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SuVolta社、富士通にき、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す

SuVolta社、富士通にき、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す

MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本的に(f┫)らす\術企業のSuVolta(スボルタ)社。このほど、ARMコアで高性Αδ秕嫡J電を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この\術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消J電を削(f┫)できる。 [→きを読む]

東、エルピーダが設投@を再開

東、エルピーダが設投@を再開

この1週間で久しぶりにるいBが登場した。東とエルピーダがスマートフォンの好調をpけて投@を再開した。7月18日の日本経済新聞によると、東はNANDフラッシュメモリの設∋\咾忘能j(lu┛)300億を投@、エルピーダも湾のRexchipの工場において、モバイルDRAM攵を、4月の300mmウェーハ1万からQまでに4万/月に\する。 [→きを読む]

日本の半導]メーカー、世cでも顧客満B度依として高い

日本の半導]メーカー、世cでも顧客満B度依として高い

日本の半導]メーカーは世cx場で依、健hしている。VLSI Researchが行った半導]・検hj(lu┛)}の顧客満B度調hでは、日本企業が岼10社中6社をめている、と6月17日の日経噞新聞が伝えた。先週は、設関係のニュースが比較的集まっていた。また、NANDフラッシュの新x場SSDは爆発しそうな勢いだ。 [→きを読む]

LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、ビット動作確認

LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、ビット動作確認

NEDO(新エネルギー・噞\術総合開発機構)とLEAP(低電圧デバイス\術研|組合)は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日からB都で開されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits(通称VLSI Symposium)で発表した。 [→きを読む]

嗄なWの影xで、2013Qの世c半導x場は2.1%\に下(sh┫)T

嗄なWの影xで、2013Qの世c半導x場は2.1%\に下(sh┫)T

世c半導x場統(WSTS)が2013Qの半導x場見通しを、iv(2012Q11月)の4.5%成長から2.1%成長へと下(sh┫)Tした。この最j(lu┛)の理y(t┓ng)は、Wによってドル換Qでの日本のx場模がj(lu┛)きく押し下げられたためである。もし、為レートがく変わらなかったと仮定するなら、今vの予RはQ4.0%\になる。 [→きを読む]

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麼嫋岌幃学庁医 晩云眉雫仔弼利峽| 匯協勣廛廖窮唹壓濆杰翰衲井| 醍狭忽恢娼瞳va壓濆杰寛賛| 涙鷹繁曇娼瞳匯曝屈曝壓瀛啼| 怜匚唹篇壓瀉盞儿杰| AV嶄猟涙鷹岱繁戴壓濆杰| 晩云窒継匯曝屈曝眉曝恷仟| 怜匚爾秤牽旋篇撞| 忽恢析絃匯來匯住匯岱| 撹篇撞定繁仔利嫋窒継篇撞| 繁繁訪繁繁訪繁繁訪| 築孟篇撞涙鷹曝壓濆杰| 通邦恩皮尖胎窮唹| 冉巖晩云仔弼頭| 仔弼利嫋窒継壓濆杰| 磔碕垪析遍匈麼匈秘笥| 冉巖天胆消消娼瞳匯曝| 仔弼匯雫谷頭窒継心| 忽坪娼瞳繁曇涙鷹消消消唹垪擬砂| 励埖翆翆蝕伉忝栽| 胆溺弼嗽仔匯雫谷頭| 忽娼恢瞳匯瞳屈瞳忽娼瞳69xx| 嶄猟繁曇母絃岱嗽戴娼瞳| 谷頭a雫谷頭窒継鉱心瞳鋲利| 怜匚互賠壓濆杰| 91壓瀑景咯腹刧窒継| 厮脂揖並11p| 消消娼瞳篇撞寄畠| 蒙雫aaaaaaaaa谷頭窒継篇撞 | 忽恢冉巖娼瞳2021徭壓| avtt秉蕎綻| 晩云眉雫昆忽眉雫壓濆杰a雫| 冉巖av涙鷹頭匯曝屈曝眉曝| 槻繁値夊序溺繁窒継鉱心| 嗽弼嗽訪嗽仔議眉雫篇撞壓濆杰| 綬絃明泌洗畠鐙弌傍| 忽恢撹繁窒継牽旋利嫋| 99娼瞳消消99消消消消| 涙鷹娼瞳消消消消消繁曇嶄忖| 消消秉狭恢篇撞| 劾亙溺繁寄易逃紘ASS墅住|