テキサス�Δ離哀譽奪亜Ε▲椒奪�����が7月6日から��湾、�f国、日本を歴訪しているが、�`的は��業誘致であり、同盟国の企業を�O国に�}び寄せて、半導��のサプライチェーンを�啣修垢訌世い澄�テキサス�Ε�ースチンには�盜馥發糧焼���工場は複数あり、�L外勢では�f国のSamsungがすでにファウンドリ工場を�n働させて10�Q以�峽个帖�Samsungはオースチンから25kmほど�`れたテイラー�xにも170億ドルをかけてファウンドリの新工場を設立することを2021�Qに発表している。

このところSamsungはAIチップとセットで使われるHBM（High Bandwidth Memory）メモリでSK hynixにリードされており、その巻き返しを狙って営業�W(w┌ng)益が�\えたことを�喞瓦靴拭�6日の日経が報じたものだが、�L外メディアも報じており��式に発表したようだ。ただ、Samsungの4~6月期���Q報告は7月31日に予定されており、今�vの発表では売�幢Y、���W(w┌ng)益などの基本的な数�Cが発表されず、営業�W(w┌ng)益が�i�Q同期比16倍に�\えたと発表しただけにとどまった。��式の���Q発表�iにリークすることは法的に��されないが、さまざまなメディアに�k�霹�表したことは、��容�J囲内かもしれない。

Samsungメモリのシェアはトップではあるが、HBMビジネスで出��れたために、��っているように映る。HBMでトップのSK Hynixに負けているだけではなく、Samsungと同じ��度に出��れていたMicronの最新のHBM（HBM3E仕様）は、Nvidiaに採��されすでに出荷が始まったという報�Oもある。SamsungのHBMはNvidiaの認定テストで不合格になったと伝えられており、SamsungはHBMで完��に出��れた。おそらくそのために、今�vの発表になったのであろう。�W(w┌ng)益が�\えたことを�喞瓦垢襪�DRAMの、単価も�屬�ってきたため、日経は、アナリストのコメントを引��し、HBMの寄与よりも�@��メモリの値�屬�りが営業�W(w┌ng)益の�\加に影�xした、と報じている。

メモリが�v復し単価も値�屬�りしてきたことで半導��メモリ�Q社の株も�屬�っている、と3日の日経が伝えた。SK hynixの株価は2023�Q��比で66%、Micronは54%�峺�した。メモリはスマートフォンとパソコンが�j(lu┛)量に消�Jするが、その成長率は鈍化しており�j(lu┛)きな成長は見込めない。このため株価では��(j┤ng)来性が反映されるため、これから成長してゆくAIと�k緒に使われるHBMがデータセンター向けに�咾�要望されている。

SK Hynixは、28�Qまでに総�Y103兆ウォン（約12兆��）を投入すると発表した。103兆ウォンには4月に発表した�f国�{���xの半導��工場への20兆ウォンも含まれているが、総�Y103兆ウォンの内、8割をHBMなど先端��の研�|開発や量��に投じるとしている。

メモリ�x況の�v復で、キオクシアも2024�Q1〜3月期に���C化させた今、積極的に��めていく。まず2T (1T=1024G) ビットのNANDフラッシュメモリをサンプル出荷した。DRAMメモリアレイウェーハとCMOS周辺�v路ウェーハを張り合わせる「CBA（CMOS directly Bonded to Array）」�\術を使い、�貭勝�水平��(sh┫)向のスケーリングでビット容量の向�屬�3.6Gbpsの高�]インターフェイスを実現した。メモリセル�霾�は4ビット/セル��(sh┫)式を採��、これもビット容量向�屬北鯲�つ。

キオクシアはこのチップを1パッケージ内に16��積層することで4TBのNANDフラッシュができるとしている。この場合でもパッケージサイズは11.5mm×13.5mm×1.5mm（高さ）ですむという。ストレージシステムのPure Storage社は、2Tビット����を導入する。

図1　屋�屬縫宗璽蕁璽僖優襪鮴���したキオクシア四日�x工場��5���]棟

キオクシアは、四日�x工場��5���]棟に�O家消�J型�陵杆�発電システムを導入し、7月1日より�n働を開始したと発表した。これは、��6���]棟に��き、四日�x工場で2棟�`の導入��例となる。今�v導入する?y┣n)陵杆�発電システムの発電設���ξ�は�?.4MW、�Q間発電見込量は約3,800MWhで、これにより、四日�x工場����でのCO2削��効果は約3,700トン/�Qとなる見通しである。