Micron、232霖でQLC∈4ビット/セル∷のNANDフラッシュSSDを翁緩倡幌
Micron Technologyは、512GBから2TBまでの推翁を積つ、クライエントSSD∈染瞥攣ディスク∷≈Micron 2500 NMVe∽のサンプル叫操を倡幌した。このSSDには232霖でQLC∈Quad Level Cell∷を積つNANDフラッシュ∈哭1∷を烹很している。また、このNANDフラッシュを烹很した措度羹けストレ〖ジ杠狄羹けの≈Crucial SSD∽は翁緩を倡幌した。
哭1 Micron 2500 NVMeクライエントSSD 叫諾¨Micron Technology
QLCは辦つのメモリセルの慨規レベルを16尸充して、4ビット/セルと光泰刨步したセルである。漣坤洛の176霖のQLCと孺べ、30%光泰刨で、3ビット/セルのTLC∈Triple Level Cell∷と孺べ31%光泰刨步した。粕み叫し廬刨は、漣坤洛の176霖のQLC瀾墑と孺べ、24%光廬粕み叫しと31%の光廬今き哈みが材墻となっている。NANDフラッシュのI/O廬刨は2400MT/sと光廬∈MTはMega Transfersの維∷。
≈これまでは光泰刨步∈你コスト步∷と光拉墻∈光廬步∷を尉惟させることはできなかったが、海攙の232霖のQLC數及のNANDフラッシュは、TLC事みの拉墻で光泰刨步を悸附した∽と票家VP敷クライエントストレ〖ジ嬸嚏么碰General Manager のPrasad Alluri會は胳っている∈哭2)。DRAMメモリではLPCAMM∈Low Power Compression Attached Memory Module∷2やLPDDR∈Low Power Double Data Rate∷のように井房で你久銳排蝸の瀾墑が判眷しているように、NANDフラッシュにも票屯のエネルギ〖跟唯を滇める數羹が海攙の瀾墑だとしている。
哭2 Micron Technology VP敷クライエントストレ〖ジ嬸嚏么碰General Manager のPrasad Alluri會
海攙、光泰刨步と光廬步を尉惟できたのは、フラッシュコントロ〖ラやファ〖ムウェアのアルゴリズムなどによるものだとAlluri會は揭べている。
クライエントPC羹けの≈Micron 2500 NVMe∽SSDは、哭1の繼靠に績すように、512GB∈ギガバイト∷、1TB∈テラバイト∷、2TBの推翁を積ち、フォ〖ムファクタはM2.で、呵も井さな22mm∵30mmと22mm∵42mm、22mm∵80mmの話つのサイズがある∈哭3∷。インタ〖フェイスにはPCIe4.0とNVMe 1.4cがある。
哭3 Micron 2500 SSDの怠墻ˇ拉墻 叫諾¨Micron Technology
4奉23泣にはSamsung ElectronicsもTLCで1Tビット瀾墑を悸附した媽9坤洛のV-NANDフラッシュメモリの翁緩を倡幌したと券山している。この瀾墑は、1TビットのTLCセルを蝗ったモデルだが、海鉗の稿染にQLCセルの瀾墑を欄緩する徒年だ。
