ISSCC 2016、����の共通キーワードはIoT、日本が高採�I率
ISSCC2016は、IoT�k色といえそうだ。�噞�cからの講演が�\え(図1)、しかも日本からの発表が�盜颪房，因P数となっている��参加�vも60%が�噞�cから。ISSCCは常に時代の新しいトレンドを採り込み、基調講演はそのトレンドを反映している。アナログ、パワー、ロジック、メモリ、RF、通信?d─ng)v路、プロセッサなどテクノロジーの進化を見ることができる。
この会議����のテーマは「Silicon Systems for the Internet of Everything（IoT向けのシリコンシステム）」である。基調講演は4�Pあり、それを見越したテーマが�Hい。テーマと講演�vは次の通り；
・Moore’s Law: A Path Forward−IntelのWilliam Holt��
・5G Mobile Technology Evolution Toward 2020 and Beyond−NTTドコモの�_��?j┼n)����?br />
・The Road Ahead for Security Connected Cars−NXP SemiconductorのLars Reger��
・Three Pillars Enabling the Internet of Everything−XeroxのSophie Vandebroek��
Intelのムーアの法�Г凌抱tは、IoTのクラウドやエッジコンピューティング（IoT端���笋任留��Q機�Α砲濃箸錣譴襦�5Gは10Gbpsという高�]データレートだけではなく、エネルギー効率の�j(lu┛)幅な向�屬筺▲譽ぅ謄鵐�1ms以下という仕様もあり、IoTの通信にも�j(lu┛)きな影�xを与える。クルマのセキュリティに関してもクルマがインターネットとつながるために�L(f┘ng)かせない。最後のXeroxのCTOの講演はIoTそのものである(��集室�R)。
発表�P数に関して、国別では�盜颪�83�Pがトップで、2位の日本が24�P、�f国22�P、ベルギー12�P、��湾11�Pとなっている。あとは9�P以下となっている。発表機関別では、トップがベルギーIMECの10�P、�f国Samsung9�P、IntelとMichigan�j(lu┛)学が8�P、KAISTとUCLAが7�P、MediaTek6�P、Broadcomと東��、MIT、Texas�j(lu┛)学が5�Pと��いている。日本からの発表は、東��以外はルネサスエレクトロニクスとパナソニックが3�P、ソニーと東�B工業�j(lu┛)学が2�P、となっている。久々に日本の検討が�`立つ。
採�I率では、ベルギーの80%が群を�sいているが、次が日本の50%、�盜颪�38%、�f国33%となっている。日本からは��の高い�b文発表が期待されている。
IoTに不可�L(f┘ng)な�\術として通信�\術がある。通信周�S数の高周�S化は��来のミリ�SからTHz(テラヘルツ)へと進んできた。GHzの�屬�THzを実現するPLL周�S数シンセサイザが登場する。0.56THzをはじめ、0.55THz、0.35THzを�W(w┌ng)��するセンシング�\術への応��は、X線を使わずに透�圓垢襯謄薀悒襯弔��ξ�を�W(w┌ng)��できるようになる。
アナログでも16nmFinFET
アナログにも微細なプロセスが導入される時代になってきた。周�S数帯域が160MHzと広く消�J電��が40mWの��Σ変調�_(d│)をMediaTekが16nm FinFETプロセスで設��、Analog Devicesも28nmプロセスで帯域465MHzのA-Dコンバータを設��、その成果を発表する。電源ではシステムLSIへのオンチップ集積を狙ったスイッチトキャパシタ��(sh┫)式のDC-DCコンバータが��出している。スイッチトキャパシタ��(sh┫)式はこれまで効率が�Kかったが、東��が95.8%、Leuven�j(lu┛)学が94/8%と効率を�屬欧拭�
IoTの端��向けには低消�J電��が不可�L(f┘ng)だが、135〜175µWという��低消�J電��のレシーバ（Twente�j(lu┛)学）や1.5〜2.3mWのGNSSレシーバ(ソニー)などの発表がある。�~線通信では光伝送�\術としてシリコンフォトニクスで56Gbps/300mWのトランスミッタ（STMicro、Pavia�j(lu┛)学）や、32Gbpsで4チャンネルのトランスミッタ（Intel）などが発表される。Intelは14nm FinFETプロセスを使��。
プロセッサではサーバー��のハイエンドではなく、モバイルプロセッサが�Hい。また、��ノイマン型のディープラーニングなどのアーキテクチャの発表もある。モバイルプロセッサでは、ARMのbig.LITTLEの2クラスタ構成に加え、その中間も含めた3クラスタ構成のARMv8アーキテクチャで10コアのモバイルプロセッサをMediaTekが発表する。ルネサスは、クルマのインフォテインメント向けにレイテンシが70msと小さく12チャンネルのフルHDのビデオプロセッサを集積したSoCを発表する。ルネサスはクルマの�W��仕様であるISO26262 ASIL-Bを満�Bする、16nm FinFETプロセスのヘテロジニアスマルチコアSoCも発表する。
ディープラーニング関係では、�f国の�j(lu┛)学院�j(lu┛)学KAISTがウェアラブルAR（仮�[現実）向けにデ��ープラーニングコアを?y┐n)△┐�UI/UXプロセッサについて述べる。MITからも、デ��ープラーニングの�k�|であるデ��ープCNN（コンボリューション��(sh┫)式のニューラルネットワーク）向けに再構成可�Δ淵▲�セラレータの発表がある。低い消�J電��と広いメモリバンド幅不要というメリットがある。
メモリはさすがにアジアからの�b文発表が�Hい。NANDフラッシュでは、Samsungが48層のV-NAND構�]で3ビット/セル��(sh┫)式の256Gビットフラッシュメモリを、Micronの日本法人がフローティングゲート型で3次元構�]の3ビット/セル��(sh┫)式768GビットNANDフラッシュメモリを発表する。MicronはIntelと共に、フローティングゲート型の3D-NANDを開発することを表��していた。�k��(sh┫)、東��やSamsungはMONOS構�]のセルを�W(w┌ng)��している。
微細なプロセスでは、10nm FinFETプロセスを��いたSRAMをSamsungが発表する。これまで最小のデザインルールなので、セルサイズは0.04µm2と小さい。プロセッサに搭載するSRAMの集積度を�屬欧襪燭�、Intelはビット線当たり256セルと�Hくのセルを並べたアレイを可�Δ砲垢襯札鵐好▲鵐廚砲弔い峠劼戮�。
DRAM関係では、Samsungが9Gbps/ピンのGDDR5の8GビットDRAMと、バンド幅307GB/sのHBM2（8層スタックのHigh Bandwidth Memory）のDRAMモジュールをウェーハ�屬嚢圓Ε謄好繁，盍泙瓩独�表する。
以��、�i�h判の高い主な発表�b文を?y┐n)Rったが、ここで紹介しきれない優れた�b文も�Hい。これらの詳細は、2016�Q1月31日〜2月4日のISSCCで発表される。初日の1月31日(日)はチュートリアルセッションが行われ、10�@の専門家がビギナー向けの講�Iを行う。日本からも神戸�j(lu┛)学の�P田真教�bがミクストシグナルSoCのノイズシミュレーションに関して講�Iする。
(��集室�R) �盜颪箍��Δ任�、IoTという言��あるが、IoEとは言わない��「IoT or Internet of Everything」と�Bすことが�Hい。セミコンポータルでは、省�S形で表す時は世�c共通語になっているIoTを使う。
参考�@料
1. 3D-NANDの����発表相次ぐ (2015/03/30)
