3D-Xpointメモリの疤彌づけをMicronが湯澄に
NANDフラッシュとDRAM、ストレ〖ジクラスメモリの戮にも海稿10鉗に畔り、コンピュ〖タおよびAIシステムを菇喇するメモリ超霖の菇鱗をMicron Technologyが慮ち叫した。ストレ〖ジクラスメモリとしての3D-Xpointメモリだけではなく、NVDIMM、TLCとQLCの舔充尸么なども湯澄にした。
哭1 Micron エグゼクティブバイスプレジデント敷CBOのSumit Sadana會
Micronが績したメモリの超霖菇喇の面で、NVDIMMはデ〖タセンタ〖で肌の10鉗に腳妥になるだろう、との斧奶しを票家エグゼクティブバイスプレジデント敷CBO∈呵光ビジネスオフィサ∷のSumit Sadana會が績した。票會は、海稿10鉗はビッグデ〖タと考く簇犯し、そのデ〖タの積つ墻蝸に答づいた炳脫が鷗倡されるとした。毋えば搶度から糠アイデアまでデ〖タは動い逼讀を第ぼすだろう、とSadana會は斧る。
3D-Xpointメモリは、セル菇隴がクロスポイント(蛤爬)菇隴だが、悸はデバイスのスピ〖ドを瘋めるのは、メモリセルではない。粕叫し/今き哈みの瓢侯を光廬にするのはIOインタ〖フェイスであり、事誤に絡(luò)翁に粕み叫せればよい。NVDIMM∈哭2∷に簇してはまだ甫墊面とのことで湯らかにしないが、セルに3D-Xpointを蝗い、掐叫蝸攙烯のバンド升を弓げて光廬步するメモリがNVDIMMのようだ。
哭2 メモリの糠超霖菇喇をMicronが捏捌
このことは3D-Xpointメモリだけではなく、NANDフラッシュについてもいえる。SLC(1ビット/セル)が呵も光廬で、肌がMLC∈2ビット/セル∷、そしてTLC∈3ビット/セル∷、QLC∈4ビット/セル∷と魯く。呵も覓いが、呵も久銳排蝸が你いのがQLCである。だからこそ今き哈みことよりも粕み叫すことが面看となるストレ〖ジに蝗う。このことは、NANDフラッシュやSSDのユ〖ザ〖であるPure Storage家も票屯に斧ている∈徊雇獲瘟1∷。
3D-Xpointの潑墓は、NVDIMMと孺べ、警し覓いが、嚼起拉があり、しかもスケ〖ラブル∈橙磨材墻∷だという。海攙は、悸狠に3D-Xpointメモリを烹很したSSD∈瀾墑嘆≈X100∽∷も瀾墑步した∈哭3∷。これまでで呵も玲いSSDと孺べ、掐叫蝸の廬刨は、2.5M IOPS∈Input Output per Second∷と3擒廬く、バンド升は9GB/s笆懼だとしている。ただし、X100は光廬ストレ〖ジという疤彌づけで、海鉗面にサンプル叫操を乖う。
哭3 3D-Xpointメモリを蝗ったMicronの光廬SSD
これに灤して、票じ3D-Xpointでもメモリとして胺うのがNVDIMMである。これまで、NVMeインタ〖フェイスを積つSSD∈NANDフラッシュ∷では14k IOPSで、レイテンシも67µsだった。呵介のNVDIMM-Nの眷圭、1.1M IOPSで、0.8µsと峰般いに廬くなった。海攙は、掐叫蝸廬刨もレイテンシもさらに廬くなった。票じメモリセルを蝗っても、ストレ〖ジ脫龐では4Kバイトのブロックでアクセスするのに灤して、メモリは64バイトでアクセスするため、コントロ〖ラが鏈く佰なる。それぞれ呵努步して蝗う。もちろん、X100では糠たにコントロ〖ラを肋紛し木した、と票家Emerging Memory Solutions嬸嚏のVP敷ジェネラルマネ〖ジャ〖のVinod Lakhani會は揭べている。
NVDIMMはその嘆の奶り、NV∈Non-volatile:稍帶券拉∷ながらDRAMのようなメモリモジュ〖ルという罷蹋で嘆燒けられたメモリモジュ〖ルである。ただ、これまでのDDR DRAMでは票袋及で、クロックに圭わせてアクセスのタイミングが瘋まっていたが、NVDIMMでは糠しいバスア〖キテクチャが澀妥で、NVMpという嘆漣のプロトコルを潔灑面だという。附哼JEDECで篩潔步を捏捌している。NVMのpはパ〖システントメモリ∈Persistent Memory∷のpだという。DRAMとは般い潤票袋及で瓢侯する。このため、ホストからアクセス慨規(guī)を減け艱るとそれを手して瓢侯を倡幌することを帕えてからアクセス瓢侯が幌まる。いわゆるイベントドリブン數(shù)及のアクセスを蝗う。
こういったDRAMの肌に廬いメモリという疤彌づけにすることによって、CPUとの奶慨に簇して、Intelとディスカッションしているという。
徊雇獲瘟
1. QLCを蝗いこなしたフラッシュアレイのPure Storage家 (2019/10/11)
