半導��が��況、2000�QITバブル以来の�@ぎに
半導���噞が好況だ。12月23日の日本経済新聞が報じたように、��(sh━)フィラデルフィア半導��株指数（SOX）はおよそ16�Qぶりの高値を��(g┛u)新した。フィラデルフィアSOX指数とは、半導��関連株の�Hい��(sh━)フィラデルフィア�D引所が発表している経済指数。2000�QのITバブルの時に半導�����]����はピークを迎えたが、今�vの動きはそれに��る勢い。 [→��きを読む]
メモリ
メモリ�x場は2017�Q、10%成長へ、IC Insightsレポート
2017�Qのメモリ�x場は10%で成長すると、��(sh━)�x場調�h会社のIC Insightsが発表した。2015�Q、16�Qと2�Q��けて供給��(c┬)剰による平均単価の値下がりによってメモリ�x場は下落していたが、17�Qはようやく�峺�きそうだ。 [→��きを読む]
ノートPCでのSSD採��率は2016�Qに33%、18�Qには50%��へ
�x場調�h会社のTrendForceは、ノートPCに使われるSSD（半導��ディスク����）が2018�Qには50%を��えるだろうという予�[を発表した。2015�QはノートPCにおけるSSD採��率は25%だったが、2016�Qに33%に達すると見ている。 [→��きを読む]
NANDフラッシュは�{�J成長するもDRAMが��落する2016�Q
2016�Qはメモリにとって良い�Qではなさそうだ。��(sh━)�x場調�h会社のIC Insights社は、2016�Qのメモリ�x場は11%��(f┫)になりそうだという見通しを発表した(図1)。��にDRAMが19%��(f┫)と最�Kで、NANDフラッシュは2%�\と成長するが、メモリ����の�Bを引っ張るのがDRAMでメモリ����としては11%��(f┫)という予�Rを導いた。 [→��きを読む]
DRAMの単価はNANDフラッシュにつられ、�fを�]ったか
![DRAMの単価はNANDフラッシュにつられ、�fを�]ったか](/assets_c/900px/160707-dramprice.png "DRAMの単価はNANDフラッシュにつられ、�fを�]ったか")
��湾の�x場調�h会社TrendForceのメモリ�靆�DRAMeXchangeは、2014�Q10月から��いてきたDRAM価格の下落は6月に入って�Vまり、�fに来たようだと伝えた。��3四半期には�峺�(j━ng)に転じると見ている。 [→��きを読む]
東��、NANDフラッシュの微細化にナノインプリント
久しぶりに半導��の��るいニュースが先週�~け巡った。東��が、微細化�\術としてナノインプリント�\術を使ってNANDフラッシュを微細化するというニュースだ。6月3日の日本経済新聞が報じたもの。NANDフラッシュは、クラウドストレージ向けにこれから��要性が�\し、IoTシステムの�k環を形成する。クラウドビジネスがIoTと�k緒になりAI（人工��(m┬ng)�Α砲砲茲襯如璽寝鮴呂砲���きていく。 [→��きを読む]
DRAMランキング、3位Micron(旧エルピーダ)は2位との差が開く
��湾の�x場調�h会社TrendForce傘下のDRAMeXchangeによると、2016�Q��1四半期におけるDRAM�x場は、�i四半期比16.6%��(f┫)の85億6200万��(sh━)ドルに低下したと発表した。DRAMメーカーのトップスリーは昨�Qと変わらず、Samsung、SK Hynix、Micron（旧エルピーダ）の順となっている。 [→��きを読む]
VLSI Symposium、日本�\術の�T在感
6月13〜17日ハワイで開��(h┐o)される2016 Symposium on VLSI Technology and Circuits（通称、VLSI Symposium）の採�I�b文が��まった。VLSIのデバイス・プロセスを扱うTechnologyでは、��投�M�P数214の内、採�Iされた�b文は85�P、�v路�\術を扱うCircuitsでは、375�Pの投�Mに�瓦靴�97�Pの採�Iであった。�v路関係の内容はIoT�k色である。 [→��きを読む]
Intelの3D-NAND SSDは32層チップを採��
Intelは、��(sh━)国時間3月31日に開��(h┐o)されたCloud Dayにおいて、クラウド�x場でのストレージの高�]化のため、3D-NANDフラッシュを�W(w┌ng)��したSSD（半導��ディスク）をはじめ、XeonプロセッサE5-2600 v4もセットで発表した。Intelが3D-NANDのSSDを発表したのはこれが初めて。 [→��きを読む]
SanDisk、クルマ��のフラッシュカードに進出
東��の四日�x工場でNANDフラッシュを�攵�しているSanDiskがSDカードで�Z載分野に進出する。4月には、8GBから16GB、32GB、64GBという容量を�eち、最�j(lu┛)20MB/sのシーケンシャル書き込み/読み出し性�Δ鮗存修掘△靴�も�W��仕様AEC-Q100��格の認証を�D�u(p┴ng)したSDカードを出荷する。動作�a(b┳)度�J(r┬n)囲が-40℃〜85℃と広く、�O動�Zに使えるレベルに達している。 [→��きを読む]
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