは、井房、光拉墻、你ノイズだけではなく、クロック件りのプリント答饒肋紛も詞白にしてくれる。MEMSベ〖スのクロックICを緘齒けてきたSiTimeが4つのSoCを票箕にクロックできる4叫蝸のクロックIC≈Chorus∽を瀾墑步した。 [ⅹ魯きを粕む]
ラピダス、Esperantoとの捏啡で、TSMCとの般いが湯澄に
ラピダスがRISC-Vのスタ〖トアップEsperanto Technologiesと蛤わした捏啡は、悸はここで介めてTSMCとの般いが湯澄に叫ていた。Esperantoの柴斧では歐和CPUデザイナ〖とも咐われるDave Ditzel CTO∈哭1∷も票朗していたのだ。揉はかつてソフトウエアによる供勺でX86高垂プロセッサを肋紛し、海はRISC-Vの肋紛を唯いる。揉がTSMCとの般いを湯澄にした。 [ⅹ魯きを粕む]
Micron、232霖でQLC∈4ビット/セル∷のNANDフラッシュSSDを翁緩倡幌
Micron Technologyは、512GBから2TBまでの推翁を積つ、クライエントSSD∈染瞥攣ディスク∷≈Micron 2500 NMVe∽のサンプル叫操を倡幌した。このSSDには232霖でQLC∈Quad Level Cell∷を積つNANDフラッシュ∈哭1∷を烹很している。また、このNANDフラッシュを烹很した措度羹けストレ〖ジ杠狄羹けの≈Crucial SSD∽は翁緩を倡幌した。 [ⅹ魯きを粕む]
Infineon,SiCのセルの腮嘿步、糠ダイボンディング禱窖で拉墻ˇ慨完拉を羹懼
Infineon Technologiesは、媽2坤洛のトレンチ菇隴のSiC パワ〖MOSFET≈CoolSiC MOSFET G2∽を3奉に券山していたが、このほどその拒嘿について湯らかにした。このG2∈媽2坤洛∷では、オン鳥鉤を1峰ミリオ〖ムに布げると鼎に、錢鳥鉤を12%負らし排萎推翁を懼げた。糠瀾墑は650Vと1200Vの2鹼梧で、パッケ〖ジもピン賃掐房と山燙悸劉房を脫罷する。G2でパワ〖MOSFETのチップ肋紛から斧木している。 [ⅹ魯きを粕む]
