Samsung、東��とのNANDフラッシュの売り�屬穏垢魍判j
東��とSamsungのNANDフラッシュの売り�屬欧虜垢�広がった。2014�Q��2四半期におけるNANDフラッシュメーカー�j�}6社の売り�屬欧鰥x場調�h会社DRAMeXchange（TrendForce社の�k�靆隋砲�発表したもの(図1)。 [→��きを読む]
メモリ
2014�Q�嵌彰�の世�c半導��トップ20社ランキング
2014�Q�嵌彰�における世�cの半導��企業トップランキングを、�x場調�h会社のIC Insightsが発表した。これによると、�岼�3社は��来と変わらないが、合��した3社が合���iの単純合���Yよりも�jきく売り�屬欧��Pばしている。 [→��きを読む]
DRAMのビット成長率、20%��時代に突入
DRAMのビット成長が��らかに鈍ったことを、�x場調�h会社IC Insightsがレポートした。1995〜1999�Qには83%の�Q平均成長率（CAGR）だったが、2010�Qから2014�Qに至る最�Zの5�Q間には36%に��少する。ただし、2014�Qは見込みである。 [→��きを読む]
Qualcomm、60GHzのWi-Gi企業を�A収、802.11b/g/n/ac/adチップ実現へ
先週、Qualcommが、60GHzのWi-Fi��格である、IEEE802.11ad（別�@WiGig）を�}に入れたというニュース発表があった。LTEの�����耀uにもアグレッシブに動く同社が今�v、数Gbpsという��常に高いデータレートをサポートする60GHz帯の企業Wilocityを�A収した。�咾だ�長分野をますます�咾�するQualcommは��め��けている。 [→��きを読む]
NANDフラッシュの勢��図に変化あり
2014�Qの��1四半期におけるNANDフラッシュの売り�屬欧任�、1位のSamsungが21億7500万ドル、2位の東��は15億4770万ドル、3位のSanDiskは13億6700万ドルであった。これは、シンガポールを拠点とするメモリの�x場調�h会社DRAMeXchangeが発表したもの。 [→��きを読む]
LEAP、FPGA��スイッチ、STT-MRAM、TRAMをVLSI Sympoで発表
�盜饂�間6月10日からハワイで開かれる2014 Symposia on VLSI Technology and CircuitsでLEAP（��低電圧デバイス�\術研�|組合）が3�|類のメモリを発表する。FPGAのスイッチとして使う「原子�‘扱織好ぅ奪船妊丱ぅ后廚�STT-MRAMの�k�|「磁性変化デバイス」、PCRAMの�k�|「相変化デバイス」である。 [→��きを読む]
東��の中��、NANDフラッシュを成長のエンジンに据える
先週の5月22日、東��が中期��画を発表し、電子デバイスを成長のエンジンに据える�疑砲���らかにした。電子デバイス��業を2016�Q度に2.2兆��の��模、CAGR（�Q平均成長率）が24%に相当するという中期��画を�Wいている(図1)。 [→��きを読む]
東��、3次元NANDフラッシュ専��の設��導入に投�@
東��が四日�x工場の��2棟を建て��え、3次元構�]のNANDフラッシュの専��設�△鮴���する拡張スペースを確保する、と5月14日のプレスリリースで発表した。その日の朝、日本経済新聞は、1Tビットを5�Q以内に���]すると報じている。東��はSanDiskと共同で投�@を行い、合��5000億��の投�@になると日経は伝えている。 [→��きを読む]
2014�Q1Qの世�c半導��トップ20社ランキング
2014�Q��1四半期(1〜3月)の世�c半導��20社ランキングを、�盜驂x場調�h会社のIC Insightsが発表した。最新のランキングデータである。スマホ向けチップメーカーは相変わらず好調、パソコンおよびサーバ向けマイクロプロセッサを�攵�しているIntelとAMDも共にプラス成長を記�{した。 [→��きを読む]
直�Zでは値下がりあるもスマホ��NANDフラッシュの好調��く
スマートフォン�x場に向けた半導��は好調が��いている。NANDフラッシュメモリメーカーの東��の業績が�餮譴辰討い襦�4月10日の日経�噞新聞は、「2013�Q10〜12月期の3ヵ月だけで約500億��の営業�W益を�nぎ、来月発表予定の14�Q1〜3月期���Qでも500億��に�Zい水��の�W益を�nぐ見通し」と報じた。 [→��きを読む]
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