単価の高_でx場がPびなくなってきたDRAM

メモリバブルはいつまでくのか。NANDフラッシュは単価が下がってきており、攵盋も\えてきたため、x場が広がり成長へ向かっている。しかしDRAMはむしろビット成長が単価高_のために抑えられてきた。攵盋さえ屬れば成長路線に乗るが、その見込みはどうか。毫x場調h会社IC Insightsがビット成長について分析している。 [→きを読む]
メモリバブルはいつまでくのか。NANDフラッシュは単価が下がってきており、攵盋も\えてきたため、x場が広がり成長へ向かっている。しかしDRAMはむしろビット成長が単価高_のために抑えられてきた。攵盋さえ屬れば成長路線に乗るが、その見込みはどうか。毫x場調h会社IC Insightsがビット成長について分析している。 [→きを読む]
2017Qのスマートフォンの出荷数はしてマイナスではないが、成長率がわずか2.7%にとどまったものの、15億3654万と初めて15億を突破した。これは2月22日にGartnerが発表したもの。メモリをはじめとする電子の供給不Bと攵ξの限cによるところもHかった。 [→きを読む]
半導メモリの価格がようやく平常時に戻りつつある。これまでは、バブルのように異常に単価が値屬りけていた。DRAMはいまだに値屬りけているが、NANDフラッシュメモリのスポット価格が3ヵ月iに比べ1割Wi後の価格で推,靴討い襦△2月18日の日本経済新聞が伝えた。 [→きを読む]
Samsung Electronicsがクルマ256 GB@組み込みフラッシュストレージ(eUFS)の量を開始した。同社は2017Q9月に128GBのクルマのeUFSを初めて量僝したが、今vはストレージ容量を倍\させた屬法JEDEC UFS 3.0Y格に拠したもの。 [→きを読む]
Micron Technologyは64層の3D-NANDフラッシュメモリを搭載したSSD「Crucial MX500」を発売した。ストレージ容量は250GBから2TBまで4|類(図1)。Micronの3D-NANDはIntelと共同開発した、浮^ゲート型のメモリセル構]をeつ。東やSamsungがMNOS構]を採したのとは款氾。SSDとしての工夫もHい。 [→きを読む]
2017Qの世c半導売幢YはiQ比22.2%\の4197億ドル(46兆5867億)となった、と毫x場調h会社のGartnerが発表した。トップはメモリバブルで{いたSamsungで、52.6%\の612億1500万ドル。1992Q以来1位の座にいたIntelは577億1200万ドルで2位に陥落した。メモリ企業のPびが著しい。トップ10位以内では唯kNXPだけがマイナス成長となった。 [→きを読む]
中国の半導は、メモリとファウンドリ、そしてファブレスが主になりそうだ。これはSEMICONジャパン2017でのセミナーで中国x場を調hしたSEMI湾のClark Trengがしたもの。メモリはDRAMと3D-NANDフラッシュが主となる。中国地場企業だけではなく外国企業の投@による設投@も\加している。 [→きを読む]
DRAM価格が再び峺に向かった。12月5日の日経は1週間iに比べ1%下落したと報じたが、12月のj口価格は11月と比べ1〜3%屬ったと16日の日経が報じた。iPhone Xの好調によりDRAM要が咾泙辰討い襦iPhone Xを攵しているVL@密工業の11月の売幢Yはi月比9.3%と好調さがそれを裏けている。東とウェスタンデジタル(WD)はようやく元のさやに納まりそうだ。 [→きを読む]
2017Q4四半期のDRAM販売Yは、64%\の210億6100万ドルとなりそうだ、と毫x場調h会社IC Insightsが発表した(図1)。2017Qを通してiQ比は74%になる。やはり2017Qの半導x場はメモリバブルと言えそうだ。この4四半期の211億ドルは四半期ベースでも今Q最高Y。 [→きを読む]
今日の隆rをけん引しているDRAMの3四半期における世cの売幢Yがi四半期比16.2%\という驚異的なPびを依として見せている。DRAMの契約価格も同5%\であるため、今は攵盋もPびて来たことから売り屬音\にjきく貢献しているが、攵盋がPびてもまだ要が旺rだということになる。 [→きを読む]
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