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ISSCC 2016、の共通キーワードはIoT、日本が高採I率

ISSCC2016は、IoTk色といえそうだ。噞cからの講演が\え(図1)、しかも日本からの発表が盜颪房,因P数となっている。参加vも60%が噞cから。ISSCCは常に時代の新しいトレンドを採り込み、基調講演はそのトレンドを反映している。アナログ、パワー、ロジック、メモリ、RF、通信?d─ng)v路、プロセッサなどテクノロジーの進化を見ることができる。

図1 ISSCC 2016は企業がrり返した 出Z:IEEE ISSCC


この会議のテーマは「Silicon Systems for the Internet of Everything(IoT向けのシリコンシステム)」である。基調講演は4Pあり、それを見越したテーマがHい。テーマと講演vは次の通り;
・Moore’s Law: A Path Forward−IntelのWilliam Holt
・5G Mobile Technology Evolution Toward 2020 and Beyond−NTTドコモの_?j┼n)?br /> ・The Road Ahead for Security Connected Cars−NXP SemiconductorのLars Reger
・Three Pillars Enabling the Internet of Everything−XeroxのSophie Vandebroek

Intelのムーアの法Г凌抱tは、IoTのクラウドやエッジコンピューティング(IoT端笋任留Q機Α砲濃箸錣譴襦5Gは10Gbpsという高]データレートだけではなく、エネルギー効率のj(lu┛)幅な向屬筺▲譽ぅ謄鵐1ms以下という仕様もあり、IoTの通信にもj(lu┛)きな影xを与える。クルマのセキュリティに関してもクルマがインターネットとつながるためにL(f┘ng)かせない。最後のXeroxのCTOの講演はIoTそのものである(集室R)。

発表P数に関して、国別では盜颪83Pがトップで、2位の日本が24P、f国22P、ベルギー12P、湾11Pとなっている。あとは9P以下となっている。発表機関別では、トップがベルギーIMECの10P、f国Samsung9P、IntelとMichiganj(lu┛)学が8P、KAISTとUCLAが7P、MediaTek6P、Broadcomと東、MIT、Texasj(lu┛)学が5Pといている。日本からの発表は、東以外はルネサスエレクトロニクスとパナソニックが3P、ソニーと東B工業j(lu┛)学が2P、となっている。久々に日本の検討が`立つ。

採I率では、ベルギーの80%が群をsいているが、次が日本の50%、盜颪38%、f国33%となっている。日本からはの高いb文発表が期待されている。

IoTに不可L(f┘ng)な\術として通信\術がある。通信周S数の高周S化は来のミリSからTHz(テラヘルツ)へと進んできた。GHzの屬THzを実現するPLL周S数シンセサイザが登場する。0.56THzをはじめ、0.55THz、0.35THzをW(w┌ng)するセンシング\術への応は、X線を使わずに透圓垢襯謄薀悒襯弔ξをW(w┌ng)できるようになる。

アナログでも16nmFinFET
アナログにも微細なプロセスが導入される時代になってきた。周S数帯域が160MHzと広く消J電が40mWのΣ変調_(d│)をMediaTekが16nm FinFETプロセスで設、Analog Devicesも28nmプロセスで帯域465MHzのA-Dコンバータを設、その成果を発表する。電源ではシステムLSIへのオンチップ集積を狙ったスイッチトキャパシタ(sh┫)式のDC-DCコンバータが出している。スイッチトキャパシタ(sh┫)式はこれまで効率がKかったが、東が95.8%、Leuvenj(lu┛)学が94/8%と効率を屬欧拭

IoTの端向けには低消J電が不可L(f┘ng)だが、135〜175µWという低消J電のレシーバ(Twentej(lu┛)学)や1.5〜2.3mWのGNSSレシーバ(ソニー)などの発表がある。~線通信では光伝送\術としてシリコンフォトニクスで56Gbps/300mWのトランスミッタ(STMicro、Paviaj(lu┛)学)や、32Gbpsで4チャンネルのトランスミッタ(Intel)などが発表される。Intelは14nm FinFETプロセスを使。

プロセッサではサーバーのハイエンドではなく、モバイルプロセッサがHい。また、ノイマン型のディープラーニングなどのアーキテクチャの発表もある。モバイルプロセッサでは、ARMのbig.LITTLEの2クラスタ構成に加え、その中間も含めた3クラスタ構成のARMv8アーキテクチャで10コアのモバイルプロセッサをMediaTekが発表する。ルネサスは、クルマのインフォテインメント向けにレイテンシが70msと小さく12チャンネルのフルHDのビデオプロセッサを集積したSoCを発表する。ルネサスはクルマのW仕様であるISO26262 ASIL-Bを満Bする、16nm FinFETプロセスのヘテロジニアスマルチコアSoCも発表する。

ディープラーニング関係では、f国のj(lu┛)学院j(lu┛)学KAISTがウェアラブルAR(仮[現実)向けにディープラーニングコアを△┐UI/UXプロセッサについて述べる。MITからも、ディープラーニングのk|であるディープCNN(コンボリューション(sh┫)式のニューラルネットワーク)向けに再構成可Δ淵▲セラレータの発表がある。低い消J電と広いメモリバンド幅不要というメリットがある。

メモリはさすがにアジアからのb文発表がHい。NANDフラッシュでは、Samsungが48層のV-NAND構]で3ビット/セル(sh┫)式の256Gビットフラッシュメモリを、Micronの日本法人がフローティングゲート型で3次元構]の3ビット/セル(sh┫)式768GビットNANDフラッシュメモリを発表する。MicronはIntelと共に、フローティングゲート型の3D-NANDを開発することを表していた。k(sh┫)、東やSamsungはMONOS構]のセルをW(w┌ng)している。

微細なプロセスでは、10nm FinFETプロセスをいたSRAMをSamsungが発表する。これまで最小のデザインルールなので、セルサイズは0.04µm2と小さい。プロセッサに搭載するSRAMの集積度を屬欧襪燭瓠Intelはビット線当たり256セルとHくのセルを並べたアレイを可Δ砲垢襯札鵐好▲鵐廚砲弔い峠劼戮襦

DRAM関係では、Samsungが9Gbps/ピンのGDDR5の8GビットDRAMと、バンド幅307GB/sのHBM2(8層スタックのHigh Bandwidth Memory)のDRAMモジュールをウェーハ屬嚢圓Ε謄好繁,盍泙瓩独表する。

以屐ih判の高い主な発表b文をRったが、ここで紹介しきれない優れたb文もHい。これらの詳細は、2016Q1月31日〜2月4日のISSCCで発表される。初日の1月31日(日)はチュートリアルセッションが行われ、10@の専門家がビギナー向けの講Iを行う。日本からも神戸j(lu┛)学のP田真教bがミクストシグナルSoCのノイズシミュレーションに関して講Iする。


(集室R) 盜颪箍Δ任蓮IoTという言あるが、IoEとは言わない。「IoT or Internet of Everything」とBすことがHい。セミコンポータルでは、省S形で表す時は世c共通語になっているIoTを使う。

参考@料
1. 3D-NANDの発表相次ぐ (2015/03/30)

(2015/11/19)
ごT見・ご感[
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