Arm、DPUのロードマップを�o開
Armは、クラウドサービス企業向けのデータセンターやスーパーコンピュータなど�j(lu┛)量のCPUやGPUを使うコンピューティングのインフラに向けたネットワークプロセッサDPUを今後�Pばしていくことを��らかにした。データを�‘亜�処理するためのDPUプロセッサであるNeoverseのロードマップを�Wき、性�νダ茵⊂嫡J電��優先、中間のミッドレンジへと拡�j(lu┛)していく（図1）。 [→��きを読む]
�\術分析（半導������）
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Infineon、Cypress�A収で旧富士通�Uも融合させた新マイコンを開発中
Infineonは7月マイコンセミナーを開��、��来のXMCマイコンに加え、�A収したCypressのpSoC、それ以�iの旧富士通�UのFMシリーズマイコンを融合・拡張性を�eつ新マイコンを開発していることを��らかにした。��てArm Cortex-MシリーズのCPUコアを�△┐討い襪燭瓠�比較的融合させやすく、3社の��長を集積したものになりそうだ。 [→��きを読む]
クルマは走るデータセンターに、仮�[化�\術を�~使
�O動�Z��プロセッサにもデータセンターと同様、仮�[化の時代がやってきた。�Z載コンピュータを仮�[化して複数のOSやアプリケーションで動かすことができる。NXP Semiconductorが先日発表したドメインプロセッサS32ZとS32Eは、リアルタイム処理と�U御処理を仮�[化して1チップ�屬納孫圓任�る。新しいドメインアーキテクチャを��(j┫)徴している。 [→��きを読む]
動画可�Δ�4DイメージングレーダーをイスラエルのVayyarが日本�x場にきた
ミリ�Sレーダーによる人々の�W心・�W��を見守る、という�x場を開��しているイスラエルを拠点とするVayyar社が日本での��動を本格化させた。1月に法人登�{を済ませ、4月には元日本テキサスインスツルメンツ社社長を��めた田口�C彰��が代表に��任した。����は5〜10フレーム/秒��度の動画も作成できる4Dイメージングレーダーである。 [→��きを読む]
Lattice、システムの「レゴ」化に向けた新FPGA����とO-RAN応��スタック
5Gの新しい基地局�\術O-RANに見られるようにシステムを分割するディスアグリゲーションが進んでいる。これまでは何でもかんでも��て統合化する��向にあったが、それらを分割し、�@��性を�eたせて顧客が専��機を作れるようにする「レゴ」のような発�[だ。それに向けたFPGA����をLatticeがリリース、O-RANソリューションスタックも���Tした。 [→��きを読む]
Valens、最�j(lu┛)8Gbpsの信��(gu┤)を最�j(lu┛)40メートル伝送できるSerDesチップ
今後�Z載カメラが�何�個搭載されるようになると、カメラからのデータをクルマ内のドメインコントローラやECUなどカーコンピュータユニットに送られる配線は極めて複雑になる。複数の配線を1本にまとめるSerDesチップは�L(f┘ng)かせなくなる。この�x場を狙ったイスラエルのValens Semiconductorが日本の�O動�Z�x場にやってきた。 [→��きを読む]
Industry 4.0導入を早められるマイコン、NXPが開発
Industry 4.0は、そう�~単には進まない。世�c�Q地の工場はそれぞれ独�Oのネットワーク��格やプロトコルで動いているからだ。独�O��格をIndustry 4.0を実現するTSN（Time Sensitive Network）��格に変換しながら下位互換性を�eたせる作業を工場ごとにしなければならない。NXPはTSN��格と主要な複数の�噞��ネットワークを切り��えられるマイコン「i.MX RT1180」を����化した。 [→��きを読む]
1200Vや2000V耐圧のSiC MOSFET発表相次ぐ、EV���]充電/再エネ��要加�]
![1200Vや2000V耐圧のSiC MOSFET発表相次ぐ、EV���]充電/再エネ��要加�]](/assets_c/900px/220524-sic2kv1_2kv.png "1200Vや2000V耐圧のSiC MOSFET発表相次ぐ、EV���]充電/再エネ��要加�]")
EV（電気�O動�Z）の���]充電や再�擴��Ε┘優襯�ーのDC-ACコンバータなどの����に向け、1200Vあるいは2000VのパワーSiC MOSFETでオン�B�^を��(f┫)らした����が��い合っている。UnitedSiCを�A収したQorvoが1200V耐圧でオン�B�^23mΩ(図1)、SiCデバイス販売�YトップのSTMicroelectronicsを�{いかけるInfineonが2000V耐圧でオン�B�^20mΩ��度のSiC MOSFETを発表した。 [→��きを読む]
オン�B�^7mΩまで削��(f┫)した1200V のSiC MOSFETをInfineonが開発
耐圧1200Vと高く、しかもオン�B�^7mΩと��失の小さなSiCパワーMOSFETをInfineon Technologiesが出荷し始めた。このCoolSiC MOSFET 1200V M1Hファミリには、�Y��のTO247パッケージの単��トランジスタに加え、インバータなどに適したパワーモジュールEasy 3Bパッケージも提供する。 [→��きを読む]
Nvidia、最新GPU･CPU･ネットワークチップで世�c最�咾離灰鵐團紂璽燭鮑遒�
GPU（グラフィックスプロセッサ）メーカーのファブレス半導��Nvidiaが800億トランジスタを集積、TSMCの4nmプロセスノード（4N）で���]した次世代GPUとなるNvidia H100（図1）を開発した。今週開��されているGTC（GPU Technology Conference）2022の基調講演で、同社CEOのJensen Huang��が��らかにした。パッケージングにもTSMCのCoWoS�\術を使った。 [→��きを読む]
