NANDフラッシュの2022�Q設��投�@は�垉邵嚢發�、200層争いに突入
2022�QのNANDフラッシュメモリの設��投�@�Yは�垉邵嚢發�299億ドルになる見込みだ。このような見通しを発表したのは、�x場調�h会社のIC Insights（参考�@料1）。2017〜18�Qのメモリバブルの時期でもDRAM投�@よりもNAND投�@の��(sh┫)が�Hかった。高集積化のための3次元�H層化への新投�@が求められたからだ。今�vはなぜか。
図1 フラッシュメモリの設��投�@の推� ―儘Z： IC Insights
2021�QのNANDフラッシュの投�@は�i�Q比13%�\の277億ドルだった。この数�Cはメモリバブルの2018�Qの278億ドルに��るものであったが、��えてはいなかった。2022�Qの299億ドルはこれまで最高だった2018�Qを�sき去るほどのレベルとなっている。これはNANDフラッシュの最高値だった278億ドルよりも21億ドル、あるいは7.6%�Hいことになる。また、IC����の投�@�Y見込である1904億ドル（参考�@料2）の16%にもあたる。
����的にはどのような工場に投�@されるのだろうか。IC Insightsは、主な工場としてSamsungの平澤工場のライン1と2（ただしこのラインはDRAMとファウンドリにも振り向けられている）、および中国���W工場のフェーズ2への投�@、さらにキオクシアの��6棟、さらに岩�}工場のK1棟への投�@だという。さらに、シンガポールにあるMicronのNAND工場、SK HynixのM15棟の残りのスペースにも設�△鯊靴┐襪箸い�。
こういった新��の投�@は、これまでの176層を��えて、200層以�屬列H層化による投�@だとしている。200層以�屬�NANDフラッシュの�攵�が始まるのは2022�Q��か2023�Qになりそうだ。��にSamsungとMicronが今�Q��には200層以�屬領名�が始まると見ている。両社およびSK Hynixも176層NANDを量��している。��にMicronは176層のNANDフラッシュを使ったSSDも販売している。
Samsungの���W工場は今後NANDフラッシュの最先端�\術を使う主��工場となりそうだ。ここには二つの工場があり、�攵��ξ�は最�j(lu┛)12万��/月になるとしている。SK Hynixは2023�Qに196層へシフトすると見られている。
参考�@料
1. "2022 Flash Memory CapEx Expected to Reach $29.9B; Set New High", IC Insights News (2022/03/15)
2. 「2022�Qの半導��設��投�@は�i�Q比24%�\の21兆��を��える見通し」、セミコンポータル (2022/03/02)
