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テキサスΔ半導噞に14億ドル\、メモリはHBM争に

テキサスΔ半導噞に14億ドル\、メモリはHBM争に

盜颪離謄サスΔ半導噞に14億ドル(約2300億)を\すると7月6日の日本経済新聞が報じた。Samsung電子は2024Q4~6月期の営業W益が10兆4000億ウォン(約1兆2100億)だったと発表した。メモリx況はv復しつつあり、SK Hynixは2028Qまでの5Q間に12兆を投@すると発表、キオクシアも新\術開発により2Tビットをサンプル出荷した。 [→きを読む]

HBMの成功の次はNANDフラッシュへ、と成長へT気込むSK hynix

HBMの成功の次はNANDフラッシュへ、と成長へT気込むSK hynix

SK hynixは、次世代スマートフォン向けのストレージとなるNANDフラッシュの新格Zoned UFS(あるいはZUFS 4.0)を開発した。エッジAI向けのストレージとして、2024Q3四半期に量する画である。経時劣化を改良し命は40%長くなるという。SK HynixはHBMの成功にき、NANDでもAI応メモリでの成長を狙う。 [→きを読む]

收AIやHPCx場に向け、HBMの争始まる

收AIやHPCx場に向け、HBMの争始まる

長いゴールデンウィークが開け、その間DRAMメーカーのHBM(High Bandwidth Memory)への開発が々発表された。これまで圧倒的にリードしてきたSK HynixにきSamsung、さらにMicron TechnologyなどがHBMをサンプル出荷している。2日にはファウンドリPSMCが新工場を湾に設立、半導噞はめのe勢を見せた。 [→きを読む]

Micron、232層でQLC(4ビット/セル)のNANDフラッシュSSDを量凮始

Micron、232層でQLC(4ビット/セル)のNANDフラッシュSSDを量凮始

Micron Technologyは、512GBから2TBまでの容量をeつ、クライエントSSD(半導ディスク)「Micron 2500 NMVe」のサンプル出荷を開始した。このSSDには232層でQLC(Quad Level Cell)をeつNANDフラッシュ(図1)を搭載している。また、このNANDフラッシュを搭載した企業向けストレージ顧客向けの「Crucial SSD」は量を開始した。 [→きを読む]

日相互協が今後の半導の鍵に〜2024Q湾半導デーから

日相互協が今後の半導の鍵に〜2024Q湾半導デーから

湾地震に遭われた機垢砲見舞い申し屬欧泙后 そのi日(4月2日)、東Bで「2024Q湾半導デー」が開された。湾のPSMC(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp.)は宮城県に日本のSBIと共同でファウンドリ工場を建設する予定であり、そのPSMCの会長兼CEOのFrank Huangがこのイベントで講演した。 [→きを読む]

AIチップセットとして使われるHBM3EのDRAMの化相次ぐ

AIチップセットとして使われるHBM3EのDRAMの化相次ぐ

Micron、Samsungが3D-IC\術を使ったDRAMメモリであるHBM3Eを相次いで化した(図1)。HBMメモリはj容量のメモリをk度にj量に並`読み出しできるデバイスであり、AIチップやSoCプロセッサとk緒に使われる。SK hynixがこれまでHBM1や2、3のメモリにを入れてきたが、コストがかかるため他社はあまりを入れてこなかった。 [→きを読む]

SamsungのDRAM、SK Hynix社が23Q4四半期にC化に転換

SamsungのDRAM、SK Hynix社が23Q4四半期にC化に転換

先週、2023Q4四半期(4Q)におけるSamsungのQ発表があり、SK hynixと共にメモリトップ2社の4Q業績がらかになった。これによるとSamsungのDRAMはすでにCに転換したと述べ、NANDフラッシュはまだCのままのようだ。DRAMはAIチップとセットで使われるため、收AI向けに要のv復が早い。NANDのv復はれているようだ。 [→きを読む]

記{容量を倍\した新HDD\術をSeagateが開発

記{容量を倍\した新HDD\術をSeagateが開発

HDD(ハードディスク)の記{密度向屬蓮⌒k段違うレベルに達した。Seagate Technologyが開発したHAMR(X\擬Уさ{:ハマーと発音)は、実際のに適されたもので、これまでは提案Vまりだった。今vの新\術は、ディスク笋流格子構]と、読みDり/書き込み笋領婿劵▲鵐謄福△箸いζ罎瓩い晋撰がキーワードだ。 [→きを読む]

DIMMよ、さらば、Micronが新型メモリモジュールLPCAMM2をサンプル出荷

DIMMよ、さらば、Micronが新型メモリモジュールLPCAMM2をサンプル出荷

いよいよメモリモジュールで性Δ箴嫡J電が]される時代がやってきた。長い間、Yとなってきた、ソケットにUし込むタイプのDIMM(Dual Inline Memory Module)やSO(Small Outline)DIMMの交時期に差しXかる。これからのAIパソコンやさらなる高性Αδ秕嫡J電が要求されるコンピュータ向けに押さえつける接擬阿CAMM(Compression Attached Memory Module)をMicronがサンプル出荷した。 [→きを読む]

キオクシア、WDとの統合ならず、SBI/PSMC、デンソーなど半導投@は発に

キオクシア、WDとの統合ならず、SBI/PSMC、デンソーなど半導投@は発に

キオクシアホールディングスとWestern Digitalとの統合交渉が挫した、と10月27日の日本経済新聞が報じた。SBIホールディングスと湾のファウンドリPSMC(Powerchip Semiconductor Manufacturing Co., Ltd)が日本に半導工場を設立することで合Tしていたが、宮城県に作る疑砲鯢wめた、と28日の日経が報じた。デンソーは2030Qまでに5000億を投@、ソシオネクストは3nmプロセス向け設を}Xける。 [→きを読む]

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