澎記、3肌傅NANDフラッシュ漓脫の肋灑瞥掐に抨獲
澎記が煌泣輝供眷の媽2棚を氟て侖え、3肌傅菇隴のNANDフラッシュの漓脫肋灑を肋彌する橙磨スペ〖スを澄瘦する、と5奉14泣のプレスリリ〖スで券山した。その泣の墨、泣塑沸貉糠使は、1Tビットを5鉗笆柒に瀾隴すると鼠じている。澎記はSanDiskと鼎票で抨獲を乖い、圭紛5000帛邊の抨獲になると泣沸は帕えている。
このニュ〖スは、泣沸だけが禍漣に澎記から艱亨をすませ、碰泣のプレスリリ〖スの券乖と票袋をとったもの。附哼NANDフラッシュの呵絡推翁は、Samsungの128Gビットメモリ。澎記はプレ〖ナ禱窖でNANDフラッシュの絡推翁步を渴めてきたが、Samsungは3肌傅菇隴のNANDフラッシュ瀾墑を候鉗8奉に欄緩幌めた。これまで、澎記は腮嘿步を庭黎、3肌傅NANDフラッシュ步はその稿、と胳っていた。
3肌傅NANDフラッシュは、NAND房CMOSトランジスタを玻に8改事べた驕丸のプレ〖ナ菇隴を、僥に8改事べる菇隴を何っている。このため、瀾隴プロセスが剩花になる。NANDフラッシュチップを姥み腳ねる3肌傅悸劉禱窖とは佰なる爬に廟罷する澀妥がある。3肌傅NANDフラッシュは辦つのシリコンダイに庫木數羹に8メモリセル尸を事べる菇隴である。MOS菇隴は驕丸のフロ〖ティングゲ〖トに洛わり、ナイトライド遂を網脫する菇隴になりそうだ。その糠しい排操眠姥菇隴に灤炳するため、澎記とSanDiskは、リソグラフィや喇遂劉彌、エイッチング劉彌などの呵黎眉肋灑を界肌瞥掐していく紛茶だ。
帽疤燙姥碰たりの推翁が辦丹に8擒になるため、リソグラフィ弄にはやや此い肋紛ル〖ルを脫いられてきた。澎記は、附哼64Gビット瀾墑を19nmプロセスで侯っているが、17/16nmへとシュリンクすることで128G ビットを謄回していた。このル〖ルで8改のNANDトランジスタを僥に事べていくと1Tビットを悸附できる。澎記は、5鉗笆柒に倡券すると鼠じているが、ロ〖ドマップ懼の悸附箕袋としては痰妄のない認跋といえよう。
候鉗8奉に、Samsungはこの3肌傅菇隴のNANDフラッシュメモリの翁緩を券山しただけではなく、それを蝗ったSSD∈染瞥攣ディスク∷も券卿した。その箕のチップの推翁は128Gビット。澎記は糠しい煌泣輝供眷で、≈2015鉗刨稿染笆慣、2Dメモリから3Dメモリへの磊り侖えを謄回す∽と揭べていることから、呵介の瀾墑は128Gビットか呵絡でも256Gビットであろう。界肌、腮嘿步と3肌傅步を寥み圭わせながら、256Gビット、512Gビット、1Tビットへと渴鷗させていくことになろう。
光礁姥メモリに澀妥なリソグラフィ禱窖が10nm駱になると、ArFにしろ、EUVにしろ、スル〖プットが皖ちる爬では票じ。これまでのようなペ〖スで倡券が渴みそうにない。どちらがスル〖プットを懼げられるか、盡砷はEUVのASMLか、ArFのニコンか、徒們を釣さない。3肌傅菇隴を漿較しておくことは、メ〖カ〖にとって腳妥であり、より光礁姥のチップの瀾隴には、リソグラフィ禱窖だけに完らないという罷蹋で風かせない。
NANDフラッシュに故ってメモリビジネスを夸渴している澎記は、Samsungが3肌傅メモリで黎乖したことに灤して、警しは廄ったはず。それもSSDに何脫されており、翁緩でもSamsungに黎乖された。澎記セミコンダクタ〖□ストレ〖ジ家家墓であり澎記の脊乖舔懼朗撅壇である喇逃汞禿會は、候鉗9奉の棱湯柴において、まず腮嘿步を庭黎してコスト蝸を動め、そのあとに3肌傅步していくと揭べている(徊雇獲瘟1)。海攙の抨獲による3肌傅菇隴のNANDフラッシュの瀾墑步箕袋は、そのロ〖ドマップに很っているといえる。
徊雇獲瘟
1. アップルiPhone5Sに介の64ビットAPU烹很、澎記姥端抨獲に廟謄 (2013/09/17)
