Semiconductor Portal

» セミコンポータルによる分析 » 噞分析

Samsung、クルマ256GBのフラッシュストレージを量凮始

Samsung Electronicsがクルマ256 GB@組み込みフラッシュストレージ(eUFS)の量を開始した。同社は2017Q9月に128GBのクルマのeUFSを初めて量僝したが、今vはストレージ容量を倍\させた屬法JEDEC UFS 3.0Y格に拠したもの。

図

図1 Samsungの256 GB組み込みフラッシュストレージ 出Z:Samsung Electronics


NANDフラッシュはこれまで、携帯電B、デジタルカメラ、スマートフォン、パソコンへとを広げてきたが、Samsungはクルマ応にも拡jしている。実は、今Qの1月16日に開された国際カーエレクトロニクス\術tでもWestern Digital(旧SanDisk)がこれからはクルマにNANDフラッシュを使おうとアピールしていた。クルマでは、ADASをはじめ、インフォテインメントや]晶ダッシュボードなどへのを狙う。Samsungはすでに256 GBのeUFSをクルマメーカー向けに出荷しているという。

O動Z応では、にa度J囲を広げた。新は、動作中、およびパワーセーブモード共、-40°C〜+105°Cに拡jした。来の組み込みマルチメディアカード(eMMC)では、動作モードでは-25°C〜+85°C、パワーセーブモードでは-40°C〜+85°Cが保証a度J囲だったという。

今v、動作a度J囲を拡張できたことで、厳しい環境に適したメモリをデザインインできることをO動Zメーカーに提案していく、とSamsungのNANDマーケティングVPのKyoung Hwan Hanは語る。まず高級Zx場を}始めにO動Zx場に向けてビジネスを拡jしていくとしている。

この新は、センサも△┐討り、デバイスa度が105°Cをえると、ホストのアプリケーションプロセッサに通瑤掘▲ロック]度を下げa度を下げる機Δある。加えて、256 GBのeUFSは、シーケンシャル読み出しが可Δ如△修]度は850 MB/秒で、ランダム読み出し動作では45,000 IOPS。データリフレッシュ機ΔUFSスペックのバージョン3.0にある。

(2018/02/15)
ごT見・ご感[
麼嫋岌幃学庁医 天胆來値住→xxx岱寄住培| 撹繁窒継仔弼利峽| 表翫岱扉狼双h| 消消忽恢互咳送易習窒継鉱心| 喟消窒継涙鷹利嫋壓濆杰| 怜匚娼瞳消消消消消消99| 醍狭娼瞳消消消消消消99築孟| 忽恢利嫋壓濂シ| www.匯雫谷頭| 返字心頭消消忽恢窒継| 消消楳課窒継91鉱心| 天胆晩昆匯曝屈曝眉曝壓濆杰簡啼 | 自瞳某沃岱狼双朕村畠鹿| 冉巖及匯撹繁壓| 槻溺恂來値倉出寛篇撞窒継 | 晩云恷仟窒継屈曝| 冉巖av涙鷹匯曝屈曝眉曝嗇剏唹垪 | 嶄猟忖鳥娼瞳匯曝屈曝娼瞳| 晩昆天胆弼忝栽| 冉巖嶄猟忖鳥涙鷹嶄猟| 天胆娼瞳videossex天胆來| 低峡議篇撞壓濂シ| 娼瞳忽恢匯曝AV爺胆勧箪| 忽恢v壓濂シ| 楳楳楳楳楳課圻| 忽恢撹繁冉巖娼瞳91廨曝返字 | 忽恢娼瞳99壓濆杰| 87牽旋窮唹利| 壓a冉巖篇撞殴慧壓濆杰| а▲嶄猟壓潴賁| 來恂消消消消消消消| 嶄猟忖鳥涙鷹娼瞳冉巖彿坿利| 晩云眉雫載仔編心120昼| 消消撹繁忽恢娼瞳匯曝屈曝| 恷除嶄猟忖鳥mv窒継互賠篇撞7| 冉巖忽恢晩昆天胆| 天胆晩昆匯曝屈曝眉曝壓濆杰簡啼 | 窒継恂哲1000篇撞晩云| 娼瞳涙鷹AV匯曝屈曝眉曝音触| 忽恢69消消娼瞳撹繁心弌傍| 課櫪篇撞仔弼壓濆杰|