Micron、Samsungが3D-IC�\術を使ったDRAMメモリであるHBM3Eを相次いで����化した（図1）。HBMメモリは�j(lu┛)容量のメモリを�k度に�j(lu┛)量に並�`読み出しできるデバイスであり、AIチップやSoCプロセッサと�k緒に使われる。SK hynixがこれまでHBM1や2、3のメモリ����に��を入れてきたが、コストがかかるため他社はあまり��を入れてこなかった。 [→��きを読む]
先週、2023�Q��4四半期（4Q）におけるSamsungの���Q発表があり、SK hynixと共にメモリトップ2社の4Q業績が��らかになった。これによるとSamsungのDRAMはすでに���Cに転換したと述べ、NANDフラッシュはまだ���Cのままのようだ。DRAMはAIチップとセットで使われるため、�收�AI向けに��要の�v復が早い。NANDの�v復は��れているようだ。 [→��きを読む]
HDD（ハードディスク����）の記�{密度向�屬蓮⌒k段違うレベルに達した。Seagate Technologyが開発したHAMR（�X���\��(sh┫)磁気記�{：ハマーと発音）は、実際の����に適��されたもので、これまでは提案�Vまりだった。今�vの新�\術は、ディスク�笋流�格子構�]と、読み�Dり/書き込み�笋領婿劵▲鵐謄福△箸いζ罎瓩い晋撰�がキーワードだ。 [→��きを読む]
いよいよメモリモジュールで性�Δ箴嫡J電��が���]される時代がやってきた。長い間、�Y��となってきた、ソケットに�Uし込むタイプのDIMM（Dual Inline Memory Module）やSO（Small Outline）DIMMの交��時期に差し�Xかる。これからのAIパソコンやさらなる高性�Αδ秕嫡J電��が要求されるコンピュータ向けに押さえつける接����(sh┫)式のCAMM（Compression Attached Memory Module）をMicronがサンプル出荷した。 [→��きを読む]
キオクシアホールディングスとWestern Digitalとの統合交渉が��挫した、と10月27日の日本経済新聞が報じた。SBIホールディングスと��湾のファウンドリP(gu─n)SMC（Powerchip Semiconductor Manufacturing Co., Ltd）が日本に半導��工場を設立することで合�Tしていたが、宮城県に作る��(sh┫)針を�wめた、と28日の日経が報じた。デンソーは2030�Qまでに5000億��を投�@、ソシオネクストは3nmプロセス向け設��を�}�Xける。 [→��きを読む]
Samsung Electronicsが12nm級の微細化�\術を使って32GビットDDR5 DRAMを開発した。実�∨，�12nmという表現を半導��メーカーがしたことはこれが初めて。これまでメモリメーカーは20nm以下のプロセスを1x nm、1y nm、1z nm、1α nm、1β nm、1γ nm、と1〜2nmずつ刻んできた。ロジックメーカーは、14/16nmプロセスから10nm、7nm、5nm、4nm、3nmと�}んできたが、実�∨，�14〜13nmで�Vまったままだ。 [→��きを読む]
フラッシュメモリの国際会議であるFlash Memory Summit 2023において、Most Innovative Flash Memory startup�靆腓悩罵ソ┥泙魃儿颪離好拭璽肇▲奪�Quinas Technologyが�p賞した（図1）。この新型メモリは量子��学的な井戸型ポテンシャルの共鳴トンネル現��(j┫)を�W(w┌ng)��して電荷を出し入れする��(sh┫)式のデバイス。Quinasは英ランカスター�j(lu┛)学の発��を��業化する企業。 [→��きを読む]
デリスキング（De-risking：脱中国）への動きから、インドに半導��集積基地を作ろうとするインド���Bの�}びかけに���箴o国が応じている。インド���Bは日�殤�携の覚書を交わした。�盜颪�Applied MaterialsやLam Research、Micronなどが早�]インドへの投�@を�啣修垢襦�ディスコもインド拠点を検討する考えを��し、�V�L�@密工業がApplied Materialsと組んで半導�����]����をインドで作る。 [→��きを読む]
Samsung、SK Hynixの2023�Q��2四半期（2Q）���Qが発表になった。それぞれ営業��益は、4兆3600億ウォン、2兆8820億ウォンの�j(lu┛)幅な���Cとなった。メモリはファウンドリと比べるとキズは深い。逆に好調なときはファウンドリより�W(w┌ng)益が�j(lu┛)きい。また�Zい��(j┤ng)来、SEMICON Indiaが開��されそうになってきた。その���△�進んでいる。 [→��きを読む]
クロックの立ち�屬�りと�T下でトリガーをかけるLPDDR（Low Power Double Data Rate）�\術は、これまでDRAMの高�]化�\術であった。これを高�]アクセスに使ったNORフラッシュメモリをInfineon Technologiesが開発、サンプル出荷を開始した。狙いは�Z載コンピュータのリアルタイム動作である。LPDDR4のDRAMと比べ読み出しアクセス時間が10nsと5倍�]いという。 [→��きを読む]
