好調半導、ルネサス7四半期連C、東は半導がW益をnぐ

先週は、電機Q社の2四半期(7〜9月期)Q発表があった。ルネサスはさまざまなリストラを経て、売峭發海iQ同期比3.9%の1996億と低下したものの、営業W益は235億、営業W益率11.3%をキープした。これで7四半期連営業Cを達成したことになる。東は、NANDフラッシュの好調をpけて、営業W益のほとんどを電子デバイスがnぎ出した。 [→きを読む]
先週は、電機Q社の2四半期(7〜9月期)Q発表があった。ルネサスはさまざまなリストラを経て、売峭發海iQ同期比3.9%の1996億と低下したものの、営業W益は235億、営業W益率11.3%をキープした。これで7四半期連営業Cを達成したことになる。東は、NANDフラッシュの好調をpけて、営業W益のほとんどを電子デバイスがnぎ出した。 [→きを読む]
Samsung Electronicsが156兆ウォン(147億ドル:)という巨Yの投@をモバイルデバイス向けのチップ]のためにソウルの南75kmの平u(ピョンテク)という場所に新たな半導工場を作る画を発表した。この工場はSamsungのどの工場よりもjきなものになるという。 [→きを読む]
先週、最jのBはApple社のiPhone 6と6Plusや時型端のApple Watchなどの発表会であった。iPhone 6ファミリは発表iから画Cサイズ (4.7と5.5インチ)がれ聞こえてきていたが、詳細はやはり式発表を待たざるをuなかった。iPhoneを巡る半導噞への影xもjきく、NANDフラッシュの東が四日x工場の新攵欻の工式を行った。また先週IDFもあったが、これは長見レポート(参考@料1)を参照してほしい。 [→きを読む]
NANDフラッシュのQ社のロードマップを毫x場調h会社のIC Insightsがまとめた。これによると、Samsungが3Dメモリで先行しているが、IM FlashとSK Hynix、東・SanDiskグループも2015Q〜2016Qには3次元化する画だ。 [→きを読む]
東とSamsungのNANDフラッシュの売り屬欧虜垢広がった。2014Q2四半期におけるNANDフラッシュメーカーj}6社の売り屬欧鰥x場調h会社DRAMeXchange(TrendForce社のk靆隋砲発表したもの(図1)。 [→きを読む]
2014Q嵌彰における世cの半導企業トップランキングを、x場調h会社のIC Insightsが発表した。これによると、岼3社は来と変わらないが、合した3社が合iの単純合Yよりもjきく売り屬欧Pばしている。 [→きを読む]
DRAMのビット成長がらかに鈍ったことを、x場調h会社IC Insightsがレポートした。1995〜1999Qには83%のQ平均成長率(CAGR)だったが、2010Qから2014Qに至る最Zの5Q間には36%に少する。ただし、2014Qは見込みである。 [→きを読む]
先週、Qualcommが、60GHzのWi-Fi格である、IEEE802.11ad(別@WiGig)を}に入れたというニュース発表があった。LTEの耀uにもアグレッシブに動く同社が今v、数Gbpsという常に高いデータレートをサポートする60GHz帯の企業WilocityをA収した。咾だ長分野をますます咾するQualcommはめけている。 [→きを読む]
2014Qの1四半期におけるNANDフラッシュの売り屬欧任蓮1位のSamsungが21億7500万ドル、2位の東は15億4770万ドル、3位のSanDiskは13億6700万ドルであった。これは、シンガポールを拠点とするメモリのx場調h会社DRAMeXchangeが発表したもの。 [→きを読む]
盜饂間6月10日からハワイで開かれる2014 Symposia on VLSI Technology and CircuitsでLEAP(低電圧デバイス\術研|組合)が3|類のメモリを発表する。FPGAのスイッチとして使う「原子‘扱織好ぅ奪船妊丱ぅ后廚STT-MRAMのk|「磁性変化デバイス」、PCRAMのk|「相変化デバイス」である。 [→きを読む]
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