SSDより]いフラッシュストレージをViolin Memoryが出荷
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NANDフラッシュをj量に使う、フラッシュアレイストレージがこれまでハイエンドのティア0ストレージから、1次ストレージのティア1ストレージへと下位t開を図ろうとしている。これはNANDフラッシュが今後、j量に使われることをT味する。これまでは]度(レイテンシ)を優先するハイエンドのティア0レベルがメインだった。 [→きを読む]
NANDフラッシュをj量に使う、フラッシュアレイストレージがこれまでハイエンドのティア0ストレージから、1次ストレージのティア1ストレージへと下位t開を図ろうとしている。これはNANDフラッシュが今後、j量に使われることをT味する。これまでは]度(レイテンシ)を優先するハイエンドのティア0レベルがメインだった。 [→きを読む]
DRAMのデータレート(バンド幅)を1ピン当たりDDR4の8.5倍]いHMC(Hybrid Memory Cube)のSがらかになった。HMCは、TSV(Through Silicon Via)を使ってDRAMチップをeに積み屬欧3D-ICのk|で、基地局やデータセンターなどに向け消J電を屬欧困帽]性をuるRAMメモリである。詳細は3月25日に開されるSPIフォーラム「3次元実△悗量O」でらかになる。 [→きを読む]
NANDフラッシュの2014Q4四半期でのトップ6社がi四半期比2%\の87億4620万ドルになったとDRAMeXchangeが発表した。1位Samsungから6位のIntelまでの順位に変わりはないが、下位3社がi期比で2桁成長をし、岼3社を{い屬欧討い襦平1)。 [→きを読む]
セミコンポータル主のSPIフォーラム「3次元プロセスの壁とソリューション」が1月30日、東B御茶ノ水で開された。ここでは、16/14nm時代から本格的に導入されるFinFETや、NANDフラッシュのようなe型メモリといったプロセスの3次元化を採り屬欧拭2014Q12月のIEDMでもFinFETがjきなトピックスをめたようだ。 [→きを読む]
半導噞の好調が依としていている。この2014Q10〜12月期の四半期Qがらかになり、半導メーカーだけではなく、関連材料メーカーやテスターメーカーも好調というT果が出ている。東、ルネサス、信越化学、JSR、ディスコ、アドバンテストの四半期Qが相次いで報Oされた。 [→きを読む]
2014 IEDM(International Electron Devices Meeting)でのjきな問は、IC業cが来に向けてどこに向かっているのかを確にすることだった。 [→きを読む]
2014Qの世c半導ランキング見込みを毫x場調h会社のIHS Technologyも発表した。日本メーカーはWの影xもありドル表ではPび率が下がりそうだ。1位Intel、2位Samsung、3位Qualcommとき、9位までは2013Qと同じだが、10位はjきく変わる。 [→きを読む]
東は、NANDフラッシュメモリ\術の機密情報を不にDuしたとして、f国のSK Hynixを訴えていた問で、和解したことを発表した。これは、今Qの3月13日にHynixの元業^が、2008Q当時、東四日x工場内でサンディスクの業^として共同開発していた東の機密情報を不にeち出し、その情報をHynixが使していた、として提訴していたもの。 [→きを読む]
先週、日本経済新聞社が「日経フォーラム世c経営v会議」を東Bで開し、その中から半導メーカーとしてMicron Technologyの経営vインタビュー記がHかった。旧エルピーダメモリの広工場に約1000億を投@し、DRAMの攵ξ2割\する、と11月11日に報じた。MicronはDRAMをIoTx場においても期待しているようだ。 [→きを読む]
2014Q3四半期(7〜9月期)におけるNANDフラッシュの売幢Yは、i四半期比12.2%\の85億8000万ドルに達した。トップSamsungと2位東とのx場シェアは、i四半期の10.3%差から、7.1%差へと縮まった。NANDフラッシュx場の成長はiPhone 6がけん引した。 [→きを読む]
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