図1　ADIが��を入れる3�|類のGaN FETドライバIC　出�Z：Analog Devices Inc.

ADIは、3�|類のGaN FETゲートドライバを?y┐n)���化しているが（�?）、このほど、これらの詳細を同社マルチマーケット・パワー������業�陬轡縫▲妊�レクターのDavid Andeen��(hu━)（図2）が��らかにした。これらのICをGaN FETのドライバとして使えば、高�]性ゆえのリンギングやノイズなどを抑えることができ、GaNパワーFETの�~動�v路を最適化できる。

図2　Analog Devices社マルチマーケット・パワー������業�陬轡縫▲妊�レクターのDavid Andeen��(hu━)

LT8418����は、直流100V�Uのハーフブリッジ��の2個のGaN FETを�~動するIC（図3）。トップゲート（���筺砲肇椒肇爛押璽函焚��筺砲鬚修譴召譽�ン・オフさせ、スルーレートを�U(ku┛)御することでリンギングを抑えているという。それぞれのゲートまでの伝搬����時間の差は1.5ns以内であるため、高�]のスイッチング周�S数のPMIC（パワーマネジメントIC）やモータードライブなどに適している。

図3　LT8418 耐圧100VのハーフブリッジGaN FET ドライバIC　出�Z：Analog Devices Inc.

�Q�|の保護�v路も充実している。��(c┬)電圧やその逆の��(c┬)低電圧をロックアウトし、ドライバの��ての入出��はGaN FETが誤ってオンになることを防ぐために、デフォルトでロー�X��になる。また、2個のFET間のクロストークも防いでいるとしている。

また、LTC7890とLTC7891もGaN FETドライバICであるが、同期型の高圧コントローラとして使う（図4）。スイッチオンとオフのデッドタイムをほぼゼロに設��できるため、スイッチング��失を��(f┫)らすことができるとしている。

図4　LTC7890/7891　�T圧コントローラ向けGaN FETドライバ　出�Z：Analog Devices Inc.

ADIのGaN FETドライバは高周�Sでのスイッチングが可�Δ任△襪燭瓠▲僖錙�FET周辺のインダクタやキャパシタを、7ダイオードを小さくでき、スペースに�U(ku┛)限のあるロボットアームを動かすモーター�U(ku┛)御�v路や電��を消�Jするデータセンターなどの電源周りにもGaNは�~効だとしている。またCTスキャナーやMRIなどの医��機�_(d│)ではイメージングデバイス��の電源の�X管理にも�~効だという。GaN FETと�k緒に1パッケージに集積したパワーICはすぐにでも可�Δ世�、モノリシック化はもっと先になるとAndeen��(hu━)は予�Rする。

来日したDavid Andeen��(hu━)は、カリフォルニア�j(lu┛)学サンタバーバラ�鬚鯊感箸靴討�り、�E色LEDでノーベル賞を�p賞し、同�鬚防詛い靴拭�GaNの�z」（中���T二��(hu━)）と同じGaNに関わる開発を行っていることをうれしく思うと述べている。