面柜、フランス、AIチップ/AI禱窖のスタ〖トアップに蝸爬
面柜におけるAIチップのスタ〖トアップが魯叫、フランスもAIチップを裁廬する。候海の染瞥攣稍顱はDRAMにも第ぶ。DRAMは海稿、CPUやAIチップともセットで蝗われる。Samsungの詞帽な卿り懼げと蹦度網弊だけが券山され、6奉30泣のMicronの券山と駛せ、浩びDRAMはカルテル弄な屯陵を斧せ幌めた。 [ⅹ魯きを粕む]
メモリ
染瞥攣稍顱に灤炳、糠供眷氟肋陵肌ぐ
坤腸弄な染瞥攣稍顱が鼠じられ、玲くも稱家が糠供眷の氟肋に瓢き叫した。駱涎の祁啊彩禱は駱涎頌の糠頌輝にあるTaishan Nanlin Technology供度媚孟で、300mmウェ〖ハのDRAM供眷を糠肋すると券山した。ソニ〖セミコンダクタソリュ〖ションズは、墓宏俯に氟肋していた糠供眷の蒼漂を6奉に幌める。Intelはファウンドリ禍度の勵哼杠狄が50家いるとCEOのPat Gelsinger會が21鉗媽1煌染袋瘋換鼠桂で揭べた。 [ⅹ魯きを粕む]
≈キオクシアをMicronかWestern Digitalが傾う∽鼠蘋を尸老する
黎降ショッキングなニュ〖スが萎れた。Micron Technologyか、Western Digitalがキオクシアを傾箭する材墻拉を浮皮していると、勢柜沸貉繪Wall Street Journalが鼠じた∈徊雇獲瘟1∷。このWSJの鼠蘋を減けて、泣塑沸貉糠使∈徊雇獲瘟2∷や奶慨家ロイタ〖や、ITビジネス萎奶廢メディアのCRN∈徊雇獲瘟3∷やビジネスニュ〖ステレビのCNBC∈徊雇獲瘟4∷、ダウジョ〖ンズ券乖のITビジネスメディアのBarron∏sも鼠じた∈徊雇獲瘟5∷。 [ⅹ魯きを粕む]
NANDフラッシュの坤腸ランキング、キオクシアは絡慮封減けるも2疤を拜積
NANDフラッシュの肩妥措度の木奪2020鉗媽4煌染袋における卿懼馳ランキングが券山された。NANDフラッシュ鏈攣の輝眷は漣袋孺2.9%負の140帛9900它ドルとやや凱びが七步した∈哭1∷。面柜糙百彩禱への叫操が9奉15泣笆慣匿まったことに裁え、哼桿拇臘による。潑にキオクシアの慮封が呵も絡きく11.4%負となった。 [ⅹ魯きを粕む]
Micron、1α nmプロセスのLPDDR4 DRAM瀾墑を嘎年ユ〖ザ〖にサンプル叫操
Micron Technologyが介めて1α(アルファ) nm∈15nm笆布とみられる∷のプロセスで肋紛ˇ瀾隴したDRAMの翁緩を券山した。これまでDRAMプロセスでは、20nm笆布の肋紛ル〖ルを1x (19×18)nm 、1Y nm (17×16)、1z (16×15) nm、と井癸みに癸んできた。海攙は1z nmよりも1檬腮嘿なプロセスで侯ったということになる。 [ⅹ魯きを粕む]
Micronが176霖NANDフラッシュの肋紛蛔鱗を湯らかに
チップ票晃を腳ね圭わせる3肌傅ICが塑呈步する。メモリメ〖カ〖のMicron Technologyが176霖のNANDフラッシュを倡券した禱窖∈徊雇獲瘟1∷を湯らかにした。悸は88霖のNANDフラッシュメモリセルを腳ね圭わせて菇喇していた。 [ⅹ魯きを粕む]
SK HynixがIntelの絡息供眷を崔むNANDフラッシュ禍度を90帛ドルで傾箭
躥柜のSK Hynixは、Intelが面柜の絡息供眷に積つNANDフラッシュとストレ〖ジ禍度を90帛ドルで傾箭すると券山した。NAND瀾墑とウェ〖ハプロセス禍度も崔む。SKにとって呵絡のライバルはSamsung。そのためにキオクシアにも獲塑徊裁してきた。Intelは、3D-Xpointメモリ瀾墑であるOptane瀾墑禍度に簇しては緘庶さない。 [ⅹ魯きを粕む]
Arm、動陵簇排灰メモリ漓嚏のIPベンダ〖をスピンオフ
ArmのメモリIP嬸嚏が迫惟、スピンオフしてCerfe Labsを肋惟した∈徊雇獲瘟1∷。Ce∈Correlated Electron∷RAMと鈣ぶ、動陵簇排灰廢の亨瘟を蝗った稍帶券拉RAMのメモリIPを捏丁する。これまでのArmと票屯、IPベンダ〖としてのビジネスを乖う。動陵簇排灰廢とは、排灰が帽迫で瓢侯するのではなく、排灰票晃が陵簇を瘦ちながら刁瓢する亨瘟。 [ⅹ魯きを粕む]
Samsung、EUVリソによる1z nmプロセスで16Gb DRAMを翁緩倡幌
Samsungは、EUVリソグラフィを蝗った1z nm∈15nm漣稿∷プロセスによるLPDDR5慌屯の16GビットDRAMの翁緩を倡幌したと券山した。DRAMはこれまでのコンピュ〖タ見妥に裁え、AIのニュ〖ラルネットワ〖クモデルの遍換にも澀ず蝗うため、海稿の見妥の袋略が絡きい。1パッケ〖ジに8綏のDRAMチップを腳ね、16GBを菇喇している∈哭1∷。 [ⅹ魯きを粕む]
AIメモリは、HBM2Eか、GDDR6か
AIチップと息瓢するメモリは、DRAMをスタックに姥み腳ねたHBM2Eか、それともGDDR6 SDRAMか、どちらが努しているのだろうか。その批えをRambusがこのほど湯らかにした∈哭1∷。極瓢笨啪のレベル3になると濕攣千急の遍換借妄でメモリバンド升は200GB/sを畝えるようになる。では、どのメモリを聯買すべきか。 [ⅹ魯きを粕む]
