記�{容量を倍�\した新HDD�\術をSeagateが開発
HDD（ハードディスク����）の記�{密度向�屬蓮⌒k段違うレベルに達した。Seagate Technologyが開発したHAMR（�X���\�擬Уさ��{：ハマーと発音）は、実際の����に適��されたもので、これまでは提案�Vまりだった。今�vの新�\術は、ディスク�笋流�格子構�]と、読み�Dり/書き込み�笋領婿劵▲鵐謄福△箸いζ罎瓩い晋撰�がキーワードだ。 [→��きを読む]
メモリ
DIMMよ、さらば、Micronが新型メモリモジュールLPCAMM2をサンプル出荷
いよいよメモリモジュールで性�Δ箴嫡J電��が���]される時代がやってきた。長い間、�Y��となってきた、ソケットに�Uし込むタイプのDIMM（Dual Inline Memory Module）やSO（Small Outline）DIMMの交��時期に差し�Xかる。これからのAIパソコンやさらなる高性�Αδ秕嫡J電��が要求されるコンピュータ向けに押さえつける接���擬阿�CAMM（Compression Attached Memory Module）をMicronがサンプル出荷した。 [→��きを読む]
キオクシア、WDとの統合ならず、SBI/PSMC、デンソーなど半導��投�@は��発に
キオクシアホールディングスとWestern Digitalとの統合交渉が��挫した、と10月27日の日本経済新聞が報じた。SBIホールディングスと��湾のファウンドリPSMC（Powerchip Semiconductor Manufacturing Co., Ltd）が日本に半導��工場を設立することで合�Tしていたが、宮城県に作る�疑砲鯢wめた、と28日の日経が報じた。デンソーは2030�Qまでに5000億��を投�@、ソシオネクストは3nmプロセス向け設��を�}�Xける。 [→��きを読む]
Samsung、32Gビット DRAM開発で、実�∨，�12nm級と表現
Samsung Electronicsが12nm級の微細化�\術を使って32GビットDDR5 DRAMを開発した。実�∨，�12nmという表現を半導��メーカーがしたことはこれが初めて。これまでメモリメーカーは20nm以下のプロセスを1x nm、1y nm、1z nm、1α nm、1β nm、1γ nm、と1〜2nmずつ刻んできた。ロジックメーカーは、14/16nmプロセスから10nm、7nm、5nm、4nm、3nmと�}んできたが、実�∨，�14〜13nmで�Vまったままだ。 [→��きを読む]
共鳴トンネリングを�W��する新不ｧ発性RAMで英ベンチャーが最優秀賞を�p賞
フラッシュメモリの国際会議であるFlash Memory Summit 2023において、Most Innovative Flash Memory startup�靆腓悩罵ソ┥泙魃儿颪離好拭璽肇▲奪�Quinas Technologyが�p賞した（図1）。この新型メモリは量子��学的な井戸型ポテンシャルの共鳴トンネル現��を�W��して電荷を出し入れする�擬阿離妊丱ぅ后�Quinasは英ランカスター�j学の発��を��業化する企業。 [→��きを読む]
インドでの半導��集積基地が現実的に
デリスキング（De-risking：脱中国）への動きから、インドに半導��集積基地を作ろうとするインド���Bの�}びかけに���箴o国が応じている。インド���Bは日�殤�携の覚書を交わした。�盜颪�Applied MaterialsやLam Research、Micronなどが早�]インドへの投�@を�啣修垢襦�ディスコもインド拠点を検討する考えを��し、�V�L�@密工業がApplied Materialsと組んで半導�����]����をインドで作る。 [→��きを読む]
メモリは2023�Q��2四半期も悲惨だが、光��も見えた
Samsung、SK Hynixの2023�Q��2四半期（2Q）���Qが発表になった。それぞれ営業��益は、4兆3600億ウォン、2兆8820億ウォンの�j幅な���Cとなった。メモリはファウンドリと比べるとキズは深い。逆に好調なときはファウンドリより�W益が�jきい。また�Zい��来、SEMICON Indiaが開��されそうになってきた。その���△�進んでいる。 [→��きを読む]
未来�Z載コンピュータ向けLPDDRのNORフラッシュ、Infineonがサンプル出荷
クロックの立ち�屬�りと�T下でトリガーをかけるLPDDR（Low Power Double Data Rate）�\術は、これまでDRAMの高�]化�\術であった。これを高�]アクセスに使ったNORフラッシュメモリをInfineon Technologiesが開発、サンプル出荷を開始した。狙いは�Z載コンピュータのリアルタイム動作である。LPDDR4のDRAMと比べ読み出しアクセス時間が10nsと5倍�]いという。 [→��きを読む]
先端トランジスタ、先端パッケージングが��出する2023 VLSI Sympo
6月11日から�B都で開��されるVLSI Symposiumのプログラムが��まった。投�M�b文数はこの10�Q間で最�Hの359�P、採�I数は123�P、採�I率は34%となった。2017�Qから�v路とプロセスが�k��化したVLSI Sympoだが、2023�Qの����テーマは「�e��可�Δ別ね茲里燭瓠�VLSIデバイス�\術と�v路�\術を再始動」である。FinFETの次となるGAAやCFET、など新トランジスタ�\術や裏�C電源�\術などの実���\術が�B��になりそうだ。 [→��きを読む]
Gartner、世�c半導��メーカーの2022�Q確定値ランキングを発表
2022�Qの世�c半導��メーカーのランキング確定値を�x場調�h会社のGartnerがこのほど発表した。これによると1位Samsung、2位Intelはこれまでと変わらないが、3位には�i�Q比27.4%成長したQualcommが入った。逆にメモリメーカーは��てマイナス成長となった。メモリは�j量�攵�ビジネスだけに好不況の影�xを�咾��pける。 [→��きを読む]
