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SSDより]いフラッシュストレージをViolin Memoryが出荷

SSDより]いフラッシュストレージをViolin Memoryが出荷

NANDフラッシュをj量に使う、フラッシュアレイストレージがこれまでハイエンドのティア0ストレージから、1次ストレージのティア1ストレージへと下位t開を図ろうとしている。これはNANDフラッシュが今後、j量に使われることをT味する。これまでは]度(レイテンシ)を優先するハイエンドのティア0レベルがメインだった。 [→きを読む]

TSVを使った新型メモリHMCの詳細がまもなくらかに

TSVを使った新型メモリHMCの詳細がまもなくらかに

DRAMのデータレート(バンド幅)を1ピン当たりDDR4の8.5倍]いHMC(Hybrid Memory Cube)のSがらかになった。HMCは、TSV(Through Silicon Via)を使ってDRAMチップをeに積み屬欧3D-ICのk|で、基地局やデータセンターなどに向け消J電を屬欧困帽]性をuるRAMメモリである。詳細は3月25日に開されるSPIフォーラム「3次元実△悗量O」でらかになる。 [→きを読む]

「ダブルパターニングが曲v」を露呈したFinFET\術のSPIフォーラム

「ダブルパターニングが曲v」を露呈したFinFET\術のSPIフォーラム

セミコンポータル主のSPIフォーラム「3次元プロセスの壁とソリューション」が1月30日、東B御茶ノ水で開された。ここでは、16/14nm時代から本格的に導入されるFinFETや、NANDフラッシュのようなe型メモリといったプロセスの3次元化を採り屬欧拭2014Q12月のIEDMでもFinFETがjきなトピックスをめたようだ。 [→きを読む]

東、SK Hynixと2億7800万ドルで和解

東、SK Hynixと2億7800万ドルで和解

東は、NANDフラッシュメモリ\術の機密情報を不にDuしたとして、f国のSK Hynixを訴えていた問で、和解したことを発表した。これは、今Qの3月13日にHynixの元業^が、2008Q当時、東四日x工場内でサンディスクの業^として共同開発していた東の機密情報を不にeち出し、その情報をHynixが使していた、として提訴していたもの。 [→きを読む]

Micronを巡る、DRAM投@からIoTまでのトピックス

Micronを巡る、DRAM投@からIoTまでのトピックス

先週、日本経済新聞社が「日経フォーラム世c経営v会議」を東Bで開し、その中から半導メーカーとしてMicron Technologyの経営vインタビュー記がHかった。旧エルピーダメモリの広工場に約1000億を投@し、DRAMの攵ξ2割\する、と11月11日に報じた。MicronはDRAMをIoTx場においても期待しているようだ。 [→きを読む]

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