図1　東��が開発した3次元NANDフラッシュBiCSの��(ch┘)念　出�Z：東��プレスリリース(2007�Q6月12日)

��来の2次元NANDフラッシュのメモリセルは平�C�屬鵬���(sh┫)向に並べた構�]をしているが、3次元NAND構�]は、横に並べたセルを�eに積むような形をしている。図1の�u色の電極材料（ポリシリコン）を�eに積み�_ねた後、�k気に楉鵡Δ魍�け、メモリMOSのチャンネル材料を�mめ込む(図2)。セルには��来のようなフローティングゲート構�]は使えないため、メモリセル構�]は窒化膜を導入するMNOSなどの構�]を採る。東��はSONOS構�]にしている。

図2　��来構�]と3次元NANDフラッシュ構�]の比較　出�Z：東��プレスリリース(2007�Q6月12日)

3次元NANDはSamsungが先行し、����化は�k昨�Q行った。SSDや�w��のストレージ����を狙ったものだが、すでにSSDにも搭載している(参考�@料1)。Samsungの3D-NANDの�攵�はうまくいっていないとのうわさがあり、そのことが��実かどうかはわからないが、東��としてはSamsungの後塵を拝する�lにはいかない。このため、3次元化を��いだと筆�vはみる。東��の3D-NANDはSK HynixやMicronなどよりも��く、微細化を優先して2次元化を優先していた(参考�@料2)。しかし、ここで発表を��いだということは、Samsungとの差をこれ以�峭�げる�lにはいかないという���T表��ではないか。ただし、本格的な量��は��画通り来�Qだろう。

東��のプレスリリースによれば、BiCS構�]は2016�Q�i半に�A工予定の同社四日�x工場新･��2���]棟でも�攵�する予定だとしている。つまり、�j(lu┛)量�攵�は来�Qという�T味である。

参考�@料
1. サムスン、3次元NANDを64個搭載したSSDを量�凮始 (2013/08/15)
2. NANDフラッシュの�Q(ch┘ng)社ロードマップが出揃う (2014/08/26)