テキサス劍が染瞥攣緩度に14帛ドル輸錦、メモリはHBM頂凌に
勢柜のテキサス劍が染瞥攣緩度に14帛ドル∈腆2300帛邊∷を輸錦すると7奉6泣の泣塑沸貉糠使が鼠じた。Samsung排灰は2024鉗4~6奉袋の蹦度網弊が10名4000帛ウォン∈腆1名2100帛邊∷だったと券山した。メモリ輝斗は攙牲しつつあり、SK Hynixは2028鉗までの5鉗粗に12名邊を抨獲すると券山、キオクシアも糠禱窖倡券により2Tビット墑をサンプル叫操した。
テキサス劍のグレッグˇアボット夢禍が7奉6泣から駱涎、躥柜、泣塑を悟爽しているが、謄弄は彈度投米であり、票塘柜の措度を極柜に鈣び大せて、染瞥攣のサプライチェ〖ンを動步する晾いだ。テキサス劍オ〖スチンには勢柜柒の染瞥攣供眷は剩眶あり、長嘲廓では躥柜のSamsungがすでにファウンドリ供眷を蒼漂させて10鉗笆懼沸つ。Samsungはオ〖スチンから25kmほど違れたテイラ〖輝にも170帛ドルをかけてファウンドリの糠供眷を肋惟することを2021鉗に券山している。
このところSamsungはAIチップとセットで蝗われるHBM∈High Bandwidth Memory∷メモリでSK hynixにリ〖ドされており、その船き手しを晾って蹦度網弊が籠えたことを動拇した。6泣の泣沸が鼠じたものだが、長嘲メディアも鼠じており賴及に券山したようだ。ただ、Samsungの4~6奉袋瘋換鼠桂は7奉31泣に徒年されており、海攙の券山では卿懼馳、療網弊などの答塑弄な眶機が券山されず、蹦度網弊が漣鉗票袋孺16擒に籠えたと券山しただけにとどまった。賴及の瘋換券山漣にリ〖クすることは恕弄に釣されないが、さまざまなメディアに辦嬸券山したことは、釣推認跋柒かもしれない。
Samsungメモリのシェアはトップではあるが、HBMビジネスで叫覓れたために、廄っているように鼻る。HBMでトップのSK Hynixに砷けているだけではなく、Samsungと票じ鎳刨に叫覓れていたMicronの呵糠のHBM∈HBM3E慌屯∷は、Nvidiaに何脫されすでに叫操が幌まったという鼠蘋もある。SamsungのHBMはNvidiaの千年テストで稍圭呈になったと帕えられており、SamsungはHBMで窗鏈に叫覓れた。おそらくそのために、海攙の券山になったのであろう。網弊が籠えたことを動拇するがDRAMの、帽擦も懼がってきたため、泣沸は、アナリストのコメントを苞脫し、HBMの大涂よりも繞脫メモリの猛懼がりが蹦度網弊の籠裁に逼讀した、と鼠じている。
メモリが攙牲し帽擦も猛懼がりしてきたことで染瞥攣メモリ稱家の臭も懼がっている、と3泣の泣沸が帕えた。SK hynixの臭擦は2023鉗瑣孺で66%、Micronは54%懼競した。メモリはスマ〖トフォンとパソコンが絡翁に久銳するが、その喇墓唯は七步しており絡きな喇墓は斧哈めない。このため臭擦では經丸拉が瓤鼻されるため、これから喇墓してゆくAIと辦斤に蝗われるHBMがデ〖タセンタ〖羹けに動く妥司されている。
SK Hynixは、28鉗までに另馳103名ウォン∈腆12名邊∷を抨掐すると券山した。103名ウォンには4奉に券山した躥柜藍劍輝の染瞥攣供眷への20名ウォンも崔まれているが、另馳103名ウォンの柒、8充をHBMなど黎眉墑の甫墊倡券や翁緩に抨じるとしている。
メモリ輝斗の攙牲で、キオクシアも2024鉗1×3奉袋に輥機步させた海、姥端弄に茍めていく。まず2T (1T=1024G) ビットのNANDフラッシュメモリをサンプル叫操した。DRAMメモリアレイウェ〖ハとCMOS件收攙烯ウェ〖ハを磨り圭わせる≈CBA∈CMOS directly Bonded to Array∷∽禱窖を蝗い、庫木ˇ垮士數羹のスケ〖リングでビット推翁の羹懼と3.6Gbpsの光廬インタ〖フェイスを悸附した。メモリセル嬸尸は4ビット/セル數及を何脫、これもビット推翁羹懼に舔惟つ。
キオクシアはこのチップを1パッケ〖ジ柒に16綏姥霖することで4TBのNANDフラッシュができるとしている。この眷圭でもパッケ〖ジサイズは11.5mm∵13.5mm∵1.5mm∈光さ∷ですむという。ストレ〖ジシステムのPure Storage家は、2Tビット瀾墑を瞥掐する。
哭1 舶懼にソ〖ラ〖パネルを肋彌したキオクシア煌泣輝供眷媽5瀾隴棚
キオクシアは、煌泣輝供眷媽5瀾隴棚に極踩久銳房呂哇各券排システムを瞥掐し、7奉1泣より蒼漂を倡幌したと券山した。これは、媽6瀾隴棚に魯き、煌泣輝供眷で2棚謄の瞥掐禍毋となる。海攙瞥掐する呂哇各券排システムの券排肋灑墻蝸は腆3.4MW、鉗粗券排斧哈翁は腆3,800MWhで、これにより、煌泣輝供眷鏈攣でのCO2猴負跟蔡は腆3,700トン/鉗となる斧奶しである。
