�f国のSK Hynixは、Intelが中国の�j連工場に�eつNANDフラッシュとストレージ��業を90億ドルで�A収すると発表した。NAND����とウェーハプロセス��業も含む。SKにとって最�jのライバルはSamsung。そのためにキオクシアにも�@本参加してきた。Intelは、3D-Xpointメモリ����であるOptane������業に関しては�}放さない。 [→��きを読む]
ArmのメモリIP�靆腓�独立、スピンオフしてCerfe Labsを設立した（参考�@料1）。Ce（Correlated Electron）RAMと�}ぶ、�啻蟯愿纏��Uの材料を使った不ｧ発性RAMのメモリIPを提供する。これまでのArmと同様、IPベンダーとしてのビジネスを行う。�啻蟯愿纏��Uとは、電子が単独で動作するのではなく、電子同士が相関を保ちながら挙動する材料。 [→��きを読む]
Samsungは、EUVリソグラフィを使った1z nm（15nm�i後）プロセスによるLPDDR5仕様の16GビットDRAMの量��を開始したと発表した。DRAMはこれまでのコンピュータ��要に加え、AIのニューラルネットワークモデルの演�Qにも��ず使うため、今後の��要の期待が�jきい。1パッケージに8��のDRAMチップを�_ね、16GBを構成している（図1）。 [→��きを読む]
AIチップと連動するメモリは、DRAMをスタックに積み�_ねたHBM2Eか、それともGDDR6 SDRAMか、どちらが適しているのだろうか。その答えをRambusがこのほど��らかにした（図1）。�O動運転のレベル3になると����認識の演�Q処理でメモリバンド幅は200GB/sを��えるようになる。では、どのメモリを���Iすべきか。 [→��きを読む]
この1週間はニュースが�rりだくさんで、中国のDRAM��画、NTTとNECの通信提携、TSMC��Samsungレポート、そしてシリコンバレーのVCであるSequoia Capitalの日本進出、スーパーコンピュータ富�tの世�c�kなどがあった。これらのニュースの�j半に共通するのは�歟肬�易戦争との深い関係であることが読み�Dれる。 [→��きを読む]
中国のNANDフラッシュメモリメーカーYMTCが1.33TビットのNANDフラッシュを開発した。128層のこのメモリ「X2-6070」は、SSD向けでコントローラICパートナーとのコラボにより、SSD動作を確認した。QLC（4ビット/セル）構成になっている。 [→��きを読む]
Gartnerは2020�Qの半導��デバイス�x場の予�Rを新型コロナウイルス感��の影�xを含めて、�i�Q比0.9%��の4154億ドルと見積もった。�i�v2月は3月��で収�Jとしていた予�[を、今�vは長く��くとして見積もり直した。 [→��きを読む]
半導��メーカー5社が2019�Qシリコンウェーハ�攵��ξ�の53%を��めた。このような�T果をIC Insightsが発表した。Samsung、TSMC、Micron、SK Hynix、キオクシア/Western Digitalグループ、の5グループ（6社）である。メモリメーカー4グループ(5社)とファウンドリ1社が����を�j量に�攵�するための�ξ�を高めている。 [→��きを読む]
旧東��メモリのキオクシアの社長がこれまでの成毛康�d��から早�Z�P夫��に交��することが��まり、その1週間�iにはSSDフォーラムを開��するなどキオクシアが��発に情報発信している。SSDフォーラム2020では最�ZのSSDやNANDフラッシュの��動を��らかにし、NANDフラッシュメモリを5ビット/セルとして動作させることに成功したと発表した。 [→��きを読む]
今�Qの景気は�Kくないといわれているが、今や��半導��販売�Yの3割にも達していたメモリの動向がある�T味、景気の指数となってきた。このほどメモリのトップ3社であるSamsung、SK Hynix、Micron Technologyの最新���Qレポートが揃った。�f国2社はカレンダー�Qと同じ四半期(10~12月)だが、Micronは異なる四半期(9~11月)となっている。 [→��きを読む]
