STMicro、推b専NPU集積のマイコンを量凮始

STMicroelectronicsは、ニューラルプロセッサを集積したマイコンを?y┐n)化した。AI性600 GOPS(Giga Operations per Second)、その電効率は3 TOPS/Wとなっており、AI性δ_とはいえISP(画欺萢プロセッサ)やコーデックなども集積したSoCライクなマイコンとなっている。ここまで高性Δ焚気?y┐n)?j┫)としたAIプロセッサをマイコンに組み込んだのはなぜか。 [→きを読む]
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STMicroelectronicsは、ニューラルプロセッサを集積したマイコンを?y┐n)化した。AI性600 GOPS(Giga Operations per Second)、その電効率は3 TOPS/Wとなっており、AI性δ_とはいえISP(画欺萢プロセッサ)やコーデックなども集積したSoCライクなマイコンとなっている。ここまで高性Δ焚気?y┐n)?j┫)としたAIプロセッサをマイコンに組み込んだのはなぜか。 [→きを読む]
Texas Instruments(TI)は、AI処理を行うNPU(ニューラルプロセシングユニット)を集積したマイコン(マイクロコントローラ)と、DSPコアを2個搭載したマイコンを開発、pR動に入った。ivのTMS320F28P55xシリーズと後vのF29H85xシリーズは、共にリアルタイムU(ku┛)御可Δ淵泪ぅ灰鵑任△襦噞ロボットやソーラーパネルの故障検出などを[定している。 [→きを読む]
インテリジェントパワーと、インテリジェントセンサをY榜するonsemiは、それらの中間に位するアナログプラットフォームをk新、センサからパワーまでのシグナルチェーンを完成させた。O動運転Zやロボット、ドローンなどO的に動作するシステムではセンサからアクチュエータまで動かせる。来日した同社CEOのHassane El-Khoury(hu━)がその戦Sを語った。 [→きを読む]
ルネサスエレクトロニクスが5世代クルマ3nmプロセスのSoC「R-Car X5H」シリーズ(図1)を発表したが、この狙いが見えてきた。なぜ、クルマなのに3nmプロセスが要か。なぜマイコンではなくSoCか。なぜAIが要か。なぜチップレットを使うのか。なぜハイエンドから開発するのか。kつの答えが、kつの言で集約される。それは何か。 [→きを読む]
エッジでAIをW(w┌ng)しようというAIチップを開発している国内のスタートアップEdgeCortix社(参考@料1)の「SAKURA-I」が実は、宇宙環境でも使えることがわかった。先週東Bビッグサイトで開(h┐o)された2024国際豢宇宙tで同社がらかにした。(sh━)豢宇宙局(NASA)の_イオンやプトロンを放o(j━)された環境で故障しなかったのだ。 [→きを読む]
10メートル度なら銅線によるシリアル伝送]度が16Gビット/秒と高]のシリコンSerDes(直`から並`変換あるいはその逆)チップがノイズ環境の厳しいクルマメーカーに採された。それもクルマメーカー3社が採した。チップを設したのはイスラエルのValens Semiconductor社だ。銅線によるデータ伝送の高]動作でもノイズに負けない。またしても光ファイバの登場はさらにPびるかもしれない。 [→きを読む]
Texas Instrumentsは、POL(Point of Load)と}ばれる電源ICとして使う、出6Aの小型電源パワーモジュール「MagPack」を開発、サンプル出荷を開始した。出6AのDC-DCコンバータでさえ、j(lu┛)きさは2.3mm×3mm×1.95mm(高さ)とボードに実△垢C積が小さい。このためボードスペースを~効に使うことができる。 [→きを読む]
GaNやSiCのような高]のパワー半導は性Δ陵グ明は確にあるものの、ノイズやオーバーシュート、アンダーシュート、リンギングなどプリント基屬濃箸い砲さが残る。ノイズを抑えるドライバICがカギを(┐i)ることをすでに伝えたが(参考@料1)、ドライバICとGaNパワートランジスタを集積したモジュール(図1)をTexas Instrumentsが開発した。 [→きを読む]
英国のIP(Intellectual Property)ベンダーのkつ、Imagination Technologiesの経営陣が来日、Imaginationの変貌ぶりを伝えた。CPUはRISC-V、GPUはかつての主POWERVRのポートフォリオをローエンドからハイエンド、さらにAシリーズからDシリーズへと進化させている。AIはCPU+GPUがカギとなる。応もかつての主要1社からH岐に渡る。 [→きを読む]
Analog Devicesは、GaNパワーFETのゲートをドライブするためのシリコンのドライバICを2023Qに新として発売していたが、このほどその背景についてらかにした。GaNパワーFETはシリコンのパワーMOSFETと比べて、絶縁耐圧が10倍高く、電子‘暗戮2000cm2/Vsと高く高]動作に適している。k(sh┫)、高]すぎて使いにくい点もある。 [→きを読む]