図1　中国での半導��工場建設の投�@�Yはメモリとファウンドリに　出�Z：SEMI

中国の半導���噞は2017�Qに工場建設を進め、2018�Qでも工場新設の予定が�Hい（図1）。工場の建設が終わると設�△糧惰�になるため2018�Qの半導��設��投�@�Yは本格化する。2018�Qに工場を建設するところは、2019�Qに����の搬入になるため、半導�����]����は中国ではむしろこれから2018�Q、19�Qがブレークの�Qとなる。SEMI ChinaのLung Chu��は、2017�Qの設��投�@�Yで、中国は�f国、��湾に次ぐ��3位の金�Yだったが、2018�Qは��2位に飛躍すると述べている。

中国における半導�����]����の問��の�kつは、設��投�@がまだ不�Bしていることだ、とSEMI��湾のTeng��は語る。2017�Qに新たに19ものプロジェクトが進行しているが、設��投�@は19�Qにピークを迎えるとしている。

中国に工場を新設したり、設��投�@を行ったりするのは中国地場企業だけではない。外国企業やその合弁もまた設��投�@を�啣修靴討い�(図2)。今�Q、�i工��のプロセス設�△謀蟀@したのは、Intelのファブ68で、3D-NANDへのシフトに、SK HynixもDRAMにC2棟にそれぞれ使った。ファウンドリでも��湾のUMCと地場のSMICがそれぞれファブ12X、ファブB2に投�@した。2018�Qには、長江ストレージやTSMCの南�B工場フェーズ1、GlobalFoundriesの成都工場、地場の�帷L華��微電子のファブ2、福建省晉華ICのDRAM工場などが設��投�@を予定している。2019�Qにはさらに�{華��光集団の南�B工場、Samsungの���W工場、SK Hynix、地場のSMICの新工場、合肥長金のDRAM工場なども予定している。

図2　中国への設��投�@は地場企業だけではなく外国企業も投�@�Yを�\やしている　出�Z：SEMI

中国が��を入れるのはやはりメモリ（図3）。DRAMはSK Hynixが��を入れてきたが、NANDフラッシュはIntelやSamsungも投�@を�M��する。2018�Qの�攵��ξ�はほとんど�\えていないが、2019�Qから�\�咾慮�果が表れてくると、SEMIは予�[する。NANDフラッシュはもちろん3D-NAND構�]の�攵��ξ��\�咾任△襪�ら、すぐに効果は表れてこないが、やはり2019�Qくらいから�\�咾気譴襪箸澆�。

図3　メモリ投�@は�_要な戦�S　出�Z：SEMI

3D-NANDの�\��は東��にとって脅威になるが、実は中国はメモリだけではない。�\��を��画しているSMICに加え、UMCやTSMC、GlobalFoundriesの外国勢や地場の�帷L華��微電子もファウンドリを�\�咾垢�。

図4　中国半導���噞のセグメント別販売�Y　出�Z：SEMI

そして設����も侮れない。ファブレス半導��企業の売り�屬欧肋�実に成長している(図4)。当初は半導��原価に�瓦垢訖利P�J比率のやや高い、後工��が最も販売�Yが�jきかったが、2000�Qの��1次半導��ブームでSMICに代表されるように�i工��工場が出来、その後でファブレスのIC設��企業も�擇泙譴討�た。セミコンポータルでは、中国のファブレス半導��の�岼�10社についてレポートしたが(参考�@料1）、��1位のHiSilicon、2位のStreadtrumで見られるように、スマートフォンのアプリケーションプロセッサを設��する企業が成長するようになった��図4では、2016�Qには後工��の売り�屬欧茲蠅皀侫．屮譽垢稜笋��屬欧��気��Hくなり、逆転した。

ファブレスのこの両社は、今やQualcommやMediaTekの地位を脅かすようになった。ここ1〜2�QのQualcommやMediaTekの不振は中国�x場におけるファブレス半導��メーカーによるもの。中国は国�僝を推奨しており、国�甡遇策は昔から�Dられてきている。3D-NANDやDRAMなどのメモリにも何らかの優遇策がなされるという向きは�Hい。

参考�@料
1. 中国のファブレス半導��、�Q率20%成長が��く (2017/12/21)