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半導が況、2000QITバブル以来の@ぎに

半導噞が好況だ。12月23日の日本経済新聞が報じたように、櫂侫ラデルフィア半導株指数(SOX)はおよそ16Qぶりの高値を新した。フィラデルフィアSOX指数とは、半導関連株のHい櫂侫ラデルフィアD引所が発表している経済指数。2000QのITバブルの時に半導]はピークを迎えたが、今vの動きはそれにる勢い。

図1 半導関連株は2000QのITバブルに{いつく勢い 出Z:Yahoo Finance

図1 半導関連株は2000QのITバブルに{いつく勢い 出Z:Yahoo Finance

http://finance.yahoo.com/chart/%5ESOX?ltr=1#eyJtdWx0aUNvbG9yTGluZSI6ZmFsc2UsImJvbGxpbmdlclVwcGVyQ29sb3IiOiIjZTIwMDgxIiwiYm9sbGluZ2VyTG93ZXJDb2xvciI6IiM5NTUyZmYiLCJtZmlMaW5lQ29sb3IiOiIjNDVlM2ZmIiwibWFjZERpdmVyZ2VuY2VDb2xvciI6IiNmZjdiMTIiLCJtYWNkTWFjZENvbG9yIjoiIzc4N2Q4MiIsIm1hY2RTaWduYWxDb2xvciI6IiMwMDAwMDAiLCJyc2lMaW5lQ29sb3IiOiIjZmZiNzAwIiwic3RvY2hLTGluZUNvbG9yIjoiI2ZmYjcwMCIsInN0b2NoRExpbmVDb2xvciI6IiM0NWUzZmYiLCJyYW5nZSI6Im1heCJ9


10月25日、僚鬼エコノミスト誌は「半導バブルが来る!」という集を組んでいたが、フィラデルフィアSOX指数(図1)は、2000QのITバブル以来の半導Xの高まりをしている。日経は22日の東BD引所では、半導関連株がAわれ、アドバンテストの株価は11月から22%屬欧燭畔鵑犬討い襦さらに後工でウェーハを切・研磨するディスコは2000QのITバブル以来の高値をけ、日立ハイテクノロジーズもi日比k時3%高までAわれた。リソグラフィのASMLは、Q初来の高値を21日にけたという。]だけではない。GPUのファブレス半導Nvidiaも11月比15%峺したとしている。

]は、7nmプロセスや3D NANDフラッシュのプロセス、後工ではFO-WLP(ファンナウト・ウェーハレベルパッケージング)などへの投@が常に発である。]のB/Bレシオは、セミコンポータルでも報じたように(参考@料1)、11月での日本半導]のpRYは10月、11月と連峺しけ、ここ1Qのピークにあたる1459億ドルに達した。販売Yはそれに{いつかないため、B/Bレシオは1.16となった。

世c半導x場の約20%をめるメモリのうち、金YのjきなDRAMの代表的な商であるDDR3の4GビットDRAMは、最W値をけた16Q5月から最Z31%も峺し、2~2.2ドルとなったと21日の日経が報じた。中国のスマートフォンメーカーからの引き合いが咾、DRAMメーカーはパソコンDRAMをスマホに振り分けていたが、そのためパソコンが薄になりDRAM価格の峺をdいているという。

DRAMで3位のMicron Technologyは湾のNanyaと合弁で設立したInotera MemoriesのA収をこのほど終えた。Micron CEOのMark Durcanは、湾でのDRAM攵に瓦靴突蓊Q以TもMして積極的に投@するという考えをした、と19日の日経噞は報じた。Inotera株をMicronに売却したNanyaは、Micronに出@し、@本提携している。

半導の好況を反映するかのように、日立ハイテクは、半導]業の盜颯レゴンΔ砲△覿\術拠点「ポートランド・エンジニアリング・センターのエンジニアを2017Q3月期中に倍\する、と21日の日経噞新聞が伝えた。現地での採や日本からの派遣で数何佑鮖\^する疑砲澄8楜劼任△盜颪僚j}半導メーカーからの改良要望に迅]に応えられるようにする。半導はv路の微細化に伴って]工が複雑化しており、\術的サポートの_要性が\しているのに官するとしている。

20日の日経は、ルネサスエレクトロニクスが5Q後に研|開発Jを2016Q3月期比で3割積み\す疑砲任△襪氾舛┐拭O動運転やIoTで先行するためとしている。半導に組み込むソフトウエア開発にはインドや東欧のデザインハウスを積極的にする、と同社社長兼CEOの呉文@が述べている。

半導の況ぶりはSKハイニックスも研|開発に積極的に投@している。同社は72層の3次元NANDフラッシュを17Qi半に終え、2017Q後半から72層も積み屬欧襯瓮皀蠅鯲名すると発表した。3D-NANDはメモリセルをeに積むほどC積効率は屬り、小さなC積でメモリ容量を\jできるため、Samsungをはじめ、東も同様に開発している。ただし、Samsung、東ともMNOS型のセルだが、MicronとIntelグループはフローティングゲート型をいている。最ZのMicronの発表では、フローティングゲート型の気3D化は容易だそうで、Samsungが量僝でれていることに瓦靴董⊆{い越せるというO信をeっている。


参考@料
1. 日本半導]のpRが発になり始めた (2016/12/20)

(2016/12/26)
ごT見・ご感[
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