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NANDフラッシュの世cランキング、キオクシアはj]撃pけるも2位を維e

NANDフラッシュの世cランキング、キオクシアはj]撃pけるも2位を維e

NANDフラッシュの主要企業の直Z2020Q4四半期における売幢Yランキングが発表された。NANDフラッシュのx場はi期比2.9%の140億9900万ドルとややPびが鈍化した(図1)。中国華為科\への出荷が9月15日以T停まったことに加え、在U調Dによる。にキオクシアの]撃が最もjきく11.4%となった。 [→きを読む]

Micron、1α nmプロセスのLPDDR4 DRAMを限定ユーザーにサンプル出荷

Micron、1α nmプロセスのLPDDR4 DRAMを限定ユーザーにサンプル出荷

Micron Technologyが初めて1α(アルファ) nm(15nm以下とみられる)のプロセスで設・]したDRAMの量を発表した。これまでDRAMプロセスでは、20nm以下の設ルールを1x (19〜18)nm 、1Y nm (17〜16)、1z (16〜15) nm、と小刻みに刻んできた。今vは1z nmよりも1段微細なプロセスで作ったということになる。 [→きを読む]

SK HynixがIntelのj連工場を含むNANDフラッシュ業を90億ドルでA収

SK HynixがIntelのj連工場を含むNANDフラッシュ業を90億ドルでA収

f国のSK Hynixは、Intelが中国のj連工場にeつNANDフラッシュとストレージ業を90億ドルでA収すると発表した。NANDとウェーハプロセス業も含む。SKにとって最jのライバルはSamsung。そのためにキオクシアにも@本参加してきた。Intelは、3D-XpointメモリであるOptane業に関しては}放さない。 [→きを読む]

Arm、啻蟯愿纏劵瓮皀蠕賁腓IPベンダーをスピンオフ

Arm、啻蟯愿纏劵瓮皀蠕賁腓IPベンダーをスピンオフ

ArmのメモリIP靆腓独立、スピンオフしてCerfe Labsを設立した(参考@料1)。Ce(Correlated Electron)RAMと}ぶ、啻蟯愿纏Uの材料を使った不ァ発性RAMのメモリIPを提供する。これまでのArmと同様、IPベンダーとしてのビジネスを行う。啻蟯愿纏Uとは、電子が単独で動作するのではなく、電子同士が相関を保ちながら挙動する材料。 [→きを読む]

Samsung、EUVリソによる1z nmプロセスで16Gb DRAMを量凮始

Samsung、EUVリソによる1z nmプロセスで16Gb DRAMを量凮始

Samsungは、EUVリソグラフィを使った1z nm(15nmi後)プロセスによるLPDDR5仕様の16GビットDRAMの量を開始したと発表した。DRAMはこれまでのコンピュータ要に加え、AIのニューラルネットワークモデルの演Qにもず使うため、今後の要の期待がjきい。1パッケージに8のDRAMチップを_ね、16GBを構成している(図1)。 [→きを読む]

AIメモリは、HBM2Eか、GDDR6か

AIメモリは、HBM2Eか、GDDR6か

AIチップと連動するメモリは、DRAMをスタックに積み_ねたHBM2Eか、それともGDDR6 SDRAMか、どちらが適しているのだろうか。その答えをRambusがこのほどらかにした(図1)。O動運転のレベル3になると認識の演Q処理でメモリバンド幅は200GB/sをえるようになる。では、どのメモリをIすべきか。 [→きを読む]

歟肝の流れが擇燹⊃靴靴ぅ咼献優

歟肝の流れが擇燹⊃靴靴ぅ咼献優

この1週間はニュースがrりだくさんで、中国のDRAM画、NTTとNECの通信提携、TSMCSamsungレポート、そしてシリコンバレーのVCであるSequoia Capitalの日本進出、スーパーコンピュータ富tの世ckなどがあった。これらのニュースのj半に共通するのは歟肬易戦争との深い関係であることが読みDれる。 [→きを読む]

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