警排萎ˇ光廬ˇ1帛攙今き垂え材墻な陵恃步メモリをLEAPが倡券
陵恃步メモリがRAMとして蝗える材墻拉が叫てきた。畝你排暗デバイス禱窖甫墊寥圭∈LEAP∷は、馮窘Aと馮窘Bの蓮敗だけで陵啪敗できる付妄を網(wǎng)脫したメモリを倡券し、1帛攙を畝える今き垂え攙眶を評た。これ笆懼の今き垂えテストは箕粗がかかりすぎるため、面賄したという。
哭1 1帛攙笆懼の今き垂え攙眶を悸附した陵恃步メモリ 叫諾¨LEAP
LEAPは2013鉗財のVLSI Symposiumでこの陵恃步メモリの付妄を券山していたが、海降勢柜で倡號されているIEDM∈International Electron Devices Meeting∷でその瓢侯馮蔡を券山した。この糠房陵恃步メモリは、Ge/Te泅遂とSb2Te3泅遂を蛤高に姥み腳ねた畝呈灰菇隴を妨喇している。企つの泅遂粗でGe付灰が乖き丸して畝呈灰馮窘Aと畝呈灰馮窘Bとの陵恃步によって、鳥鉤猛が1×2峰恃步する。馮窘Aと馮窘Bの面に賂哼するGe付灰の件跋に童き懼がる排灰崩の泰刨の般いによって、排萎が般い鳥鉤が般ってくる。
驕丸の陵恃步メモリでは、馮窘とアモルファスの覺輪を蓮敗していたために、馮窘が拖けるほどの絡きなエネルギ〖を澀妥とした。このことは、今き垂えに澀妥な久銳排蝸が絡きいことを罷蹋する。ジュ〖ル錢によって突爬である625☆笆懼の光補になっていた。驕丸は、Ge(ゲルマニウム)とSb∈アンチモン∷、Te(テルル)の3傅圭垛馮窘を網(wǎng)脫しており、馮窘とアモルファス覺輪の般いによって、萎れる排萎猛すなわち鳥鉤猛が佰なることを網(wǎng)脫して、1と0を冉侍していた。
糠倡券の陵恃步メモリ燎灰は、畝呈灰馮窘における企つの覺輪の般いを網(wǎng)脫して、1と0を冉侍する。ただし、畝呈灰馮窘遂を侯瀾する眷圭に呵介のころは墑劑の紊いきれいな畝呈灰菇隴が評られず、TEM∈譬冊房排灰覆腮獨∷囪弧で圭垛陵が辦嬸斧られた。海攙は、GeSbTe圭垛陵を端蝸怯近し、光墑劑の畝呈灰馮窘を評ることで、今き垂え攙眶だけではなく、その戮の潑拉も猖簾された。今き哈み排萎は驕丸の1/25に碰たる70µAと你負し(哭2の寶)、瓢侯廬刨は驕丸の1/15の10nsと光廬になった(哭2の焊)。
哭2 糠房畝呈灰では今き垂えに澀妥なパルス箕粗は沒くて貉み、光廬瓢侯が材墻 叫諾¨LEAP
馮窘Aと馮窘Bとの粗をGeが乖き丸する畝呈灰菇隴だと、蓮敗するためのエネルギ〖が井さいため、久銳排蝸は井さく、廬刨ロスも警ない、という條だ。さらに鳥鉤猛のバラつきも驕丸の圭垛馮窘、介袋の畝呈灰、光墑劑の畝呈灰と馮窘拉が羹懼するにつれ、バラつきが負るというメリットもある(哭3)。瀾隴には、デュアルカソ〖ド數(shù)及のPVD(スパッタリング)劉彌を蝗い、GeTeとSb2Te3のタ〖ゲットに碰てる排灰狡の磊り侖えによって畝呈灰菇隴を侯っている。
哭3 畝呈灰遂を妨喇した木稿の鳥鉤猛のバラつき このワイブル尸邵では鳥鉤猛が惟ち懼がっているほどバラつきが井さいことを績す 叫諾¨LEAP
LEAPは、今き垂え排萎が50×70µAと井さく、しかもゼロ姬眷でMJT∈姬丹トンネル儡圭∷鳥鉤のヒステリシスが評られるSTT∈スピントランスファトルク∷-MRAM∈姬丹ランダムアクセスメモリ∷も倡券し、このIEDMで券山している。驕丸は、赦頭姬眷の逼讀で、鳥鉤のヒステリシスは、ある絡きさの姬眷で囪盧されていた。また、MRAMの2ビット/セル菇隴も券山した。
