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Intelは、最�j40CPUコアを集積した��3世代のXeonスケーラブルプロセッサを発表した（図1）。クラウドやデータセンター、HPCなどに向けたハイエンドプロセッサだ。�i世代のXeonプロセッサと比べて最�j1.46倍の性�Ω��屬世箸靴討い襦�やはり1.74倍の推�b演�Qを�eつAI（ディープラーニング）専��のプロセッサを集積し、さらにメモリ保護や暗�ｲ愁▲�セラレータを集積、セキュリティを�啣修靴燭海箸�チップの��長。 [→��きを読む]
IPベンダーのトップメーカー、Armが10�Qぶりに新しいアーキテクチャのArm V9を発表した（図1）。10�Q�iにV8を発表した時は単純に32ビットから64ビットへの�々圓砲垢�なかったが、今�vのアーキテクチャは、これまでの�@��コンピュータから専��コンピュータへの�棺茲鮃佑┐�CPUアーキテクチャとなっている。10�Q周期のマキモトウェイブに�官�した動きと捉えられる。 [→��きを読む]
Intelは、ノートパソコン向けに低消�J電��での長時間動作や性�Α▲好蝓璽廚�らの高�]立ち�屬�りなどを満�BさせたEvoブランドと、ハードウエアでのセキュリティ機�Δ鯑��鼎靴�vProブランドをそれぞれ1月のCESで発表していたが、両�気鯔�たす新しいCPUアーキテクチャのIntel Evo vProプロセッサをこのほど説��会で紹介した。 [→��きを読む]
Texas Instrumentsは�Z載グレード（ASIL D)のバッテリマネジメントシステムを開発、そのチップセットを発表した。このチップセットは、バッテリの充放電�X��をモニターしながらその情報をローカルマイコンに送り、さらにホストマイコンにワイヤレスで送るというシステムを構成する（図1）。ワイヤーをできる限り排除した構成になっており、EVを軽量化できる。 [→��きを読む]
エッジAIチップが�R�`される中でいち早く量��に�eってきた企業が昨�Q3月に東�Bにオフィスを構えた。シリコンバレー�擇泙譴�Gyrfalcon Technology社は小さなAIチップを誰でもすぐに使えるようにするためのソフトウエアスタックも昨�Q11月に発表、その販売会社ジルファルコン・テクノロジー・ジャパンを立ち�屬欧拭Ｆ�本でのAIを身�Zにしたいという思いがある。 [→��きを読む]
いつでもどこでも常時接��を�eうGoogleのChrome OSを搭載したパソコン「Chromebook」向けのAPUにMediaTekが��を入れているが、このほどそのロードマップを発表した（図1）。MediaTekのSoCの��長はこれまでスマートフォンで培ってきた低消�J電���\術。コロナ�Kで遠隔教育向けのPCとしてChromebook�x場は半�Qで��成長していることが背景にある。 [→��きを読む]
SiC専門のパワー半導��メーカー��UnitedSiC社が耐圧750Vと高く、オン�B�^が18mΩ/60mΩと低いSiCパワーFET（図1）をリリースした。狙う�x場は主に電動�O動�Z（EV）とデータセンターの電源、ソーラーシステム��のインバータや蓄電池向けチャージャー。EV向けのオンボードチャージャーとDC-DCコンバータ向けなどはすでに出荷中だとCEOのChris Dries��は言う。 [→��きを読む]
エッジやエンドポイントなどの端��でのAI推�b機�Δ鮑遒��屬欧襪里法∈罵ダ茲気譴襪里�低消�J電��。端��はスマートフォンやハンディターミナルなどバッテリ�~動のデバイスが�Hいからだ。そこで顧客の学�{モデルを再構成しながら分解��1ビット（バイナリ）でニューラルネットワークの�_みを構成する�\術 (図1)をIP化したスタートアップの日本のLeapMind（参考�@料1）がこれまでの��見を元にIPコア新����Efficiera（エフィシエラ）を発売した。 [→��きを読む]
チップ同士を�_ね合わせる3次元ICが本格化する。メモリメーカーのMicron Technologyが176層のNANDフラッシュを開発した�\術（参考�@料1）を��らかにした。実は88層のNANDフラッシュメモリセルを�_ね合わせて構成していた。 [→��きを読む]
Texas Instrumentsは、ドレイン-ソース耐圧600V/650VのGaN HEMTパワートランジスタにドライバ�v路や保護�v路を集積した����を発売した(参考�@料1)。電気�O動�Z（EV）のオンボードチャージャーやDC-DCコンバータに使えば��来のボードよりも50%サイズを小さくできるとしている(図1)。ただし、インバータを動かすような�j電������ではない。 [→��きを読む]
