2021�Qの世�c半導���x場は�i�Q比25.6%成長の5529億6100万ドル（約60兆��）になりそうだ、とWSTS（世�c半導���x場統��）が発表した。成長率の最も小さい日本�x場でさえ19.5%成長としている。2020�Qから�M��して成長し、ワクチン接�|で経済��動が再開したためとWSTSは見ている。この予�RはWSTS加盟�Q社の9月までの数�Cを元に作成された。 [→��きを読む]
2021�Q��2四半期におけるNANDフラッシュメモリのトップ6社ランキングが発表された。1位Samsung、2位キオクシアと変わらないが、SK HynixはMicronを昨�Qようやく�sいたかと思うとますます引き�`している。2QにおけるNAND����の�x場は�i�Q（参考�@料1）の144億6290万ドルから13.5%�\の164億1950万ドルとなった。 [→��きを読む]
7月��に�f国のSamsungとSK Hynix、��湾のTSMC、UMCなどの���Q発表があり、2021�Q��2四半期（4〜6月期）の半導��メーカーの売�幢Yや営業�W益などの数�Cが出そろった。これによると、この四半期では半導��トップに�\臨していたIntelが売�幢YでSamsungに�sかれたことがわかった。 [→��きを読む]
メモリがこれからのシステムの中心になる。こういった動きがGSA Memory+ Conferenceで登場した。これからのメモリを探る�屬妊瓮皀螢札訝���から、データセンターのようなシステムレベルでのメモリの高�]化、�j容量化につながるCXL（Compute Express Link）インターコネクト、3D-NANDに刺��された3D-NORへの�Oなど、新しいメモリの動きが��らかになりつつある。 [→��きを読む]
中国におけるAIチップのスタートアップが��出、フランスもAIチップを加�]する。昨今の半導��不�BはDRAMにも及ぶ。DRAMは今後、CPUやAIチップともセットで使われる。Samsungの�~単な売り�屬欧髪超半W益だけが発表され、6月30日のMicronの発表と��せ、再びDRAMはカルテル的な様相を見せ始めた。 [→��きを読む]
世�c的な半導��不�Bが報じられ、早くも�Q社が新工場の建設に動き出した。��湾の南亜科�\は��湾��の新���xにあるTaishan Nanlin Technology工業団地で、300mmウェーハのDRAM工場を新設すると発表した。ソニーセミコンダクタソリューションズは、長崎県に建設していた新工場の�n働を6月に始める。Intelはファウンドリ��業の�邵澹楜劼�50社いるとCEOのPat Gelsinger��が21�Q��1四半期���Q報告で述べた。 [→��きを読む]
先週ショッキングなニュースが流れた。Micron Technologyか、Western Digitalがキオクシアを�A収する可��性を検討していると、�盜餬从兩LWall Street Journalが報じた（参考�@料1）。このWSJの報�Oを�pけて、日本経済新聞（参考�@料2）や通信社ロイターや、ITビジネス流通�UメディアのCRN（参考�@料3）やビジネスニューステレビのCNBC（参考�@料4）、ダウジョーンズ発行のITビジネスメディアのBarron’sも報じた（参考�@料5）。 [→��きを読む]
![NANDフラッシュの世�cランキング、キオクシアは�j�]撃�pけるも2位を維�e](/assets_c/900px/210304-nandflash.png "NANDフラッシュの世�cランキング、キオクシアは�j�]撃�pけるも2位を維�e")
NANDフラッシュの主要企業の直�Z2020�Q��4四半期における売�幢Yランキングが発表された。NANDフラッシュ����の�x場は�i期比2.9%��の140億9900万ドルとやや�Pびが鈍化した（図1）。中国華為科�\への出荷が9月15日以�T停まったことに加え、在�U調�Dによる。��にキオクシアの�]撃が最も�jきく11.4%��となった。 [→��きを読む]
Micron Technologyが初めて1α(アルファ) nm（15nm以下とみられる）のプロセスで設��・���]したDRAMの量��を発表した。これまでDRAMプロセスでは、20nm以下の設��ルールを1x (19〜18)nm 、1Y nm (17〜16)、1z (16〜15) nm、と小刻みに刻んできた。今�vは1z nmよりも1段微細なプロセスで作ったということになる。 [→��きを読む]
チップ同士を�_ね合わせる3次元ICが本格化する。メモリメーカーのMicron Technologyが176層のNANDフラッシュを開発した�\術（参考�@料1）を��らかにした。実は88層のNANDフラッシュメモリセルを�_ね合わせて構成していた。 [→��きを読む]
