�f国Samsungは、4月30日に2024�Q度��1四半期（1Q：1〜3月期）の���Q発表を行い、半導���靆腓����Cに転じたと発表した。メモリ売�幢Yが�i�Q同期比96%�\の17.49兆ウォン（1ウォン=0.11��）、システムLSIやイメージセンサ、ファウンドリなど��メモリ�靆腓稜��幢Yは同15%��の5.65兆ウォンとなった。半導������では�i�Q同期比68%�\の23.14兆ウォンとなった。半導���靆腓留超筏�益は1.91兆ウォンの���Cとなり、1�Q以�����Cが��いてきた最後の�i期（2023�Q��4四半期）の���C2.18兆ウォンから脱出した。高�]DRAMのDDR5や�收�AI向けのストレージなどの��要が高まり単価の値�屬欧碪�いたことで���Cに転換できたとしている。

5月1日の日本経済新聞によると、今後HBMに��を入れていくという。「金在駿（キム・ジェジュン）副社長はHBMの供給�ξ�を24�Qは�i�Q比3倍以�屐△気蕕�25�Qは24�Q比2倍以�屬忙\やす��画を��かし、『�x場でのリーダーシップを高める』と�喞瓦靴拭�3月にはHBMを中心とする半導��の研�|開発拠点の�D�△�20兆ウォンを投じ、2〜3�Q以内に業�c��位になる�`�Yも掲げていた」と報じた。

��2四半期に�瓦垢觚�通しに関しては、�收�AIに関係する��要に�官�して、HBM3E 8Hと12Hの����を量��する��画だ。8H、12HはそれぞれDRAMダイを8��、12��積層した����を�T味している。またサーバ�x場では、1βnmプロセスによる32GビットのDDR5����も量�凮始する予定だとしている。また、パソコンやスマートフォン�x場の�v復が��れているようで、PC・スマホ向けよりもサーバとストレージ�x場向けに�攵�の割り当てを�\やしていくとしている。

Samsungの��メモリ�靆腓��錣垢襯侫．Ε鵐疋蟲�業の2Q見通しについて、�x場が少しずつ�v復してきているため2桁成長に達すると期待している。2nmの設��インフラの開発を完了し、4nmプロセス�\術を���△靴�3D-ICに応��し先端�\術で��争��を�屬欧襪箸靴討い襦ｃQ内には3nmプロセスでGAA（Gate All Around）トランジスタ�\術を量�橑��するとともに、AIやHPC（High Performance Computing）向けなどの高成長が期待される分野に向け2nm�\術を完成させていく、としている。

Samsungよりも�k�B先に���C化を達成していたSK hynixはSamsungの5日�iに���Q発表をしており、売�幢Yが�i�Q同期比144%�\の12.43兆ウォンと���\し、営業��益は同3.4兆ウォンの���Cから2.89兆ウォンの���Cに転換した。

図1　SK HynixのHBM3Eチップ　出�Z：SK Hynix

2Q見通しに関してDRAMは、�i期比で10数%の中ごろ�\の売り�屬音\を見込んでおり��に、HBM3E（図1）の出荷を�\やしていく。1βnmプロセスを使ったDRAMダイを使ったHBM3Eの量��を3月に開始した。さらにその次の����となるHBM4に関しては、TSMCと共同開発してHBB����のトップを維�eする考えだ。HynixはTSMCと合�Tしたことを4月19日に発表している（参考�@料1）。

NANDフラッシュメモリに関してNAND�x場は�i四半期比でほぼフラットで、企業向けSSDを�\やしていく。消�J�v向けNANDフラッシュは��要がはっきり見えるようになるまで在�Uを確保しておくとしている。

Micronは、2月26日のHBM3Eの量��を開始したことを発表したが、HBMだけではなくDDR5の128GBメモリモジュール（RDIMM）でも�收�AI向けのメモリとして供給すると5月1日に発表した（参考�@料2）。Micronの���Q月はカレンダー月ではないため財��発表はないが、�\術��を誇��した。DRAMダイとして量�桵の1βnmプロセスによる32GビットDRAMを�H数搭載した。この128GB DDR5 RDIMMは、TSVを使った����と比べ、集積度は45%�\、エネルギー効率は22%�\、レイテンシ（����）は16%�]縮したとしている。

5月2日には、��湾のファウンドリPSMCが、��中�xと新�艚xとの中間に位��する��栗県の銅�灰汽ぅ┘鵐好僉璽�に新工場を完成させセレモニーを行った（参考�@料3）。3000億��湾元（約1.2兆��）�咾鯏蟀@した300mmウェーハプロセス工場で、トライアル�攵�を開始した。ここで55nm、40nm、28nmプロセスの����を�攵�し、��(j┤ng)来はさらに微細の2x nmにも�官�していく。�L外のIDM（Integrated Device Manufacturer）やファブレス半導��企業などのサプライチェーンとなるとCEOのFrank Huang��は述べている。

参考�@料
1. "SK hynix Partners with TSMC to Strengthen HBM Technological Leadership", SK Hynix Newsroom, (2024/04/19)
2. "Micron First to Ship Critical Memory for AI Data Centers", Micron Press Release, (2024/05/01)
3. "PSMC’s Tonglou New Fab Inauguration Attracts Attention forom Domestic and Foreign Leaders", PSMC Press Releases, (2024/05/02)