久しぶりに半導��の��るいニュースが先週�~け巡った。東��が、微細化�\術としてナノインプリント�\術を使ってNANDフラッシュを微細化するというニュースだ。6月3日の日本経済新聞が報じたもの。NANDフラッシュは、クラウドストレージ向けにこれから��要性が�\し、IoTシステムの�k環を形成する。クラウドビジネスがIoTと�k緒になりAI（人工���Α砲砲茲襯如璽寝鮴呂砲���きていく。 [→��きを読む]
��湾の�x場調�h会社TrendForce傘下のDRAMeXchangeによると、2016�Q��1四半期におけるDRAM�x場は、�i四半期比16.6%��の85億6200万�櫂疋襪膨祺爾靴燭犯�表した。DRAMメーカーのトップスリーは昨�Qと変わらず、Samsung、SK Hynix、Micron（旧エルピーダ）の順となっている。 [→��きを読む]
6月13〜17日ハワイで開��される2016 Symposium on VLSI Technology and Circuits（通称、VLSI Symposium）の採�I�b文が��まった。VLSIのデバイス・プロセスを扱うTechnologyでは、��投�M�P数214の内、採�Iされた�b文は85�P、�v路�\術を扱うCircuitsでは、375�Pの投�Mに�瓦靴�97�Pの採�Iであった。�v路関係の内容はIoT�k色である。 [→��きを読む]
Intelは、�盜饂�間3月31日に開��されたCloud Dayにおいて、クラウド�x場でのストレージの高�]化のため、3D-NANDフラッシュを�W��したSSD（半導��ディスク）をはじめ、XeonプロセッサE5-2600 v4もセットで発表した。Intelが3D-NANDのSSDを発表したのはこれが初めて。 [→��きを読む]
東��の四日�x工場でNANDフラッシュを�攵�しているSanDiskがSDカードで�Z載分野に進出する。4月には、8GBから16GB、32GB、64GBという容量を�eち、最�j20MB/sのシーケンシャル書き込み/読み出し性�Δ鮗存修掘△靴�も�W��仕様AEC-Q100��格の認証を�D�uしたSDカードを出荷する。動作�a度�J囲が-40℃〜85℃と広く、�O動�Zに使えるレベルに達している。 [→��きを読む]
先週の3月18日金曜日の�D�機�東��は「2016�Q度��業��画説��会」を開��した。仙��での�D材を終えると筆�vは東�Bへとんぼ返りし、説��会に参加した。在�Bテレビ局が集�Tし、テレビカメラがずらりと並んでいた。そのような中、室町��志代表執行役社長は、淡々と説��会�@料を読み�屬欧拭Ｆ影�Samsungが設��投�@を半��するというニュースも入った。 [→��きを読む]
半導��チップの出荷個数が2018�Qには1兆個を突破しそうだ(図1)。このような予�Rを�]ち出したのは�毫x場調�h会社のIC Insights。2015�Qの時点で、ICとディスクリートも含めた��半導��デバイスの出荷個数は8400億個を突破している。 [→��きを読む]
「東日本�j震�uからの復興とは、元に戻すことだけにとどまらない。次への成長を期待できる仕組みを作ることだ」。このような思いを胸に、東���j学は「2nd CIES Technology Forum」3月17〜18日、仙��で開��する。東���j学が進めているスピントロニクス�W��のMRAMとその応��を中心とするテーマで、2日間に渡る。 [→��きを読む]
久々に新しい半導��メーカーが誕�擇靴修Δ澄�2012�Qに経営破たんしたエルピーダメモリの社長を��めた�Z本�m�d��が半導��新会社「サイノキングテクノロジー」を設立した、と2月22日の日本経済新聞が伝えた。これから開��される記�v会見の案内が19日にセミコンポータルにも届いていたため、これは、日経が会見�iに報じた記��といえる。 [→��きを読む]
WSTS（世�c半導���x場統��）が2015〜2017�Qの半導���x場の見通しについて、11月中旬に会議を開き、予�[を立て、このほど発表した。これによると2015�Qの世�c半導���x場は、5月時点での見通しの�i�Q比3.4%�\の3472億4800万ドルから下�巨T��し、0.2%�\の3363億9200万ドルになると予�[する。 [→��きを読む]
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