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キオクシア、ソニー、TELのQ報告から読みDれるもの

キオクシア、ソニー、TELのQ報告から読みDれるもの

おV休みに入るiの先週、キオクシアやソニーセミコンダクタソリューションズ、東Bエレクトロン(TEL)などの2024Q2四半期(4〜6月期)のQが発表された。それによれば、半導メーカー2社は順調なv復を見せ、TELは中国比率が約50%にまで高まっていた。半導の要は少しずつv復しているが、要のv復はややい。 [→きを読む]

Intel、SamsungがQ々Lunar Lake、メモリで期待するAIパソコンx場

Intel、SamsungがQ々Lunar Lake、メモリで期待するAIパソコンx場

先週、IntelおよびSamsungの2024Q度2四半期(4〜6月期)のQがそれぞれ発表された。Intelは、売幢Yがi四半期、iQ四半期とほぼ同じ128億ドルだったが、営業W益はほぼゼロというT果であった。Samsungの半導靆腓稜幢Yは、iQ同期比ほぼ2倍、i期比でも23%\の28兆5600億ウォン(1ウォン=0.00073ドル)で、営業W益は6.45兆ウォンだった。 [→きを読む]

メモリビジネスは好調に、噞向けメモリはまだ不調く

メモリビジネスは好調に、噞向けメモリはまだ不調く

メモリビジネスは好調、噞向けメモリビジネスはまだ不調。このようなビジネスX況が浮かび屬った。2024Q2四半期(4〜6月期)におけるメモリのf国SK hynixの売幢Yは、iQ同期比(YoY)2.25倍の16兆4230億ウォン(1ウォン=0.11)と好調だったのに瓦靴、マイコンとSoC、アナログのルネサスエレクトロニクスの売幢Yは同2.7%の3588億となった。 [→きを読む]

テキサスΔ半導噞に14億ドル\、メモリはHBM争に

テキサスΔ半導噞に14億ドル\、メモリはHBM争に

盜颪離謄サスΔ半導噞に14億ドル(約2300億)を\すると7月6日の日本経済新聞が報じた。Samsung電子は2024Q4~6月期の営業W益が10兆4000億ウォン(約1兆2100億)だったと発表した。メモリx況はv復しつつあり、SK Hynixは2028Qまでの5Q間に12兆を投@すると発表、キオクシアも新\術開発により2Tビットをサンプル出荷した。 [→きを読む]

HBMの成功の次はNANDフラッシュへ、と成長へT気込むSK hynix

HBMの成功の次はNANDフラッシュへ、と成長へT気込むSK hynix

SK hynixは、次世代スマートフォン向けのストレージとなるNANDフラッシュの新格Zoned UFS(あるいはZUFS 4.0)を開発した。エッジAI向けのストレージとして、2024Q3四半期に量する画である。経時劣化を改良し命は40%長くなるという。SK HynixはHBMの成功にき、NANDでもAI応メモリでの成長を狙う。 [→きを読む]

收AIやHPCx場に向け、HBMの争始まる

收AIやHPCx場に向け、HBMの争始まる

長いゴールデンウィークが開け、その間DRAMメーカーのHBM(High Bandwidth Memory)への開発が々発表された。これまで圧倒的にリードしてきたSK HynixにきSamsung、さらにMicron TechnologyなどがHBMをサンプル出荷している。2日にはファウンドリPSMCが新工場を湾に設立、半導噞はめのe勢を見せた。 [→きを読む]

Micron、232層でQLC(4ビット/セル)のNANDフラッシュSSDを量凮始

Micron、232層でQLC(4ビット/セル)のNANDフラッシュSSDを量凮始

Micron Technologyは、512GBから2TBまでの容量をeつ、クライエントSSD(半導ディスク)「Micron 2500 NMVe」のサンプル出荷を開始した。このSSDには232層でQLC(Quad Level Cell)をeつNANDフラッシュ(図1)を搭載している。また、このNANDフラッシュを搭載した企業向けストレージ顧客向けの「Crucial SSD」は量を開始した。 [→きを読む]

日相互協が今後の半導の鍵に〜2024Q湾半導デーから

日相互協が今後の半導の鍵に〜2024Q湾半導デーから

湾地震に遭われた機垢砲見舞い申し屬欧泙。 そのi日(4月2日)、東Bで「2024Q湾半導デー」が開された。湾のPSMC(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp.)は宮城県に日本のSBIと共同でファウンドリ工場を建設する予定であり、そのPSMCの会長兼CEOのFrank Huangがこのイベントで講演した。 [→きを読む]

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