Samsungは48層256Gビット3次元NANDを量�凮始
8月4日に東��が48層積層の256Gビット3D NANDフラッシュの開発をアナウンスした矢先、Samsungは同じように48層の256Gビット3D NANDフラッシュの量��を始めたというニュースが飛び込んできた。�盜颯汽鵐織�ララで開かれたFlash Memory Summit 2015で��らかにしたもの。
図1 Samsungが発表した48層3次元NANDフラッシュ���� 出�Z：Samsung Tomorrow
Samsungのチップも東��と同様、3ビット/セルの48層256Gビット(32Gバイト)NANDフラッシュチップだが、東��のチップは9月からサンプル出荷であった(参考�@料1)。これに�瓦靴�Samsungのチップは量�凮始となっており、�k歩先んじている。昨�Qの8月、Samsungは32層の3ビット/セル構�]の128Gビット3次元NANDフラッシュを量��し始めたが、1�Q後に2倍の容量のNANDフラッシュを����化したことになる。セル構�]は、��来と同様、3D CTF (Charge Trap Flash)構�]を�W��。
Samsungによると、��来の128Gビット��と比べ、同じデータ量をストアするのに消�J電��は30%削��され、�攵掚は40%以�峭發い箸靴討い�。この�T果、SSD（�w��ディスク����）�x場でのコスト��争��は、��来��よりも高まるとしている。
Samsungは��来の128Gビット����で2TバイトSSDを�c�效�に出荷しているが、この256Gビットの新����を使ったSSDは、企業向けやデータセンターストレージ向けに�j容量のSSDを販売する予定だ。ここでは、PCIe、NVMe、SASインタフェースを搭載する予定である。
参考�@料
1. 48層積層プロセスを��いた世�c初の256ギガビット3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の����化について (2015/08/04)
