2017�Qの半導���x場はメモリバブル
2017�Q��4四半期のDRAM販売�Yは、64%�\の210億6100万ドルとなりそうだ、と�毫x場調�h会社IC Insightsが発表した（図1）。2017�Qを通して�i�Q比は74%になる。やはり2017�Qの半導���x場はメモリバブルと言えそうだ。この��4四半期の211億ドルは四半期ベースでも今�Q最高�Y。
図1 DRAM販売�Y 出�Z：IC Insights
1993�QからこれまでのDRAM販売�Yの�Q率平均�Pび率は13%成長。DRAMは乱高下の厳しい����であり、成長する�Qは60%以�屬�4�vもある（図2）。2017�Qの74%�\という数�Cは1994�Qの78%�\に次ぐ�jきな数�Cとなりそうだ。
図2 DRAMの�i�Q比成長率 出�Z：IC Insights
今�QDRAMがこれほどまで�Pびた理�yは、�\��できなかった（しなかった）ことが最�jの理�yだ。2015�Qから2016�Q中ごろにかけて、DRAMの在�Uが�Hくたまり、DRAMメーカーは�攵�を��らしながら在�Uを�Cき出し終えるのを待っていた。2016�Q中ごろからDRAM����の在�Uが�Cけた後、�攵�を拡�jしようにもラインは��には立ち�屬�らなかった。DRAMで20nm以下の微細化での歩�里泙蠅��屬�らなかったためだ。さらにゲーム機やデータセンター��サーバー向けの高性�Ε哀薀侫�ックスDRAMの��要が立ち�屬�った。秋にはスマートフォン��のモバイルDRAMも��要に応えられなかった。
IC Insightsはこれに加えて、スマホのマルチタスク処理の高�]･低価格を求めてスマホ1��内の平均的なDRAM容量が高まっていることも�屬欧討い�。つまり��要の高まりである。AppleのiPhone 8には2GB、iPhone Xには3GBの容量、SamsungのGalaxy S8は4GB、華為�\術のP10 PlusとHTCのU11は6GBも搭載されている。スマホの機�Δ�VR/AR（仮�[現実/拡張現実）などの機�Δ���くようになり、DRAM容量は�\える�妓�にある。
DRAMは�垉遒領鮖砲�ら、�jきく成長した翌ないし翌々�Qは�jきく落ち込んでいた。このためSamsungとSK Hynixは、新たなDRAM�攵��ξ�を2018�Qに向�屬気擦襪�、2017�Qの中ごろに発表している。2017�Qに投�@したものの、�n働は2018�Qに�vすようだ。Samsungによると、2017�Qの半導��設��投�@は260億ドルになるという。SK Hynixは中国の��漢に巨�jなラインを設立し、Micronは新たなDRAM工場を設立して�攵��ξ�を倍�\させるとしている。
しかし、これまで値�屬嘩k本調子でやってきたDRAM単価は、この12月5日になってわずか1%だが、下がり始めた。ただ、半導��の歴史はチップ単価の下落であったため、この��度の下落はまだ��容�J囲だという見�気呂△襪�、これまでのようなメモリバブルはそろそろ終わりを迎えることは間違いない。
