図1　176層をCMOS�v路�屬坊狙�しても普通�Lの1/5の厚さしかない　出�Z：Micron Technology

Micronの176層NANDフラッシュは、これまでのアーキテクチャとは��く異なり、CMOSトランジスタ層の�屬坊狙�する。データ量の�Hい負荷や環境で威��を発ｧする。例えば構�]化データと��構�]化データを�kつに共�Tするデータレイクや、ビッグデータ解析、AIエンジンのような応��である。また、5Gでは、�H数のアプリ環境でも立ち�屬�りやスイッチングが高�]になるため、使い�M�}（QoS）はかなり良くなるとしている。

最�j転送レートは、1,600 MT/s（メガ転送/秒）とONFI（Open NAND Flash Interface）バス�屬覇虻遒掘�Micronの��来の128層NAND����よりも33%高�]になる。このためシステムの��動やアプリケーションソフトの性�Δ��屬�る。�O動�Zシステムに使えば、エンジンを��動すると同時に�t座に応答するようになる。

Micronはすでにシステムメーカーと共に新����を組み込む作業を始めており、ファームウエアを�~単にプログラムできるようにするため、�k筆書きのようなシングルパスのプログラムアルゴリズムを開発した。これにより、システムメーカーはソリューションに早く組み込むことができ、�x場への出荷期間（Time to market）を�]縮できる。

セル構�]はチャージトラップ��(sh┫)式だが、独�O開発したCMOSアンダーアレイ構�]（CuA: CMOS�v路�霾�より�屬縫瓮皀螢札襪鮴澆韻森暑]）をとる。しかもワード線の電極を、��来のポリシリコンゲートではなく、メタルゲート構�]にしている点も高�]化に寄与している。

加えて書き込み耐性（エンデュアランス）を�啣修靴燭燭瓠��豢�機のブラックボックスやビデオ監��カメラのように書き込みの�Hい����にも使える。モバイル����では、メタルゲート構�]によって、性�Δ�15%高�]になったため、エッジコンピューティングやAI推�b、リアルタイムのグラフィックスゲーム機�_などに向くとしている。

176層のNANDフラッシュは、シンガポールの量�妌場からサンプル出荷中である。この�\術を使ったさらに新しい����は、2021�Q中に出荷する予定だという。

参考�@料
1. Micron Ships World’s First 176-Layer NAND, Delivering A Breakthrough in Flash Memory Performance and Density (2020/11/09)