Samsung、4チップ積層TSVで128GBのDIMMを量�凮始
Samsung ElectronicsがTSV（Through silicon via）を使い、DRAMチップを4���_ねた構�]のメモリパッケージを9個使った128GバイトのDDR4メモリモジュールの量��を開始した。ハイエンドの企業向けサーバーやデータセンター向けのメモリモジュール。 [→��きを読む]
メモリ
ISSCC 2016、����の共通キーワードはIoT、日本が高採�I率
ISSCC2016は、IoT�k色といえそうだ。�噞�cからの講演が�\え(図1)、しかも日本からの発表が�盜颪房，因P数となっている��参加�vも60%が�噞�cから。ISSCCは常に時代の新しいトレンドを採り込み、基調講演はそのトレンドを反映している。アナログ、パワー、ロジック、メモリ、RF、通信�v路、プロセッサなどテクノロジーの進化を見ることができる。 [→��きを読む]
Rambus、IPライセンス��業からメモリ������業へ拡�j
メモリのIPライセンスビジネスを�t開してきたRambusが、ファブレスとしてDRAMチップ販売ビジネスも�}�Xけることになった。最先端高�]DRAMとしてのDDR4��格に��じたDRAMおよびそれを搭載したメモリモジュールDIMM��メモリインターフェースチップをチップセットとして販売する。 [→��きを読む]
Micron(旧エルピーダ)、モバイルDRAMでHynixに�`される
DRAMの単価が下がり、2015�Q��2四半期における世�cのDRAM売�幢Yは、�i四半期比4.8%��の114億ドルに下がる�k�機�参考�@料1）、モバイルDRAMは逆に同7.7%�\で成長している(参考�@料2)。このような調�h�T果をTrendForce傘下のDRAMeXchangeが発表した。トップ5社ランキングも掲載している(表1)。 [→��きを読む]
Samsungは48層256Gビット3次元NANDを量�凮始
8月4日に東��が48層積層の256Gビット3D NANDフラッシュの開発をアナウンスした矢先、Samsungは同じように48層の256Gビット3D NANDフラッシュの量��を始めたというニュースが飛び込んできた。�盜颯汽鵐織�ララで開かれたFlash Memory Summit 2015で��らかにしたもの。 [→��きを読む]
IntelとMicron、クロスポイント型不ｧ発性メモリをサンプル出荷へ
IntelとMicron technologyは共同で、DRAMとNANDフラッシュをつなぐ新型メモリを開発した(図1)。3D XPoint（スリーデ��ークロスポントと�}ぶ）�\術と�@��けたこの不ｧ発性メモリは、ストレージクラスメモリである。NANDよりも3ケタ�]く、DRAMよりも10倍高密度で、NANDよりも書き換え�v数が1000倍�Hいという。 [→��きを読む]
SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高�]のフラッシュストレージを出荷へ
![SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高�]のフラッシュストレージを出荷へ](/assets_c/900px/150512-flashstorage.png "SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高�]のフラッシュストレージを出荷へ")
書込みレイテンシが15µs、とストレージ����としては3ケタ高�]のフラッシュストレージ����(図1)をSanDiskが6月1日から出荷する。これまでの10〜20msというSSDと100nsというDRAMメモリとの間(メモリギャップ)を�mめることができる��、ストレージそのものの�]度を�f�屬欧垢襪海箸砲覆蠅修Δ�。 [→��きを読む]
SPIフォーラム「3次元実�△悗量O」が��した3D-ICの現実解
セミコンポータル主��のSPIフォーラム「3次元実�△悗量O」が3月25日、開��された(図1)。高集積化の�}段をこれまでの微細化だけではなく、�eに積み�屬欧��擬阿皺辰錣襪噺�て、企画した。システムから見た3D、ブームになりそうなFO-WLP、実際にメモリシステムを構成するHMC、など現実解は��実に進んでいる。 [→��きを読む]
3D-NANDの����発表相次ぐ
先週��、東��が3D-NANDの����を発表した翌日にMicron TechnologyとIntelのグループからも3D-NANDの発表があった。3D-NANDは3D-ICとは違い、モノリシックのSi内に�e�妓�にメモリを直�`接��した構�]で、リソグラフィを�H少緩くしても容量を�屬欧蕕譴�。ただし、2グループの間で、3次元と言ってもメモリセル構�]に�jきな差があった。 [→��きを読む]
東��、ついに3D-NANDフラッシュを����化、BiCSを採��
東��が48層のNANDフラッシュメモリを3月26日からサンプル出荷すると発表した。128Gビットの����で2ビット/セル構�]を�eち、当社の3次元メモリBiCS�\術で�攵�する。これはモノリシックにメモリセルを�eに積み�屬欧��擬阿如△い錣罎�3D-ICとは違う。 [→��きを読む]
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