半導不Bに官、新工場建設相次ぐ

世c的な半導不Bが報じられ、早くもQ社が新工場の建設に動き出した。湾の南亜科\は湾の新xにあるTaishan Nanlin Technology工業団地で、300mmウェーハのDRAM工場を新設すると発表した。ソニーセミコンダクタソリューションズは、長崎県に建設していた新工場のn働を6月に始める。Intelはファウンドリ業の邵澹楜劼50社いるとCEOのPat Gelsingerが21Q1四半期Q報告で述べた。 [→きを読む]
世c的な半導不Bが報じられ、早くもQ社が新工場の建設に動き出した。湾の南亜科\は湾の新xにあるTaishan Nanlin Technology工業団地で、300mmウェーハのDRAM工場を新設すると発表した。ソニーセミコンダクタソリューションズは、長崎県に建設していた新工場のn働を6月に始める。Intelはファウンドリ業の邵澹楜劼50社いるとCEOのPat Gelsingerが21Q1四半期Q報告で述べた。 [→きを読む]
先週ショッキングなニュースが流れた。Micron Technologyか、Western DigitalがキオクシアをA収する可性を検討していると、盜餬从兩LWall Street Journalが報じた(参考@料1)。このWSJの報Oをpけて、日本経済新聞(参考@料2)や通信社ロイターや、ITビジネス流通UメディアのCRN(参考@料3)やビジネスニューステレビのCNBC(参考@料4)、ダウジョーンズ発行のITビジネスメディアのBarron’sも報じた(参考@料5)。 [→きを読む]
NANDフラッシュの主要企業の直Z2020Q4四半期における売幢Yランキングが発表された。NANDフラッシュのx場はi期比2.9%の140億9900万ドルとややPびが鈍化した(図1)。中国華為科\への出荷が9月15日以T停まったことに加え、在U調Dによる。にキオクシアの]撃が最もjきく11.4%となった。 [→きを読む]
Micron Technologyが初めて1α(アルファ) nm(15nm以下とみられる)のプロセスで設・]したDRAMの量を発表した。これまでDRAMプロセスでは、20nm以下の設ルールを1x (19〜18)nm 、1Y nm (17〜16)、1z (16〜15) nm、と小刻みに刻んできた。今vは1z nmよりも1段微細なプロセスで作ったということになる。 [→きを読む]
チップ同士を_ね合わせる3次元ICが本格化する。メモリメーカーのMicron Technologyが176層のNANDフラッシュを開発した\術(参考@料1)をらかにした。実は88層のNANDフラッシュメモリセルを_ね合わせて構成していた。 [→きを読む]
f国のSK Hynixは、Intelが中国のj連工場にeつNANDフラッシュとストレージ業を90億ドルでA収すると発表した。NANDとウェーハプロセス業も含む。SKにとって最jのライバルはSamsung。そのためにキオクシアにも@本参加してきた。Intelは、3D-XpointメモリであるOptane業に関しては}放さない。 [→きを読む]
ArmのメモリIP靆腓独立、スピンオフしてCerfe Labsを設立した(参考@料1)。Ce(Correlated Electron)RAMと}ぶ、啻蟯愿纏Uの材料を使った不ァ発性RAMのメモリIPを提供する。これまでのArmと同様、IPベンダーとしてのビジネスを行う。啻蟯愿纏Uとは、電子が単独で動作するのではなく、電子同士が相関を保ちながら挙動する材料。 [→きを読む]
Samsungは、EUVリソグラフィを使った1z nm(15nmi後)プロセスによるLPDDR5仕様の16GビットDRAMの量を開始したと発表した。DRAMはこれまでのコンピュータ要に加え、AIのニューラルネットワークモデルの演Qにもず使うため、今後の要の期待がjきい。1パッケージに8のDRAMチップを_ね、16GBを構成している(図1)。 [→きを読む]
AIチップと連動するメモリは、DRAMをスタックに積み_ねたHBM2Eか、それともGDDR6 SDRAMか、どちらが適しているのだろうか。その答えをRambusがこのほどらかにした(図1)。O動運転のレベル3になると認識の演Q処理でメモリバンド幅は200GB/sをえるようになる。では、どのメモリをIすべきか。 [→きを読む]
この1週間はニュースがrりだくさんで、中国のDRAM画、NTTとNECの通信提携、TSMCSamsungレポート、そしてシリコンバレーのVCであるSequoia Capitalの日本進出、スーパーコンピュータ富tの世ckなどがあった。これらのニュースのj半に共通するのは歟肬易戦争との深い関係であることが読みDれる。 [→きを読む]