東��は3月26日、3D-NANDフラッシュのサンプル出荷を始めたと発表、その翌朝Micron TechnologyとIntelも3D-NANDを限定ユーザーにサンプル出荷したことを��らかにした。国内の新聞では日経が27日に報じたが、Micron/Intelグループについては報じていない。ニュースは東��が発表したことで、Micron/Intelグループも慌てて発表したとみられる。

東��のメモリは、セミコンポータルですでに報�O(p┴ng)したように(参考�@料1)、48層の128Gビット����で、Micron/Intelグループは32層の256Gビット(2ビット/セル)と384Gビット(3ビット/セル)����であり、�Y��パッケージに収まるとしている。

東��の48層のNANDフラッシュでは、同社が開発したBiCS（Bit Cost Scaling）�\術を使っているという。2007�QにVLSI Symposiumで同社が発表してから8�Q後の����化となる。ここでは、�e型にMOSFETを直�`接��する構�]を採り、メモリセルにMNOS構�](��(k┫)直のシリコンが�┣祝譟�窒化膜にグルっと囲まれているので、��確にはSONOS構�]になる)を採っている。

�k��(sh┫)のMicron/Intelグループは、MNOS構�]ではなく、��来のポリシリコンのフローティングゲートを�W(w┌ng)��しているとしている。2013�Qに最初に����化したSamsungも、MNOS構�]を採っている。Micron/Intelグループのニュースリリースによると、これまでのプレーナ型NANDフラッシュで実績があるからだとしている。さらに、フローティングゲート�\術はカギとなるデザインの��(li│n)�Iであり、性�Α�����、信頼性を�j(lu┛)きく�屬欧襪海箸�できるとプレスリリースで述べている。

������画として、27日の日本経済新聞では東��が早ければ本�Q中に量��に入るというが、量�����U(ku┛)を�Dえるため、四日�x工場の新・��2���]棟でも�攵�すると述べている。�k��(sh┫)のMicron/Intelグループは今春の終わりに�k般ユーザーへのサンプル出荷を開始、今�Qの��4四半期までに量��したいとしている。Samsungが2013�Qの8月に発表しているが、ここにきて3D-NANDの量��を�U(ku┛)するメーカーが今後のNANDフラッシュ�x場を��配するのかもしれない。

もう�kつのニュースとして、富士通研�|所がフレキシブル基��に実�△靴織咫璽灰鵑魍�発した、と25日の日経�噞新聞が報じた。AppleのiPhoneには�Y��搭載されているBluetooth LE（Low Energy）を�W(w┌ng)��するもので、���Fや経路案内の情報を発信するために�W(w┌ng)��する。ビーコンは常にBluetooth LEの電�Sを発信しており、Bluetooth LEをオンしているスマホであれば、その情報を�pけられる。AppleがiBeaconと�}ぶ機�Δ�まさにそれだ。���Fの��売情報を流したり、レストランの会�^を�\やしたりするような�W(w┌ng)��がある。富士通研�|所開発したものは厚さ2.5mmでシリコン�`脂のフレキシブル基��に形成しているため、ポスターの�屬��aることもできる。電源にはソーラーを使っているため、室内の��かりでも動作する。16�Q度の実��化を狙っている。

参考�@料
1. 東��、ついに3D-NANDフラッシュを?y┐n)���化、BiCSを採�� (2015/03/26)