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EUVレジストのf国への輸出を経愱が可した背景

EUVレジストのf国への輸出を経愱が可した背景

日f易Co(h┫)がくすぶる中、経済噞省は、半導材料のk陲瑠f国向け輸出を可した、と8月9日の日本経済新聞が報じた。この背景は後述するようにサプライチェーンのグローバル化がj(lu┛)きく、半導を舞にした易Co(h┫)は無T味になりつつある。別のBだが、東メモリがストレージクラスメモリを開発したと発表した。 [→きを読む]

DRAMの値下がりはQ3でも10〜15%マイナスがく

DRAMの値下がりはQ3でも10〜15%マイナスがく

DRAM単価の値下がりがVまらない。半導x場調h会社のTrendForceはこの3四半期(7〜9月)のモバイルDRAMは単、eMCP(Embedded Multi-Chip Package)/ µMCPも含め、10〜15%値下がりしそうだと発表した。半導x場がv復の兆しを見せてきた中で、DRAMだけがv復がれそうだ。 [→きを読む]

東メモリがキオクシアに社@変(g┛u)、半導景気が峺き始める

東メモリがキオクシアに社@変(g┛u)、半導景気が峺き始める

東メモリが2019Q10月1日に社@を「キオクシア株式会社」と変える、と発表した。業会社の東メモリグループを統括するeち株会社の東メモリホールディング株式会社はキオクシアホールディングス株式会社に変(g┛u)する。また、半導噞が峺き始めたというシグナルが出始めてきた。 [→きを読む]

Western Digitalがクルマのストレージx場にj(lu┛)きなO信

Western Digitalがクルマのストレージx場にj(lu┛)きなO信

東の四日x工場でコラボレーションしているWestern DigitalがNANDフラッシュのクルマ応にを入れている。昨Qのクルマ関係のt会でも、a(b┳)度格を満たす信頼性試xデータなどをo開してきた。WDがなぜ3D-NAND(sh┫)式でもZ載に使えるメモリを実現できたのか、その理y(t┓ng)を同社Automotive & Connected Solution靆マーケティングマネージャーのRussell Ruben(図1)がらかにした。 [→きを読む]

MRAMはマイコンやプロセッサへの集積化で低消J電の威を発ァ

MRAMはマイコンやプロセッサへの集積化で低消J電の威を発ァ

東j(lu┛)学CIES主のテクノロジーフォーラム(図1)が今Qも開され、STT-MRAM\術の位づけがより確になってきた。マイコンやロジックへの組み込みメモリ(RAM)としての位づけである。ReRAMやPCRAMのような書き換えv数にU(ku┛)限のあるデバイスは、不ァ発性メモリROMにZい使い(sh┫)に里泙襦 [→きを読む]

2018Q4四半期におけるNANDフラッシュ販売Yはj(lu┛)きくマイナス

2018Q4四半期におけるNANDフラッシュ販売Yはj(lu┛)きくマイナス

DRAM価格の下落に刺されて、NANDフラッシュの価格もj(lu┛)きく下がってきた。2018QのはじめからNANDフラッシュ価格は少しずつ下がってきたが、この2018Q4四半期はi四半期比16.8%(f┫)という販売Yであった。これは湾Uのx場調h会社TrendForceが発表したものだが、NANDQ社の販売Yは下がってきており、にSamsungは同28.9%も下げた。 [→きを読む]

DRAM価格は2019Q1四半期にi期比20%(f┫)へ

DRAM価格は2019Q1四半期にi期比20%(f┫)へ

今Qに入り、これまで単価の値屬りによって営業W(w┌ng)益率が60%〜70%という「儲けすぎ」をpしてきたDRAMメーカーは、この1四半期(1〜3月)i四半期比20%(f┫)というj(lu┛)幅な値下げを経xしそうだ。これはメモリx場をウォッチしてきたx場調h会社のTrendForceのk靆腓任△DRAMeXchangeが見通しを述べたもの(参考@料1)。 [→きを読む]

2018Q世c半導]のトップはやはりApplied

2018Q世c半導]のトップはやはりApplied

2018Qの世c最j(lu┛)の半導]サプライヤはやはり、Applied Materials社になりそうだ(表1)。これは、1月6〜9日にSEMI主のISS(Industry Strategy Symposium)がカリフォルニアΕ蓮璽侫燹璽鵐戰い燃され、その場でVLSI Researchのアナリスト、Andrea Latiが発表したもの。 [→きを読む]

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