» セミコンポータルによる分析 » �\術分析 » �\術分析（半導������）
Micron Technologyがメモリ容量24GB（ギガバイト）で、転送レート（バンド幅）1.2TB/sという巨�jなHBM（High Bandwidth Memory）メモリを開発、サンプル出荷を開始した。このHBM3 Gen2を開発した理�yは、�收�AIの学�{に向け、学�{時間の�]縮を狙ったためだ、と同社コンピュート&ネットワーキング��業�靆� VP 兼 ゼネラル・マネージャーのPraveen Vaidyanathan��は言う。 [→��きを読む]
Nvidiaが半導��メーカーの中で唯�k、時価総�Y1兆ドルを��えた。同社の2024�Q度��1四半期（2023�Q2〜4月期）の売�幢Yはまだ�i�Qの金�Yにも達しなかったにもかかわらず、次の四半期売�幢Yを�i四半期比53%�\の110億ドルとの見通しを発表したためだ。その原動��は�收�AI向けのGPUだ。��に最高性�Δ�H100というGPUの供給が�Bりないため、�收�AI業�vはチップを���]するTSMCから順番待ちを�咾い蕕譴討い�。 [→��きを読む]
Armが次世代スマートフォン向けの最新版64ビットIPコアセット「Arm Total Compute 2023 (TCS23)」（図1）を発表した。スマホに�_要な最新のCPUコアとGPUコアをまとめただけではなく、様々なCPUと共�~キャッシュメモリを�k致させる（コヒーレントな）システムコアDSU-120も�k緒にしたパッケージである。 [→��きを読む]
バッテリ動作が可�Δ閉秕嫡J電��ながら、Bluetooth LE（Low Energy）やWi-Fi、さらにメッシュネットワーク仕様のThreadにも�官�し、��ての��格に�官�できるMatterプロトコルを�eち、IoTセキュリティ��格PSA認証で最も高いレベル3にも�官�する�Z�{�`無線チップ「nRF54H20」をノルウェーのNordic Semiconductorが日本へ顔見せした。 [→��きを読む]
Texas Instruments（TI）が開発したSiCパワートランジスタ向けのゲートドライバIC����「UCC5880-Q1」は、SiCパワーMOSFETの�L点を解消したドライバICだ（図1）。SiCはIGBTと比べ、少数キャリアの蓄積時間がない分、高�]にスイッチできる。しかし、オーバーシュートやリンギングなどのノイズを発�擇靴�ちになる。TIのチップはこの�L点を解消した。 [→��きを読む]
クロックの立ち�屬�りと�T下でトリガーをかけるLPDDR（Low Power Double Data Rate）�\術は、これまでDRAMの高�]化�\術であった。これを高�]アクセスに使ったNORフラッシュメモリをInfineon Technologiesが開発、サンプル出荷を開始した。狙いは�Z載コンピュータのリアルタイム動作である。LPDDR4のDRAMと比べ読み出しアクセス時間が10nsと5倍�]いという。 [→��きを読む]
�Z載向け半導��の日本�x場で�Z戦しているTexas Instruments（TI）だが、EV（電気�O動�Z）のパワートレインとなるLiイオンバッテリシステムBMSのIC����ポートフォリオの拡充を図り始めた。セルのモニターICだけではなく、バッテリシステム監��IC、さらにBMS����を管理するマイコンと周辺�v路ICにも�R��する。今�vは�屬�2����をリリースした。 [→��きを読む]
クルマ��レーダーのインテリジェント版でRF�v路と信�ｽ萢�演�Q��のCMOS�v路をモノリシックに集積した1チップレーダー（図1）をオランダNXP Semiconductorが開発した。これまでの2チップから1チップソリューションになったことでシステムコストが下がり、リアやコーナーにも搭載可�Δ砲覆�。これまで�Z載レーダーは�i�気�200m〜300m先などを検出していた。 [→��きを読む]
Intelがようやくコード�@「Sapphire Rapids」のCPUを��4世代のXeonスケーラブルプロセッサとして量��にこぎつけた。4個のCPUダイをEMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）で接��したXeonスケーラブルCPUに加え、ICパッケージ内にHBMメモリを集積したXeon CPU MAXシリーズとGPU MAXシリーズ（コード�@Ponte Vecchio）も同時に発表した。 [→��きを読む]
��Micron Technologyが1β nmプロセスノードで���]した64GビットのDDR5x-DRAMのサンプル出荷を開始した。Micronが述べる1β nmプロセスノードは、13nm以下のプロセスノードだという。12〜13nmとの見�気發△襦�リソグラフィパターニングの実現には、�]浸マルチパターンニングを��いており、EUVは��いていない。���]はまず東広��工場で行う。 [→��きを読む]
