2013Qの世c半導ランキング、出荷Yが確定、Micronが5位に躍進

2013Qの世c半導販売Yランキングが確定した。これはx場調h会社のIC Insightsが発表したもの(表1)。これまで昨Qの11月に発表された2013Qランキング(参考@料1)はあるが、見込みの出荷Yであり今vは実績値である。数Cにはファウンドリの出荷Yも含まれているため、合Yは半導のx場模をvることにRTする要がある。 [→きを読む]
2013Qの世c半導販売Yランキングが確定した。これはx場調h会社のIC Insightsが発表したもの(表1)。これまで昨Qの11月に発表された2013Qランキング(参考@料1)はあるが、見込みの出荷Yであり今vは実績値である。数Cにはファウンドリの出荷Yも含まれているため、合Yは半導のx場模をvることにRTする要がある。 [→きを読む]
半導噞は、世c中がPび日本だけが成長していないという現実が突きつけられている。例えば、不ァ発性メモリIPベンダーの湾eMemory社は、日本でのビジネスにZ戦している。しかし同社のメモリIPを集積したシリコンウェーハは、世cx場では2013Qだけで8インチで200万をえ、で730万を突破した。 [→きを読む]
AMDが新しいGPU「Radeon E8860:コード@Adelaar」をリリースした。このシリーズは、コンピュータ向けというよりも、ゲーム機(パチンコやスロットマシーンなど)、デジタルサイネージ、医画、噞U御機_、通信インフラなどの組み込み機_を狙ったグラフィックスプロセッサ。組み込みUにを入れたのk環だ。 [→きを読む]
東の半導メモリに関する\術情報を、東の提携先であるSanDisk元社^がeち出したとしてj捕された。今vのPの1報は、13日の日本経済新聞D刊に掲載された。その後、Pはらかになってきた。これは、企業秘密をeち出し、合企業に提供するといった噞スパイ行為そのものである。 [→きを読む]
2013Qの半導x場はDRAMやフラッシュなどのメモリがけん引したが、メモリの給が緩み始めている。また、クルマ向けのカーエレクトロニクスは依として発であり、ルネサスが28nmのフラッシュメモリIPを開発した。欧Δ任流小型EV(電気O動Z)の実xにはトヨタが参加し、ホンダが参加を`指す。 [→きを読む]
Spansionが最j333MB/sと高]のデータレートで読み出せる新しいメモリインタフェースバスHyperBusを提案、このインタフェースを組み込んだ高]のNORフラッシュHyperFlashの1をリリースした。ピン数はわずか12ピンで読み出せるため、省スペースのクルマなどに向く。 [→きを読む]
LEAP(低電圧デバイス\術研|組合)が2013 IEDM(International Electron Devices Meeting)で発表した新しい相変化メモリ(参考@料1)は、TRAM(Topological switching RAM)と@けることがまった。GeTe/Sb2Te3格子の中のGeの‘阿世韻把笘B^と高B^をスイッチングする。このカルコゲン材料による格子を、トポロジカル絶縁と饑駘学の世cで}んでいる。 [→きを読む]
盜颪任蓮AMDやTI(Texas Instruments)の収益構]が改、エルピーダはDRAMに800億を投@する画を発表、東はOCZ Technology社のSSD業A収を完了した。ソニーはインドの業委mj}Evalueserveとの合弁会社を設立、欧櫃悗出願を膿覆垢襦 [→きを読む]
相変化メモリがRAMとして使える可性が出てきた。低電圧デバイス\術研|組合(LEAP)は、T晶AとT晶Bの,世韻覗蠹,任る原理をWしたメモリを開発し、1億vをえる書き換えv数をuた。これ以屬僚颪換えテストは時間がかかりすぎるため、中Vしたという。 [→きを読む]
IHSグローバルが2013Qの世c半導x場見通しを発表した。2013Qの半導x場見通しについてはすでにIC Insightsが発表している(参考@料1)が、IHSの統にはファウンドリを含まない。このため、本ランキングの合金Yが半導のx場を表していることになる。 [→きを読む]
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