EUVレジストの�f国への輸出を経�愱が��可した背景
日�f��易�C�o(h┫)がくすぶる中、経済�噞省は、半導��材料の�k�陲瑠f国向け輸出を��可した、と8月9日の日本経済新聞が報じた。この背景は後述するようにサプライチェーンのグローバル化が�j(lu┛)きく、半導��を舞��にした��易�C�o(h┫)は無�T味になりつつある。別の�B��だが、東��メモリがストレージクラスメモリを開発したと発表した。
日経によれば、「��可したのは半導��の�v路形成などに使うレジスト（感光材）で、信越化学工業の����とみられる」としている。EUVレジストが半導��材料の輸出�U(ku┛)限を�pけた���`の�kつだが、信越化学のレジストが��可されたのはなぜだろうか。世耕弘成経�旔は「�f国���Bから『禁輸措��』との批判があり、例外的に�o表した」と8日の�V議後の記�v会見で述べた、と日経は報じている。
�f国から禁輸だと言われたから、そうではないことを��すために今�vレジストを��可したという。ところがEUVレジストのサプライチェーンを見れば、別の見��(sh┫)が見えてくる。微細化プロセス向けのレジストメーカーは、JSR、東�B応化工業、信越化学工業、住友化学工業、富士フィルム、そしてデュポンがいる。この内、JSRはベルギーIMECと合弁でEUVレジスト���]会社を�eち、欧�Δ�らSamsungへ供給できる。また東�B応化は�f国内にレジスト工場を�eちSamsungに供給していることから�\��すれば済む。そして、日本の工場しかない信越化学が日本からの輸出となる。
こういったサプライチェーンの�X況では、日本からの輸出�}��きが��れて不�W(w┌ng)を被るのは信越化学と住友化学、富士フイルムといったメーカーであり、レジストで�j(lu┛)�}のJSRと東�B応化は輸出���U(ku┛)の影�xはあまりない。こういった日本企業の不�o平を是��するための今�vの措��ともいえないことはない。
フッ化水素は、森田化学工業とステラケミファなどが���]しているが、�f国メーカーも���]しているという情報はある。ただし、日本のメーカーの現地�攵�ではなさそうだ。9日の日経は森田化学の森田康夫社長とのインタビュー記��を掲載しており、同社長は「当社の2018�Q6月期の売�峭�117億��のうち、�f国向けの半導����高純度フッ化水素は3割��(d┛ng)の約40億��だ。1カ月の輸出停�Vは単純に３億��分に相当する。�f国向けの高純度フッ化水素の日本企業のシェアは約60%だが、今�vの�Pで日本企業のシェアが低下しかねない」と述べており、今�vの��易�C�o(h┫)で�e(cu┛)機感を募らせている。
さらに同社長は、中国の浙江省に設立した、森田化学と中国�笋箸旅臺杞�場で高純度フッ化水素の�攵�を立ち�屬欧襪箸靴討�り、中国から�f国へ高純度フッ化水素を供給できる���U(ku┛)を作るとしている。同社はもともと2�Q�iから、半導��の�攵�が�f国から中国へシフトすると見込んで合弁工場を設立した。日本からの輸出を���U(ku┛)すると、日本の工場が外国へ?c│i)‥召�、グローバルなサプライチェーンを確立することで、�c間企業は国の���U(ku┛)に�眼^しようとしている。
トランプ�j(lu┛)統�襪皺攬戮�ZTEとの��易�C�o(h┫)によって�盜餞覿箸��aつくことをようやく理解したことで、��易�C�o(h┫)は緩まってきつつある。日本の�yが関と���Bが半導��ではグローバルなサプライチェーンができていることを理解すれば、���E問��を通商問��に転化することなく、����すべき課��であることに気がつくのは時間の問��ならよいが。
先週は東��メモリが3D-NANDフラッシュをSLC（1ビット/セル）��(sh┫)式にして、読み出しの高�]化を図ったストレージクラスメモリ（SCM）を開発したと発表した。詳細は不��だが、96層の3D-NAND構�]を使いながら、�駘�プレーンを16��設け、それらを並�`動作することで高�]化しているらしい。これまでの�J�TのTLC（3ビット/セル）��(sh┫)式の3D-NANDと比べ、読み出し�]度が10倍�]い5&micrp;sのレイテンシとなり、SCMと位����けた。SCMはDRAMとNANDストレージとの中間の�]度に位��するメモリ、とIBMが定�Iしたが、IntelはSCMとは言わずパーシステントメモリと�}んでいる。
ただし、東��のSCMがストレージデバイスとは異なり、絶えず読み書きを行うRAM動作をさせて�]いかどうかについては��らかにしていない。Intelのパーシステントメモリ（3D-Xpointメモリ）は書き込み�]度も�]いRAM動作を使う場合と、ストレージとして使う場合の2つの場合を�[定して、高�]のストレージメモリとパーシステントメモリという2レベルのメモリと位����けている。今�vのメモリの動作はどの位��にくるのかはまだ��らかではない。
