中国漢のYMTCが128層の1.33Tビットの3D-NANDフラッシュを開発

中国のNANDフラッシュメモリメーカーYMTCが1.33TビットのNANDフラッシュを開発した。128層のこのメモリ「X2-6070」は、SSD向けでコントローラICパートナーとのコラボにより、SSD動作を確認した。QLC(4ビット/セル)構成になっている。 [→きを読む]
中国のNANDフラッシュメモリメーカーYMTCが1.33TビットのNANDフラッシュを開発した。128層のこのメモリ「X2-6070」は、SSD向けでコントローラICパートナーとのコラボにより、SSD動作を確認した。QLC(4ビット/セル)構成になっている。 [→きを読む]
Gartnerは2020Qの半導デバイスx場の予Rを新型コロナウイルス感の影xを含めて、iQ比0.9%の4154億ドルと見積もった。iv2月は3月で収Jとしていた予[を、今vは長くくとして見積もり直した。 [→きを読む]
半導メーカー5社が2019Qシリコンウェーハ攵ξの53%をめた。このようなT果をIC Insightsが発表した。Samsung、TSMC、Micron、SK Hynix、キオクシア/Western Digitalグループ、の5グループ(6社)である。メモリメーカー4グループ(5社)とファウンドリ1社がをj量に攵するためのξを高めている。 [→きを読む]
旧東メモリのキオクシアの社長がこれまでの成毛康dから早ZP夫に交することがまり、その1週間iにはSSDフォーラムを開するなどキオクシアが発に情報発信している。SSDフォーラム2020では最ZのSSDやNANDフラッシュの動をらかにし、NANDフラッシュメモリを5ビット/セルとして動作させることに成功したと発表した。 [→きを読む]
今Qの景気はKくないといわれているが、今や半導販売Yの3割にも達していたメモリの動向があるT味、景気の指数となってきた。このほどメモリのトップ3社であるSamsung、SK Hynix、Micron Technologyの最新Qレポートが揃った。f国2社はカレンダーQと同じ四半期(10~12月)だが、Micronは異なる四半期(9~11月)となっている。 [→きを読む]
2019Qの世cの半導x場は、iQ比11.9%の4183億ドルになったとGartnerが発表した(参考@料1)。岼10社の半導メーカーのトップはやはりIntelが返り咲いた(表1)。Samsungはメモリバブルがはじけ2位に落ちた。 [→きを読む]
中国に新しいメモリベンチャーが登場した。China Flash(中W弘宇集成電路)と}ばれるファブレスだ。]はファウンドリに依頼する。今からx場に入る以屐長が要だが、これまでの中国のメモリメーカーとはく違う。後述するが、新開発の独Oメモリ\術をeち、元IntelのStefan Lai(図1)がCTOとなっている企業だ。 [→きを読む]
NANDフラッシュとDRAM、ストレージクラスメモリの他にも今後10Qに渡り、コンピュータおよびAIシステムを構成するメモリ階層の構[をMicron Technologyが]ち出した。ストレージクラスメモリとしての3D-Xpointメモリだけではなく、NVDIMM、TLCとQLCの役割分担なども確にした。 [→きを読む]
NANDフラッシュアレイやソフトウエアをビジネスとしているPure Storage社がQLC(4ビット/セル)擬阿離侫薀奪轡絅瓮皀蠅鮑涼したを発表、ストレージクラスメモリをキャッシュとしているI肢も提した。「All Flash Arrayを発して10Q経った」と述べる同社戦S靆VPのMatt Kixmoellerがこのほど最新X況を紹介した。 [→きを読む]
Samsungは、12のDRAMアレイチップを積層し、TSV(Through Silicon Via)で接した24GBのHBMデバイスを開発、ハイエンドx場向けにまもなく量すると発表した。TSVで穴をあけた総数は6万個以屬肪するとしている。 [→きを読む]