MRAMはマイコンやプロセッサへの礁姥步で畝你久銳排蝸の耙蝸を券帶
澎頌絡(luò)池CIES肩號のテクノロジ〖フォ〖ラム∈哭1∷が海鉗も倡號され、STT-MRAM禱窖の疤彌づけがより湯澄になってきた。マイコンやロジックへの寥み哈みメモリ∈RAM∷としての疤彌づけである。ReRAMやPCRAMのような今き垂え攙眶に擴(kuò)嘎のあるデバイスは、稍帶券拉メモリROMに奪い蝗い數(shù)に偽まる。
哭1 CIES Technology Symposiumの罷盜と車妥を怪遍するセンタ〖墓の斌疲暖蝦兜鑒
澎頌絡(luò)池柜狠礁姥エレクトロニクス甫墊倡券センタ〖∈CIES: Center for Innovative Integrated Electronic Systems∷肩號の5th CIES Technology Forumが澎疊で倡號された。介泣は、Intel、Samsung、TSMCなどSTT-MRAM瀾隴を緘齒ける措度が怪遍し、羔稿にはそれを肋紛に艱り掐れるQualcommが怪遍した。漣攙は、SamsungとGlobalFoundriesが寥み哈み炳脫でのeMRAMへの蘋を績したが、海攙はTSMCも22nmプロセスのeMRAMの浮皮を幌めたと揭べた。2019鉗2奉のISSCCでIntelもeMRAMの翁緩步の潔灑ができていると券山した。
MRAMの礁姥刨は悸はDRAMほどは光くない。海のところ256Mビットの瀾墑しかないためDRAMと頂凌するのではなく、稍帶券拉を網(wǎng)脫した畝你久銳排蝸RAMという疤彌づけになる。票じ稍帶券拉でもNANDフラッシュは、プログラム脫龐であれ、デ〖タ呈羌脫龐であれ、ROM弄な瓢侯しかできない。しかしMRAMは、今き垂え攙眶がほぼ10の10捐笆懼あるため、DRAMやSRAMと票屯、RAM瓢侯が材墻である。
そうすると、繞脫のプロセッサやロジックでは、柒嬸のレジスタやバッファにSRAMを蝗うため、このSRAMをMRAMで彌き垂えることで、燙姥は井さくなり、久銳排蝸は絡(luò)きく猴負(fù)される。これまでのNANDフラッシュはあくまでもデ〖タ呈羌やプログラムROMという蝗い數(shù)しかできなかった。MRAMは礁姥刨が光くないことからプロセッサのSRAM嬸尸を彌き垂える炳脫がありうる。弓い燙姥を褪するSRAMをMRAMで彌き垂えると、メモリセル嬸尸が3肌傅菇隴になっているため燙姥は染尸になり、しかも稍帶券拉であるから排富を磊ってもメモリ柒推は荒るため、你久銳排蝸步が材墻になる。
そして、塑炭の炳脫として寥み哈みフラッシュのようなマイコンやSoCのフラッシュメモリを彌き垂えることができる。マイコンやSoCの柒嬸で瓢侯させない箕粗のあいだ、MRAMの排富を磊っていくことができる。つまり、フラッシュメモリよりも你排蝸にできる懼、RAM瓢侯も材墻である。すなわちマイコンやSoCのメモリやレジスタ、バッファの久銳排蝸を布げることができる。
さらに、呵奪ではディ〖プラ〖ニングが蝗われるようになってきた。いわゆるAIチップでは、1ニュ〖ロンを遍換する眷圭には、驢掐蝸のデ〖タ∵腳みの遍換をそれぞれ顱して∈すなわちMAC(姥下)遍換∷、シグモイド簇眶で1か0を叫蝸することでニュ〖ロン1改の遍換を乖う。怠常池漿やディ〖プラ〖ニングでは、ニュ〖ロンが事誤に眶紗、眶籬改をモデルとして何り掐れているため事誤に遍換する。1ニュ〖ロンごとに遍換した馮蔡をメモリに呈羌し、肌のニュ〖ロンに羹けてデ〖タとして瘦賂し、腳みのデ〖タもメモリに呈羌しておく。肌のニュ〖ロンの遍換でも票屯に、MACで腳みとデ〖タを齒け換し鏈ての掐蝸を顱し換し、叫蝸する。その叫蝸デ〖タをさらにメモリへ呈羌する。このようなア〖キテクチャであるから、メモリとMAC遍換達(dá)とはかなり奪い眷疥に彌くことになる。
これまでのフォンノイマン房プロセッサだと、メモリに炭吾とデ〖タを呈羌しておき、デ〖タを顱し換ないし苞き換を乖う。齒け換と充り換はソフトウエアで部刨も帆り手すが、ソフトだと箕粗がかかるため、漓脫のMAC遍換ハ〖ドウエア攙烯∈すなわちDSPやGPU∷を礁姥することが驢い。このメモリ嬸尸にMRAMを蝗えば、呈羌している粗の排富をオフにして久銳排蝸を布げることができる。
センタ〖墓の斌疲兜鑒は、STT-MRAMを欄かせるコンピュ〖タア〖キテクチャを雇えていきたいとする。2奉のISSCC 2019ではエネルギ〖ハ〖ベスティングで瓢く。MRAM烹很マイコンが券山されたが、驕丸のTPU∈Tensor Processing Unit∷の1它尸の辦という潤撅に井さな久銳排蝸で瓢いたという。これまでのようなMRAMを蝗ってパワ〖ゲ〖ティングするといった你久銳排蝸禱窖だと1/100鎳刨しか布がらないが、CMOSとMRAMとのハイブリッドプロセスでア〖キテクチャの呵努步を乖うことで茫喇したものだという。これがMRAMの糠しい材墻拉になる。
MRAMのテスタは、Keysight Technologyからパラメ〖タテストの盧年達(dá)が任卿されているが、アドバンテストからも券卿される徒年だという。
斌疲兜鑒のCIESでは、MRAMだけではなく、GaN on Siの倡券にも蝸を掐れている。GaNデバイスとしてSiを答饒に蝗っているためコスト弄には奧くなる材墻拉が光い。呵奪倡券したデバイスは卵暗1200Vで100A萎せるGaNデバイスであり、これを蝗ってDC-DCコンバ〖タを活侯したところ、スイッチング件僑眶2MHzで瓢侯できたという。このプロジェクトは、パナソニックと鼎票で倡券しており、さらに呵奪ではホンダのティア1サプライヤであるケイヒンとも鼎票で艱り寥んでいる。
GaNデバイスは≈エネルギ〖祿己がシリコンの1/10と跟唯が光いため、ヒ〖トシンクが詞帽でよい、インダクタLとキャパシタCは井さくてすむため井房にできる、2MHzというスイッチング件僑眶はAMとFMラジオの粗にある件僑眶掠であるためノイズの逼讀が警ない∽、という話つの潑墓がある∈斌疲兜鑒∷。EV(排丹極瓢賈)のインバ〖タやオンボ〖ドチャ〖ジャ〖などへの炳脫だけにとどまらず、400V廢のデ〖タセンタ〖や240Vの踩排、オフィスなどにも炳脫が弓がる。さらにGaN on Siの潑墓としてSiとの礁姥材墻というメリットも絡(luò)きい。
