Samsung、EUVリソによる1z nmプロセスで16Gb DRAMを量�凮始
Samsungは、EUVリソグラフィを使った1z nm（15nm�i後）プロセスによるLPDDR5仕様の16GビットDRAMの量��を開始したと発表した。DRAMはこれまでのコンピュータ��要に加え、AIのニューラルネットワークモデルの演�Qにも��ず使うため、今後の��要の期待が�j(lu┛)きい。1パッケージに8��のDRAMチップを�_ね、16GBを構成している（図1）。
図1 16GBのLPDDR5���� 出�Z：Samsung
Samsungは今�Qの3月、1z nmの次のD1a nmプロセスのDRAMをDDR4仕様で試作発表しているが（参考�@料1）、その時もEUVリソグラフィで加工している。しかし、メモリの量��にEUVを使うのはこれが初めてとなる。
平�u工場団地に12万8900平��(sh┫)メートルの土地（6基のサッカー場相当）にSamsungの平�u��2ラインがある（図2）。この�攵�ラインは、先端半導��を?y┐n)��]する工場と位��づけられており（参考�@料2）、DRAMの次には、3D-NANDフラッシュ、ファウンドリサービスにも使っていく。
図2 建設している時のSamsungの平�u��2ライン 出�Z：Samsung
1z nmプロセスは、DRAMとしては最も微細なプロセス�\術。��来の量��チップよりも30%薄く加工しており、これを8���_ねて1パッケージとしての16GBの容量に仕�屬欧討い襦ｒ�来の1y nmプロセスで16GB DRAMを1パッケージに収めようとすると、12Gビットチップを8��と8Gビットチップが4����要だった。1z nmプロセスで微細化し16Gビットに高集積にすることで、8��のチップで済んだとしている。
量��する16GビットのLPDDR5のデータレートは、6.4Gビット/秒と高�]であり、5G�官�で複眼カメラのスマートフォンや折り�Qみ可�Δ淵好泪曚任両W(w┌ng)��を狙っている。Samsungはこの新型16GB LPDDR5パッケージで2021�Qに世�c中のスマホメーカーに販売していくとしている。さらに�O動�Z向けに使���a(b┳)度�J(r┬n)囲を広げた信頼性の高い����も提供するとしている。
参考�@料
1. Samsung Announces Industry’s First EUV DRAM with Shipment of First Million Modules (2020/3/25)
2. Samsung Begins Mass Production of 16Gb LPDDR5 DRAM at World’s Largest Semiconductor Line (2020/8/30)
