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\術分析(半導)

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ルネサスが3nmプロセスのクルマ半導を開発した理y

ルネサスが3nmプロセスのクルマ半導を開発した理y

ルネサスエレクトロニクスが5世代クルマ3nmプロセスのSoC「R-Car X5H」シリーズ(図1)を発表したが、この狙いが見えてきた。なぜ、クルマなのに3nmプロセスが要か。なぜマイコンではなくSoCか。なぜAIが要か。なぜチップレットを使うのか。なぜハイエンドから開発するのか。kつの答えが、kつの言で集約される。それは何か。 [→きを読む]

宇宙WとAIチップがTびつく、EdgeCortix SAKURA-Iが耐放o線咾気鮗他

宇宙WとAIチップがTびつく、EdgeCortix SAKURA-Iが耐放o線咾気鮗他

エッジでAIをWしようというAIチップを開発している国内のスタートアップEdgeCortix社(参考@料1)の「SAKURA-I」が実は、宇宙環境でも使えることがわかった。先週東Bビッグサイトで開された2024国際豢宇宙tで同社がらかにした。豢宇宙局(NASA)の_イオンやプトロンを放oされた環境で故障しなかったのだ。 [→きを読む]

ノイズに咾SerDesチップの\術をValensがらかに

ノイズに咾SerDesチップの\術をValensがらかに

10メートル度なら銅線によるシリアル伝送]度が16Gビット/秒と高]のシリコンSerDes(直`から並`変換あるいはその逆)チップがノイズ環境の厳しいクルマメーカーに採された。それもクルマメーカー3社が採した。チップを設したのはイスラエルのValens Semiconductor社だ。銅線によるデータ伝送の高]動作でもノイズに負けない。またしても光ファイバの登場はさらにPびるかもしれない。 [→きを読む]

TI、POL電源モジュールを2.3mm×3mmのC積に小型化

TI、POL電源モジュールを2.3mm×3mmのC積に小型化

Texas Instrumentsは、POL(Point of Load)と}ばれる電源ICとして使う、出6Aの小型電源パワーモジュール「MagPack」を開発、サンプル出荷を開始した。出6AのDC-DCコンバータでさえ、jきさは2.3mm×3mm×1.95mm(高さ)とボードに実△垢C積が小さい。このためボードスペースを~効に使うことができる。 [→きを読む]

TI、GaNとドライバICを1パッケージに集積したモジュールを化

TI、GaNとドライバICを1パッケージに集積したモジュールを化

GaNやSiCのような高]のパワー半導は性Δ陵グ明は確にあるものの、ノイズやオーバーシュート、アンダーシュート、リンギングなどプリント基屬濃箸い砲さが残る。ノイズを抑えるドライバICがカギを曚襪海箸鬚垢任謀舛┐燭(参考@料1)、ドライバICとGaNパワートランジスタを集積したモジュール(図1)をTexas Instrumentsが開発した。 [→きを読む]

新Imagination Technologies、RISC-V CPUとGPUのIPでM負

新Imagination Technologies、RISC-V CPUとGPUのIPでM負

英国のIP(Intellectual Property)ベンダーのkつ、Imagination Technologiesの経営陣が来日、Imaginationの変貌ぶりを伝えた。CPUはRISC-V、GPUはかつての主POWERVRのポートフォリオをローエンドからハイエンド、さらにAシリーズからDシリーズへと進化させている。AIはCPU+GPUがカギとなる。応もかつての主要1社からH岐に渡る。 [→きを読む]

Analog Devices、GaNパワーFETを~動するシリコンICでGaNv路設を容易に

Analog Devices、GaNパワーFETを~動するシリコンICでGaNv路設を容易に

Analog Devicesは、GaNパワーFETのゲートをドライブするためのシリコンのドライバICを2023Qに新として発売していたが、このほどその背景についてらかにした。GaNパワーFETはシリコンのパワーMOSFETと比べて、絶縁耐圧が10倍高く、電子‘暗戮2000cm2/Vsと高く高]動作に適している。k機高]すぎて使いにくい点もある。 [→きを読む]

Arm、モバイルにも~単な收AIを搭載できるサブシステムIPを開発

Arm、モバイルにも~単な收AIを搭載できるサブシステムIPを開発

IntelやAMD、Qualcommまでがパソコン向けのAI機ζ鼎SoCプロセッサを発表し、パソコンにAI機Δこれから入っていく時代になるが、スマートフォンのようなモバイルにもAI機Δ入っていく時代になりそうだ。モバイル半導IPの覇vArmがAI機Δ鯏觝椶任る新IP「Arm Compute Subsystems(CSS)for Client」を発表した。電効率が高いことが最jの長となる。 [→きを読む]

日本擇泙譴離侫.屮譽EdgeCortix、本格的な收AIチップを化

日本擇泙譴離侫.屮譽EdgeCortix、本格的な收AIチップを化

日本擇泙譴離侫.屮譽紅焼スタートアップ、EdgeCortixが收AIの新しい半導チップ「SAKURA-II」をリリース(図1)、60 TOPS(Trillion Operations per Second)という高性Δ覆ら、来のチップよりも消J電がはるかに少ない8Wだとしている。チップ設だけではなく、モジュールやカードも作しており、拡張性もあり4個接で240 TOPSの性Δ魴eつ。 [→きを読む]

SiTime、4つのSoCに同時にクロック信、鯀れるICを化

SiTime、4つのSoCに同時にクロック信、鯀れるICを化

MEMSをWする振動子と発振v路、クロック発昊_を1パッケージに実△靴織ロックICは、小型、高性Α低ノイズだけではなく、クロック周りのプリント基設も~易にしてくれる。MEMSベースのクロックICを}XけてきたSiTimeが4つのSoCを同時にクロックできる4出のクロックIC「Chorus」を化した。 [→きを読む]

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