図1　NANDフラッシュとDRAMの�Q社ロードマップ　出�Z：IC Insights

微細化では東��・SanDiskグループが先行しているが、3次元化では�k番��れていることがわかった(図1)。そしてSamsungは2013�Qから3次元化を始めたが、IM FlashとSK Hynixは2015�Qから始め、東��・SanDiskグループは2016�Qはじめに3次元化する予定だ。

Samsungは、2013�Qに24層の3D NANDフラッシュを搭載したSSDを少量�攵�し始め、2014�Q5月には32層のV-NANDチップを発表している。この時に、その��2世代の32層チップを搭載した、「プレミアムSSD」の����も発表した。プレミアムSSDはデータセンターのストレージだけではなく、ハイエンドのパソコンにも搭載していくとしている。

IntelとMicron Technologyとのメモリ合弁のIM Flashは、東��と同様、微細化で10nmまで微細化を進め、その後に3次元化するという。経済的には32層になるだろうと見ている。

SanDiskは、19nm世代の����の次に1y-nmとして15〜16nmプロセスを使う予定だったが、メモリセルの設��を見直し、19nmのままでセルサイズを25%シュリンクできるようになったという。当初、2013�Q後半に1y-nmデバイスを��画していたが、微細化ではなく先進のセル設��を採��した。

DRAMはもはや微細化を牽引していない。現在のDRAMメーカーは20nm��のプロセスを使っている。DRAMの3次元化は、モノリシックに�H段に集積するのではなく、DRAMチップを積み�_ねる��(sh┫)式だ。TSV（Through Silicon Via）を使って積層していくためのコンソーシアムHMC（Hybrid Memory Cube）が3D DRAMを推進している。HMCはMicronとSamsungが提案し、現在はAltera、ARM、IBM、Opem-Silicon、SK Hynix、Xilinxが加盟している。