6月11日から�B都で開��(h┐o)されるVLSI Symposiumのプログラムが��まった。投�M�b文数はこの10�Q間で最�Hの359�P、採�I数は123�P、採�I率は34%となった。2017�Qから�v路とプロセスが�k��化したVLSI Sympoだが、2023�Qの����テーマは「�e��可�Δ別ね茲里燭瓠�VLSIデバイス�\術と�v路�\術を再始動」である。FinFETの次となるGAAやCFET、など新トランジスタ�\術や裏�C電源�\術などの実���\術が�B��になりそうだ。 [→��きを読む]
2022�Qの世�c半導��メーカーのランキング確定値を�x場調�h会社のGartnerがこのほど発表した。これによると1位Samsung、2位Intelはこれまでと変わらないが、3位には�i�Q比27.4%成長したQualcommが入った。逆にメモリメーカーは��てマイナス成長となった。メモリは�j(lu┛)量�攵�ビジネスだけに好不況の影�xを��(d┛ng)く�pける。 [→��きを読む]
Samsungが�f国内に今後20�Q間で300兆ウォン（約31兆��）を投じ、新たな半導���攵妌場を設立すると表��した。また、日本では�f国との懸案��項であった半導��材料3���`の輸出管理を緩和すると経済�噞省が発表した。また、��菱電機は�y本のパワー半導��工場において1000億��を投�@、SiCのための新棟を建設する。Infineonが�Z載マイコンでUMCと長期契約した。 [→��きを読む]
��(sh━)Micron Technologyが1β nmプロセスノードで���]した64GビットのDDR5x-DRAMのサンプル出荷を開始した。Micronが述べる1β nmプロセスノードは、13nm以下のプロセスノードだという。12〜13nmとの見��(sh┫)もある。リソグラフィパターニングの実現には、�]浸マルチパターンニングを��いており、EUVは��いていない。���]はまず東広��工場で行う。 [→��きを読む]
![キオクシアとWestern Digital、四日�x工場の��7���]棟が完成](/assets_c/900px/221027-kioxiawd.png "キオクシアとWestern Digital、四日�x工場の��7���]棟が完成")
キオクシアとWestern Digitalが共同で投�@してきた四日�x工場��7���]棟が完成、10月26日共同で�A工式を行った。総投�@�Yは約1兆��。その内、���Bからの�мq、すなわち「��定高度情報通信�\術����システムの開発供給及び導入の�膿覆亡悗垢詼���」による���\金も交��される予定となっている。 [→��きを読む]
なぜか新聞では報�Oされなかったが、Micron Technologyの2022�Q度��4半期（6月2日〜9月1日期）の���Qでは�i�Q同期比23%��(f┫)の売�幢Yになり、次の四半期見通しでは同45%��(f┫)の42.5億ドルと�j(lu┛)きく下がる見通しとなった（図1）。メモリ不況に入ったといえそうだ。Samsungは不況期でも投�@すると語り、投�@�T欲はそれほど下がっていない。日立ハイテクは�f国・��湾威に拠点を設ける投�@を行う。 [→��きを読む]
キオクシアと同じ四日�xと���屬旅�場に投�@・運��しているWestern Digitalは、次の時代のコンピュータシステムがCPUセントリックからデータセントリックに変わる、との認識を��(j┤)した。それらはクラウドからネットワークを経てエッジやデバイスに至るまで広がっていくとした。データ�收�量は2026�Qには現在の2倍の2ZB（ゼッタバイト）を��える勢いで�\加する（図1）。 [→��きを読む]
![Micronの232層NANDフラッシュは1Tビットの高集積+2.4GB/sの高�]化](/assets_c/900px/220729-micron232layers.png "Micronの232層NANDフラッシュは1Tビットの高集積+2.4GB/sの高�]化")
Micron Technologyがこれまで最�Hのセル層数である232層の3D-NANDフラッシュメモリを開発（図1）、それを搭載したCrucialブランドのSSDのサンプル出荷を限定ユーザー向けに始めた（参考�@料1）。量��は2022�Q��になる見込みだ。232層と3ビット/セル�\術でNANDフラッシュは1Tビットのチップと2Tバイトのパッケージ容量を実現できるという。 [→��きを読む]
メモリに��(d┛ng)い�x場調�h会社TrendForceによると、直�ZのNANDフラッシュメモリの売�幢Yランキングではキオクシアは2位を�x守した（参考�@料1）。2022�Q��1四半期におけるNANDフラッシュ�x場����では、�i四半期比3%��(f┫)の179.2億ドルとなったが、2位のキオクシアは不純�餾�入によるトラブルがあったのにもかかわらず、4.5%��(f┫)にとどまった。 [→��きを読む]
NANDフラッシュとDRAMは、2021�Qから2027�QまでにCAGR（�Q平均成長率）がそれぞれ6%、9%で成長、それぞれ960億ドル、1585億ドルに成長しそうだ。フランスの�x場調�h会社であるYole Developpementがこのような見通しを発表した。同社はメモリには組み込み��(sh┫)式を含めておらず、単独のメモリ����の�x場を?y┐n)��?j┫)としている。 [→��きを読む]
