2027�QまでのNANDフラッシュはCAGR6%で成長し��ける
NANDフラッシュとDRAMは、2021�Qから2027�QまでにCAGR（�Q平均成長率）がそれぞれ6%、9%で成長、それぞれ960億ドル、1585億ドルに成長しそうだ。フランスの�x場調�h会社であるYole Developpementがこのような見通しを発表した。同社はメモリには組み込み��(sh┫)式を含めておらず、単独のメモリ����の�x場を?y┐n)��?j┫)としている。
図1 2027�Qまでのメモリの成長見通し 出�Z： Yole Developpement
メモリ�x場はこのところ好調だ。��易戦争や新型コロナ�Kでも2020�Qは�i�Q比15%、2021�Qは同32%も成長した（参考�@料1）。メモリのような�j(lu┛)量�攵�����は、少しでも作りすぎると価格が低下し販売�Yが��(f┫)少し、不�Bしすぎると価格が�屬�る。ただし、�攵盋が極めて�Hいだけに、その差の絶�潅佑盻j(lu┛)きい。このため浮き沈みが�j(lu┛)きく、シリコンサイクルが顕著に見える。しかし�j(lu┛)量�攵���でなければメモリほどの浮き沈みは見えにくい。
2022�Qのメモリ�x場も好調で、NANDフラッシュは�i�Q比24%成長の830億ドル、DRAMは同25%成長の1180億ドルと予�[されている。これらの数�C(j┤)は史�嶌嚢發世�、メモリは��実に成長していく����の�kつだ。メモリにはほかにNORフラッシュ、SRAM/FRAM、EEPROM、X-Pointメモリのような新型不ｧ発性メモリ等があるが、�x場��模はNANDとDRAMが圧倒的に�j(lu┛)きい。メモリ����としては2021�Q〜2027�Qの間のCAGRは8%と見ているが、2021�Q、22�Qを見ている限り、やや保守的な数�C(j┤)に見える。ただし、�x場��模は2027�Qに2600億ドルにも達する見込みだ。日本��で33.8兆��にも�屬襦�
NANDフラッシュは2Dから3Dへ、と�\術の変化が��こり、高集積化の�k��をたどってきた。DRAMと違って何度も書き換えるようなRAM動作はできないが、ストレージとして�j(lu┛)容量化では類を見ないデバイスとなった。HDD（ハードドライブ）以外のストレージとして、NANDは光ディスクよりも容量は�j(lu┛)きく、しかもアクセス�]度は�]い。
同じようなフラッシュメモリでもNOR型は、高集積化が�Mしく、その�x場��模はNANDよりもずっと小さいが、それでも2021�Qは�i�Q比43%�\の35億ドルに成長した。NANDよりも高�]処理が可�Δ如�NANDと同様不ｧ発性であるため、1Gビット（128Mバイト）以下の容量ならNORフラッシュも使いやすいストレージとしてIoTや�O動�Z、通信、インフラ�x場などのデータメモリとして��実に成長している。暗��(gu┤)化データや暗��(gu┤)キーの保管など数��MBもあれば�科�な����に向いている。
DRAMは今後、EUVリソグラフィによる微細化や3D-NANDのようなモノリシックな3次元化が提案されており、��(g┛u)なる�j(lu┛)容量化にはモノリシックな3次元DRAMも2030�Qころまでには実��化される可��性はある。UnisantisやMonolithic3Dなどのスタートアップが��躍できる場となりそうだ。ただし、�攵�は3D-NANDほどの複雑なプロセスになり、�Mしそうではある。
参考�@料
1. "NAND and DRAM are poised to hit new revenue records", Yole Developpement (2022/05/09)
