Analog Devices、GaNパワーFETを�~動するシリコンICでGaN�v路設��を容易に
Analog Devicesは、GaNパワーFETのゲートをドライブするためのシリコンのドライバICを2023�Qに新����として発売していたが、このほどその背景について��らかにした。GaNパワーFETはシリコンのパワーMOSFETと比べて、絶縁耐圧が10倍高く、電子�‘暗戮�2000cm2/Vsと高く高�]動作に適している。�k�機�高�]すぎて使いにくい点もある。
図1 ADIが��を入れる3�|類のGaN FETドライバIC 出�Z：Analog Devices Inc.
ADIは、3�|類のGaN FETゲートドライバを����化しているが（図1）、このほど、これらの詳細を同社マルチマーケット・パワー������業�陬轡縫▲妊�レクターのDavid Andeen��（図2）が��らかにした。これらのICをGaN FETのドライバとして使えば、高�]性ゆえのリンギングやノイズなどを抑えることができ、GaNパワーFETの�~動�v路を最適化できる。
図2 Analog Devices社マルチマーケット・パワー������業�陬轡縫▲妊�レクターのDavid Andeen��
LT8418����は、直流100V�Uのハーフブリッジ��の2個のGaN FETを�~動するIC（図3）。トップゲート（���筺砲肇椒肇爛押璽函焚��筺砲鬚修譴召譽�ン・オフさせ、スルーレートを�U御することでリンギングを抑えているという。それぞれのゲートまでの伝搬����時間の差は1.5ns以内であるため、高�]のスイッチング周�S数のPMIC（パワーマネジメントIC）やモータードライブなどに適している。
図3 LT8418 耐圧100VのハーフブリッジGaN FET ドライバIC 出�Z：Analog Devices Inc.
�Q�|の保護�v路も充実している。�堙徹気笋修竜佞��堋稘徹気鬟蹈奪�アウトし、ドライバの��ての入出��はGaN FETが誤ってオンになることを防ぐために、デフォルトでロー�X��になる。また、2個のFET間のクロストークも防いでいるとしている。
また、LTC7890とLTC7891もGaN FETドライバICであるが、同期型の高圧コントローラとして使う（図4）。スイッチオンとオフのデッドタイムをほぼゼロに設��できるため、スイッチング��失を��らすことができるとしている。
図4 LTC7890/7891 �T圧コントローラ向けGaN FETドライバ 出�Z：Analog Devices Inc.
ADIのGaN FETドライバは高周�Sでのスイッチングが可�Δ任△襪燭瓠▲僖錙�FET周辺のインダクタやキャパシタを、7ダイオードを小さくでき、スペースに�U限のあるロボットアームを動かすモーター�U御�v路や電��を消�Jするデータセンターなどの電源周りにもGaNは�~効だとしている。またCTスキャナーやMRIなどの医��機�_ではイメージングデバイス��の電源の�X管理にも�~効だという。GaN FETと�k緒に1パッケージに集積したパワーICはすぐにでも可�Δ世�、モノリシック化はもっと先になるとAndeen��は予�Rする。
来日したDavid Andeen��は、カリフォルニア�j学サンタバーバラ�鬚鯊感箸靴討�り、�E色LEDでノーベル賞を�p賞し、同�鬚防詛い靴拭�GaNの�z」（中���T二��）と同じGaNに関わる開発を行っていることをうれしく思うと述べている。
