サムスン、3次元NANDを64個搭載したSSDを量�凮始
8月6日にサムスン電子が3次元NANDフラッシュメモリの量��を開始するというニュースを発表したが(参考�@料1)、その完成度は実はかなり高いことがわかった。13日にはこの同じ3次元NANDフラッシュを��いたSSD（ソリッドステートドライブ）を�攵凮始したと発表したのである。 [→��きを読む]
メモリ
サムスン、3次元�e構�]NANDフラッシュの量�凮始を発表
![サムスン、3次元�e構�]NANDフラッシュの量�凮始を発表](/assets_c/900px/130812-toshibasamsung.png "サムスン、3次元�e構�]NANDフラッシュの量�凮始を発表")
8月6日の日本経済新聞は、1�Cトップに「東��、サンディスクと半導��新工場、4000億��投�@、最新メモリーで巻き返し」という見出しの記��を掲載、半導��業�cを驚かせた。ただ、直後の7日に開��された東��の経営��(sh┫)針説��会では、このことに関して田中久�d社長は�k切�Bをせず��問も出なかった。 [→��きを読む]
2013�Q�嵌彰�の世�c半導��メーカートップ20社ランキング、メモリ復��
2013�Q�嵌彰�の世�cの半導��メーカートップ20社ランキングを�毫x場調�h会社のIC Insightsが発表した。これによると1位Intel、2位Samsung、3位TSMC、4位Qualcommは�i�Q同期と変わらないが、5位にメモリメーカーのSK Hynixが入った。 [→��きを読む]
SuVolta社、富士通に��き、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す
MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本��的に��(f┫)らす�\術企業のSuVolta（スボルタ）社。このほど、ARMコアで高性�Αδ秕嫡J電��を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この�\術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消�J電��を削��(f┫)できる。 [→��きを読む]
東��、エルピーダが設��投�@を再開
この1週間で久しぶりに��るい�Bが登場した。東��とエルピーダがスマートフォンの好調を�pけて投�@を再開した。7月18日の日本経済新聞によると、東��はNANDフラッシュメモリの設�∋\�咾忘能j(lu┛)300億��を投�@、エルピーダも��湾のRexchipの工場において、モバイルDRAM�攵�を、4月の300mmウェーハ1万��から�Q��までに4万��/月に�\��する。 [→��きを読む]
DRAMの平均単価が�峺�、�Q間では�i�Q比28%�\の�x場に
DRAMの平均単価ASP（average selling price）が2010�Q��4四半期レベルにまで戻った。2013�Q��1四半期の1.97ドルが��2四半期には2.42ドルになり、以�Tの��3四半期、��4四半期はそれぞれ2.53ドル、2.52ドルと�x場調�h会社のIC Insightsは予�Rしている。 [→��きを読む]
日本の半導�����]����メーカー、世�cでも顧客満�B度依��として高い
![日本の半導�����]����メーカー、世�cでも顧客満�B度依��として高い](/assets_c/900px/130617-equipmentmakers.png "日本の半導�����]����メーカー、世�cでも顧客満�B度依��として高い")
日本の半導�����]����メーカーは世�c�x場で依��、健�hしている。VLSI Researchが行った半導�����]・検�h�����j(lu┛)�}の顧客満�B度調�hでは、日本企業が�岼�10社中6社を��めている、と6月17日の日経�噞新聞が伝えた。先週は、設��関係のニュースが比較的集まっていた。また、NANDフラッシュの新�x場SSDは爆発しそうな勢いだ。 [→��きを読む]
LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、��ビット動作確認
NEDO（新エネルギー･�噞�\術総合開発機構）とLEAP（��低電圧デバイス�\術研�|組合）は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日から�B都で開��されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits（通称VLSI Symposium）で発表した。 [→��きを読む]
�嗄�な���Wの影�xで、2013�Qの世�c半導���x場は2.1%�\に下��(sh┫)�T��
世�c半導���x場統��（WSTS）が2013�Qの半導���x場見通しを、�i�v(2012�Q11月)の4.5%成長から2.1%成長へと下��(sh┫)�T��した。この最�j(lu┛)の理�y(t┓ng)は、���Wによってドル換�Qでの日本の�x場��模が�j(lu┛)きく押し下げられたためである。もし、為��レートが��く変わらなかったと仮定するなら、今�vの予�Rは���Q��4.0%�\になる。 [→��きを読む]
パソコンからモバイルへのメガトレンドの加�]に�官�する電子�Q社
![パソコンからモバイルへのメガトレンドの加�]に�官�する電子�Q社](/assets_c/900px/130527-mobileshift.png "パソコンからモバイルへのメガトレンドの加�]に�官�する電子�Q社")
パソコンからモバイルへの動きが加�]している。先週のニュースはこの動きを見��に反映している。ディスプレイパネル、NANDフラッシュ、CMOSセンサ、プリント基��、モバイル通信インフラ、��てが、スマホ・タブレットへのメガトレンドに乗っている。 [→��きを読む]
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