Semiconductor Portal

» セミコンポータルによる分析 » \術分析 » \術分析(半導)

Micron、来見据えた176層NANDフラッシュとDRAMを出荷

Micron Technologyは、昨Q最j176層のNANDフラッシュメモリの開発を発表していたが(参考@料1、2)、このほどComputex Taipei 2021にて、そのチップを搭載したPCIe Gen4 SSDの出荷開始を発表した。加えて、DRAMでは最先端の微細化ノードである1α nmのDDR4x LPDRAMを出荷した。

Micron PCIe Gen4 Client SSD Family

図1 Micronの176層SSD群 出Z:Micron Technology


Micronの最新176層のSSDには、「Micron 3400」と「Micron 2450」の2がある(図1)。Micron 3400は512GB〜2TB の容量をeち、Micron 2450 は256GB〜1TBの容量で、jきさの|類が少し異なる。ivがM.2 22mm×80mmで、後vはこの他に22mm×42mmと22mm×30mmのサイズをeつ。共に176層のチップは同じで、TLC(3ビット/セル)の擬阿鮖箸辰討い。

新型コロナによるテレワーク要によって「PCx場が戻ってきた」、と表現した同社コーポレートVP(バイスプレジデント)でストレージ業靆腓GM(ジェネラルマネージャー)であるJeremy Wernerは、PCがオフィスと仮[オフィス(テレワーク)の両気農長していると述べた。に毎日万のペースでPCは出荷され、Q率で2020Qは13%成長したが、2021Qは18%成長するとx場調h会社IDCが予[している。ノートパソコンやゲームのパソコンが好調で、にクロムブックは100%のPびをしているという。

これをpけてPCIe Gen4(4世代のPCI Express格)のSSDはクライエントPCx場向けに2021Qは2020Qの6倍以屬棒長する、とx場調h会社Forward Insightsは見ている。今vMicronが出荷するSSDがクライエントPC向けということは、jきな数量が期待されることを表している。176層のTLC NANDフラッシュチップにO信があるのであろう。

DRAMもこれまで最も微細なノードに入る。これまで20nm未満のDRAMのプロセスノードは、1x nm、1y nm、1z nmと1〜2nmずつ刻んできたが、今vはそれよりも微細な1α nmと最も微細なノードになった。メーカー笋魯痢璽匹隣確な∨,鮨していないが、1α nmは14〜15nm度だと思われる。


Memory Innovation from PCto Cloud

図2 最も微細な1α nm DRAM 出Z:Micron Technology


今vMicronが発表したLPDDR4xのDRAMは8Gビットであり、1z nmノードのモバイルDRAMと比べ、15%低い消J電で、集積度は40%高いとしている(図2)。今vの1α nmのDRAMは6月に出荷し始めた。クライエントPCだけでなくクラウドでもデータセンターに出荷する。

さらにMicronは、DDR5の設も始めている。バンド幅と}ばれるバイト単位のデータ転送]度は、DDR仕様で最も高]のDDR4-3200が16.8GB/sであるが、DDR5-3200だと22.8GB/sと1.36倍となる。MicronはDDR5仕様を推進しており、同社が2Qiから作ってきたDDR5のY化団「Micron DDR5 Technical Enablement Program」には100社以、250@以屬寮濕リーダーが参加している。これからのXの問やAI応に瓦垢襯愁螢紂璽轡腑鵑鬚澆鵑覆妊灰薀椒譟璽轡腑鵑、カスタマーにいち早く届けるためのプログラムだ、と同社シニアVPで演Qとネットワーク\術業靆腓GMでもあるRaj Harzraは言う。


Memory Innovations for the Future Data Center

図3 新しいメモリ階層 5Qiよりも雑になっている 出Z:Micron Technology

同は来のデータセンターにおけるメモリ階層に関しても触れている(図3)。来、アーカイブストレージからj容量ストレージ、高]ストレージ(NANDフラッシュ)と、その屬DRAMとの間にギャップがあり、それをmめるためにストレージクラスメモリをIBMが提案していた。当初は単の半導メモリで提供しようとメモリメーカーが開発してきたが、アーキテクチャ屬らもこのギャップをmめるために現れたのがCXLアタッチトメモリである。これは、CPUと、アクセラレータや拡張メモリなどとの間のメモリにコヒーレンシ(同k性)をeたせるための業cYである。CPUとデバイス間のメモリを共~できるようになる。

k機DRAM笋癲▲ぅ鵐僖奪院璽献瓮皀蝓HBM2Eなど)やCPUにZいダイレクトアタッチメモリなど、バンド幅を広げてより高]にしようという動きがある。Harzraは5Qiと比べるとメモリ階層構成はとても雑になったと述べている。これに△─Micronは、DDR4やDDR5に加え、GDDR5やGDDR6などのグラフィックス、バンド幅の広いHBM2E、そしてCXLアッタッチトメモリも揃え始めている。


参考@料
1. Micron、176層という最高層のNANDフラッシュをサンプル出荷 (2020/11/10)
2. Micronが176層NANDフラッシュの設思[をらかに (2020/11/19)

(2021/06/03)
ごT見・ご感[
麼嫋岌幃学庁医 忽恢娼瞳谷頭匯曝屈曝眉曝| 晩昆冉巖繁撹利嫋| 嗽間嗽海嗽弼嗽訪篇撞| 91xav壓| 忽恢娼瞳牽旋喩麗youwu| fuqer2018| 撹定溺繁窒継篇撞殴慧77777| 冉天巖娼瞳壓瀛啼誼盞儿杰| 天胆菜繁xxxx嗽間嗽海| 窒継心仔弼罷周寄畠| 嶄猟涙鷹匯曝屈曝音触αv| 惚恭勧箪91崙頭皆211| 冉巖牽旋篇撞匯曝屈曝| 娼瞳冉巖撹a繁頭壓濆杰| 忽恢匯雫匯頭窒継殴慧i| 忽恢娼瞳翆翆消楳楳圻| 忽恢娼瞳涙淵高匯曝屈曝| 99娼瞳消消99消消消消| 右唄狛栖顛挫嫖蝕揚斑厘心心| 消消消消消消唹垪| 晩昆麟篇撞壓濆杰| 冉巖繁撹壓灑惟| 天胆爾秤匯曝屈曝| 冉巖弼寄撹利嫋WWW喩麗| 羨軸殴慧窒継谷頭匯雫| 辛參窒継鉱心匯雫谷頭仔a| 廉廉繁悶www互賠寄季篇撞| 忽恢晩昆天胆嶄猟忖鳥| 2019忽恢醍狭丞勧箪篇| 壓濂シ杜淆觝麋訥敝簓抔| www窒継峨峨篇撞| 富絃BBB挫訪| 嶄忽悶圄伏gary敬字| 晩云岱繁戴嶄猟壓濂シ| 消消忝栽際際忝栽消消97弼 | 云徨垂戦桑acg畠科涙孳飢| 冉巖天巖晩恢忽鷹消壓濆杰| 按壇鷹彿創2020定276豚| 繁培戴窒継住篇撞殴慧| 倫倫怜匚心頭鈍肝隻楳課篇撞| 嗽訪嗽仔嗽涙孳飢利嫋|