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SiC専門のパワー半導��メーカー��(sh━)UnitedSiC社が耐圧750Vと高く、オン�B(ni┌o)�^が18mΩ/60mΩと低いSiCパワーFET（図1）をリリースした。狙う�x場は主に電動�O動�Z（EV）とデータセンターの電源、ソーラーシステム��のインバータや蓄電池向けチャージャー。EV向けのオンボードチャージャーとDC-DCコンバータ向けなどはすでに出荷中だとCEOのChris Dries��(hu━)は言う。 [→��きを読む]
エッジやエンドポイントなどの端��でのAI推�b機�Δ鮑遒��屬欧襪里�、最優先されるのが低消�J電��。端��はスマートフォンやハンディターミナルなどバッテリ�~動のデバイスが�Hいからだ。そこで顧客の学�{モデルを再構成しながら分解��1ビット（バイナリ）でニューラルネットワークの�_みを構成する�\術 (図1)をIP化したスタートアップの日本のLeapMind（参考�@料1）がこれまでの��(m┬ng)見を元にIPコア新����Efficiera（エフィシエラ）を発売した。 [→��きを読む]
チップ同士を�_ね合わせる3次元ICが本格化する。メモリメーカーのMicron Technologyが176層のNANDフラッシュを開発した�\術（参考�@料1）を��らかにした。実は88層のNANDフラッシュメモリセルを�_ね合わせて構成していた。 [→��きを読む]
Texas Instrumentsは、ドレイン-ソース耐圧600V/650VのGaN HEMTパワートランジスタにドライバ�v路や保護�v路を集積した����を発売した(参考�@料1)。電気�O動�Z（EV）のオンボードチャージャーやDC-DCコンバータに使えば��来のボードよりも50%サイズを小さくできるとしている(図1)。ただし、インバータを動かすような�j(lu┛)電������ではない。 [→��きを読む]
Micron Technologyが176層のNANDフラッシュメモリの出荷を開始した（参考�@料1）。これまでもキオクシアの112層や128層の開発はあった。����では96層のNANDが入�}可�Δ世�、��来の最�j(lu┛)容量より40%以�屬盻j(lu┛)きな容量のストレージデバイスとなる。しかも読出し・書き込みのスピード（レイテンシ）は35%以�屬��]いという。データセンタ向けSSDを狙う。 [→��きを読む]
アナログ/ミクストシグナルICのMaxim Integratedは、Industry 4.0に適したセンサからの入��信��(gu┤)を処理するICによって、10cm角ボードに小型化したPLCカードを開発、カードに搭載したI/O Link��IC「MAX22000」と「MAX22515」をリリースした（図1）。����の予��(m┬ng)保��や�攵掚向�屬魏未燭�Industry 4.0では、I/O-Linkはセンサ情報をCPUに伝える役割が�j(lu┛)きい。 [→��きを読む]
ArmのメモリIP�靆腓�独立、スピンオフしてCerfe Labsを設立した（参考�@料1）。Ce（Correlated Electron）RAMと�}ぶ、��(d┛ng)相関電子�Uの材料を使った不ｧ発性RAMのメモリIPを提供する。これまでのArmと同様、IPベンダーとしてのビジネスを行う。��(d┛ng)相関電子�Uとは、電子が単独で動作するのではなく、電子同士が相関を保ちながら挙動する材料。 [→��きを読む]
Infineon Technologiesが60GHzのミリ�Sレーダーを使って、タッチレス応��を�t開し始めた。60GHz帯は日本でも認められたミリ�S周�S数帯。帯域が7GHzと広く�Dれるため、����(j┫)�颪箸燐{(di┐o)�`を分解��2cm��度で�R定できる。タッチレスで人間の心臓や肺の動きを検出できるため、リモートで医師が患�vを����できる。 [→��きを読む]
�Z載��CMOSイメージセンサでトップを走るON Semiconductorが、ダイナミックレンジ120dB、画素数2.3MピクセルでLEDフリッカ低��(f┫)機�Δ鮴澆韻�CMOSイメージセンサ(図1)を量�凮始したかと思うと、スバルの新型「レヴォーグ」に搭載されたことを��らかにした。このCMOSセンサが開発されたのは5�Q�i。�Z載に乗る時期はむしろ早いくらいだ。 [→��きを読む]
Texas Instruments (TI) はIC����とリンクした電子�v路シミュレータ「PSpice for TI」をリリース（図1）、ダウンロード可�Δ砲覆辰�。電子�v路設���vは、無料でダウンロードできるこのツールを使って、電子�v路を予めコンピュータシミュレーションできるため、����の�x場投入を�](m└i)縮できる。 [→��きを読む]
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