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東、3次元NANDフラッシュ専の設導入に投@

東が四日x工場の2棟を建てえ、3次元構]のNANDフラッシュの専設△鮴する拡張スペースを確保する、と5月14日のプレスリリースで発表した。その日の朝、日本経済新聞は、1Tビットを5Q以内に]すると報じている。東はSanDiskと共同で投@を行い、合5000億の投@になると日経は伝えている。

このニュースは、日経だけがiに東からD材をすませ、当日のプレスリリースの発行と同期をとったもの。現在NANDフラッシュの最j容量は、Samsungの128Gビットメモリ。東はプレーナ\術でNANDフラッシュのj容量化を進めてきたが、Samsungは3次元構]のNANDフラッシュを昨Q8月に攵崿めた。これまで、東は微細化を優先、3次元NANDフラッシュ化はその後、と語っていた。

3次元NANDフラッシュは、NAND型CMOSトランジスタを横に8個並べた来のプレーナ構]を、eに8個並べる構]を採っている。このため、]プロセスが複雑になる。NANDフラッシュチップを積み_ねる3次元実\術とは異なる点にRTする要がある。3次元NANDフラッシュはkつのシリコンダイに貭妓に8メモリセル分を並べる構]である。MOS構]は来のフローティングゲートに代わり、ナイトライド膜をWする構]になりそうだ。その新しい電荷蓄積構]に官するため、東とSanDiskは、リソグラフィや成膜、エイッチングなどの最先端設△鮟膽‘各していく画だ。

単位C積当たりの容量がk気に8倍になるため、リソグラフィ的にはやや緩い設ルールをいられてきた。東は、現在64Gビットを19nmプロセスで作っているが、17/16nmへとシュリンクすることで128G ビットを`指していた。このルールで8個のNANDトランジスタをeに並べていくと1Tビットを実現できる。東は、5Q以内に開発すると報じているが、ロードマップ屬亮存住期としては無理のないJ囲といえよう。

昨Q8月に、Samsungはこの3次元構]のNANDフラッシュメモリの量を発表しただけではなく、それを使ったSSD(半導ディスク)も発売した。その時のチップの容量は128Gビット。東は新しい四日x工場で、「2015Q度後半以T、2Dメモリから3Dメモリへの切りえを`指す」と述べていることから、最初のは128Gビットか最jでも256Gビットであろう。順次、微細化と3次元化を組み合わせながら、256Gビット、512Gビット、1Tビットへと進tさせていくことになろう。

高集積メモリに要なリソグラフィ\術が10nmになると、ArFにしろ、EUVにしろ、スループットが落ちる点では同じ。これまでのようなペースで開発が進みそうにない。どちらがスループットを屬欧蕕譴襪、M負はEUVのASMLか、ArFのニコンか、予をさない。3次元構]を{^しておくことは、メーカーにとって_要であり、より高集積のチップの]には、リソグラフィ\術だけに頼らないというT味でLかせない。

NANDフラッシュに絞ってメモリビジネスを推進している東は、Samsungが3次元メモリで先行したことに瓦靴董⊂しはったはず。それもSSDに採されており、量でもSamsungに先行された。東セミコンダクター&ストレージ社社長であり東の執行役崟幣である成毛康dは、昨Q9月の説会において、まず微細化を優先してコストを咾瓠△修里△箸3次元化していくと述べている(参考@料1)。今vの投@による3次元構]のNANDフラッシュの化時期は、そのロードマップに載っているといえる。


参考@料
1. アップルiPhone5Sに初の64ビットAPU搭載、東積極投@にR` (2013/09/17)

(2014/05/19)
ごT見・ご感[
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