クロックの惟ち懼がりと慣布でトリガ〖をかけるLPDDR∈Low Power Double Data Rate∷禱窖は、これまでDRAMの光廬步禱窖であった。これを光廬アクセスに蝗ったNORフラッシュメモリをInfineon Technologiesが倡券、サンプル叫操を倡幌した。晾いは賈很コンピュ〖タのリアルタイム瓢侯である。LPDDR4のDRAMと孺べ粕み叫しアクセス箕粗が10nsと5擒廬いという。 [ⅹ魯きを粕む]
6奉11泣から疊旁で倡號されるVLSI Symposiumのプログラムが瘋まった。抨蠱俠矢眶はこの10鉗粗で呵驢の359鳳、何買眶は123鳳、何買唯は34%となった。2017鉗から攙烯とプロセスが辦攣步したVLSI Sympoだが、2023鉗の鏈攣テ〖マは≈積魯材墻な踏丸のため、VLSIデバイス禱窖と攙烯禱窖を浩幌瓢∽である。FinFETの肌となるGAAやCFET、など糠トランジスタ禱窖や微燙排富禱窖などの悸劉禱窖が廈瑪になりそうだ。 [ⅹ魯きを粕む]
2022鉗の坤腸染瞥攣メ〖カ〖のランキング澄年猛を輝眷拇漢柴家のGartnerがこのほど券山した。これによると1疤Samsung、2疤Intelはこれまでと恃わらないが、3疤には漣鉗孺27.4%喇墓したQualcommが掐った。嫡にメモリメ〖カ〖は鏈てマイナス喇墓となった。メモリは絡翁欄緩ビジネスだけに攻稍斗の逼讀を動く減ける。 [ⅹ魯きを粕む]
Samsungが躥柜柒に海稿20鉗粗で300名ウォン∈腆31名邊∷を抨じ、糠たな染瞥攣欄緩供眷を肋惟すると山湯した。また、泣塑では躥柜との伏捌禍灌であった染瞥攣亨瘟3墑謄の廷叫瓷妄を此下すると沸貉緩度臼が券山した。また、話嫂排怠は閥塑のパワ〖染瞥攣供眷において1000帛邊を抨獲、SiCのための糠棚を氟肋する。Infineonが賈很マイコンでUMCと墓袋防腆した。 [ⅹ魯きを粕む]
勢Micron Technologyが1β nmプロセスノ〖ドで瀾隴した64GビットのDDR5x-DRAMのサンプル叫操を倡幌した。Micronが揭べる1β nmプロセスノ〖ドは、13nm笆布のプロセスノ〖ドだという。12×13nmとの斧數もある。リソグラフィパタ〖ニングの悸附には、閉炕マルチパタ〖ンニングを脫いており、EUVは脫いていない。瀾隴はまず澎弓噴供眷で乖う。 [ⅹ魯きを粕む]
キオクシアとWestern Digitalが鼎票で抨獲してきた煌泣輝供眷媽7瀾隴棚が窗喇、10奉26泣鼎票で階供及を乖った。另抨獲馳は腆1名邊。その柒、蠟紹からの毀辯、すなわち≈潑年光刨攫鼠奶慨禱窖寵脫システムの倡券丁惦第び瞥掐の樓渴に簇する恕圍∽による輸錦垛も蛤燒される徒年となっている。 [ⅹ魯きを粕む]
なぜか糠使では鼠蘋されなかったが、Micron Technologyの2022鉗刨媽4染袋∈6奉2泣×9奉1泣袋∷の瘋換では漣鉗票袋孺23%負の卿懼馳になり、肌の煌染袋斧奶しでは票45%負の42.5帛ドルと絡きく布がる斧奶しとなった∈哭1∷。メモリ稍斗に掐ったといえそうだ。Samsungは稍斗袋でも抨獲すると胳り、抨獲罷瓦はそれほど布がっていない。泣惟ハイテクは躥柜ˇ駱涎耙に凋爬を肋ける抨獲を乖う。 [ⅹ魯きを粕む]
キオクシアと票じ煌泣輝と頌懼の供眷に抨獲ˇ笨脫しているWestern Digitalは、肌の箕洛のコンピュ〖タシステムがCPUセントリックからデ〖タセントリックに恃わる、との千急を績した。それらはクラウドからネットワ〖クを沸てエッジやデバイスに魂るまで弓がっていくとした。デ〖タ欄喇翁は2026鉗には附哼の2擒の2ZB∈ゼッタバイト∷を畝える廓いで籠裁する∈哭1∷。 [ⅹ魯きを粕む]
Micron Technologyがこれまで呵驢のセル霖眶である232霖の3D-NANDフラッシュメモリを倡券∈哭1∷、それを烹很したCrucialブランドのSSDのサンプル叫操を嘎年ユ〖ザ〖羹けに幌めた∈徊雇獲瘟1∷。翁緩は2022鉗瑣になる斧哈みだ。232霖と3ビット/セル禱窖でNANDフラッシュは1Tビットのチップと2Tバイトのパッケ〖ジ推翁を悸附できるという。 [ⅹ魯きを粕む]
メモリに動い輝眷拇漢柴家TrendForceによると、木奪のNANDフラッシュメモリの卿懼馳ランキングではキオクシアは2疤を穢奸した∈徊雇獲瘟1∷。2022鉗媽1煌染袋におけるNANDフラッシュ輝眷鏈攣では、漣煌染袋孺3%負の179.2帛ドルとなったが、2疤のキオクシアは稍姐濕寒掐によるトラブルがあったのにもかかわらず、4.5%負にとどまった。 [ⅹ魯きを粕む]
