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中国初の新型NORフラッシュメモリで組み込みUを狙う

中国初の新型NORフラッシュメモリで組み込みUを狙う

中国に新しいメモリベンチャーが登場した。China Flash(中W弘宇集成電路)と}ばれるファブレスだ。]はファウンドリに依頼する。今からx場に入る以、長が要だが、これまでの中国のメモリメーカーとはく違う。後述するが、新開発の独Oメモリ\術をeち、元IntelのStefan Lai(図1)がCTOとなっている企業だ。 [→きを読む]

3D-Xpointメモリの位づけをMicronが確に

3D-Xpointメモリの位づけをMicronが確に

NANDフラッシュとDRAM、ストレージクラスメモリの他にも今後10Qに渡り、コンピュータおよびAIシステムを構成するメモリ階層の構[をMicron Technologyが]ち出した。ストレージクラスメモリとしての3D-Xpointメモリだけではなく、NVDIMM、TLCとQLCの役割分担なども確にした。 [→きを読む]

QLCを使いこなしたフラッシュアレイのPure Storage社

QLCを使いこなしたフラッシュアレイのPure Storage社

NANDフラッシュアレイやソフトウエアをビジネスとしているPure Storage社がQLC(4ビット/セル)擬阿離侫薀奪轡絅瓮皀蠅鮑涼したを発表、ストレージクラスメモリをキャッシュとしているI肢も提した「All Flash Arrayを発して10Q経った」と述べる同社戦S靆VPのMatt Kixmoellerがこのほど最新X況を紹介した。 [→きを読む]

キオクシアでの`出始まる、データセンター要もv復で好スタート

キオクシアでの`出始まる、データセンター要もv復で好スタート

東メモリが10月1日から「キオクシア(KIOXIA)」と社@を変した。先週は、その直iの9月30日に、Western Digitalの\術&戦S担当プレジデントのSiva Sivaramとのインタビュー記や、四日x工場への投@画などの記、HDDのディスクを攵する昭和電工の記などSSDとHDDの記が、新撻オクシアを後押ししている。 [→きを読む]

EUVレジストのf国への輸出を経愱が可した背景

EUVレジストのf国への輸出を経愱が可した背景

日f易Coがくすぶる中、経済噞省は、半導材料のk陲瑠f国向け輸出を可した、と8月9日の日本経済新聞が報じた。この背景は後述するようにサプライチェーンのグローバル化がjきく、半導を舞にした易Coは無T味になりつつある。別のBだが、東メモリがストレージクラスメモリを開発したと発表した。 [→きを読む]

DRAMの値下がりはQ3でも10〜15%マイナスがく

DRAMの値下がりはQ3でも10〜15%マイナスがく

DRAM単価の値下がりがVまらない。半導x場調h会社のTrendForceはこの3四半期(7〜9月)のモバイルDRAMは単、eMCP(Embedded Multi-Chip Package)/ µMCPも含め、10〜15%値下がりしそうだと発表した。半導x場がv復の兆しを見せてきた中で、DRAMだけがv復がれそうだ。 [→きを読む]

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