SuVolta家、少晃奶に魯き、ARM、UMCとも防腆、喇墓措度へ僻み叫す
MOSトランジスタのゲ〖トしきい排暗Vthのバラつきを塑劑弄に負らす禱窖措度のSuVolta∈スボルタ∷家。このほど、ARMコアで光拉墻ˇ你久銳排蝸を悸沮、さらにUMCと28nmプロセスを鼎票倡券することを券山した。この禱窖は、Vthバラつきを井さくできるため、排富排暗を布げ、久銳排蝸を猴負できる。
哭1 Vthのバラつきが井さいと排富排暗を布げられる 叫諾¨SuVolta
驕丸のMOSトランジスタ禱窖では、腮嘿步するほどVthがバラつくため、そのマ〖ジンを雇えると排富排暗を布げられなかった。疙瓢侯する恫れが絡きくなるためだ。Vthのバラつき尸邵が井さければマ〖ジンを澆尸に艱れるため、排富排暗を布げても疙瓢侯しない。SuVoltaの禱窖はこのVthバラつきが塑劑弄に井さい(哭1)。しかもこの禱窖は、貸賂の欄緩肋灑を網脫して瀾隴できるという潑墓もある。抨獲砷么がかからず、久銳排蝸を布げ、拉墻を懼げられる。
票家は2012鉗12奉に少晃奶セミコンダクタ〖にライセンスを丁涂し、65nmプロセス禱窖で你久銳排蝸ˇ光廬の跟蔡を澄千していた。海攙は、ARMのCortex-M0プロセッサコアにSuVoltaの禱窖を努脫し、久銳排蝸の猴負と瓢侯拉墻の羹懼を澄千したもの。LSIの拉墻弄には、1坤洛覓れたプロセスでも、渴んだプロセスと票じ潑拉を叫せる。
惡攣弄には、ARM Cortex-M0プロセッサコアを驕丸プロセスとSuVoltaのDDC∈Deeply Depleted Channel¨考い鄂順霖のチャンネルを網脫するトランジスタ禱窖∷プロセスでそれぞれ瀾侯し、潑拉を孺秤した。その馮蔡、クロック件僑眶をどちらも350MHzで瓢侯させると、DDC禱窖で侯ったM0プロセッサは久銳排蝸が50%布がった。また久銳排蝸が票じになるようにクロック件僑眶を恃えると糠禱窖によるプロセッサの瓢侯廬刨は35%羹懼、排富排暗を票辦にして瓢侯させると廬刨は55%羹懼したとしている。
DDCトランジスタでSRAMを侯ったが、SRAMは150mVという你排暗で瓢侯したという。さらに、粕み叫し瓢侯でのリ〖ク排萎による排蝸は50%布がり、デ〖タを瘦積するリテンションモ〖ドでのリ〖ク排蝸は1/5笆布になったとしている。
SuVoltaはさらにUMCと28nmプロセスを鼎票倡券することを券山した。28nmプロセスで黎片を乖くTSMCが候鉗、欄緩殊偽まりが懼がらなくて28nm LPプロセスを網脫したアプリケ〖ションプロセッサの欄緩が粗に圭わなかった。TSMCの稿啃を且しているUMCが28nmプロセスを裁廬してTSMCに納い燒き/納い臂すためには、驕丸のトランジスタでは欄緩惟ち懼げが覓れてしまう恫れがある。Vthのバラつきが警なければ殊偽まり羹懼や欄緩惟ち懼げを玲くできるはず。
UMCが附哼倡券面あるいは叫操面の28nmプロセスのLSIに簇しても、リ〖ク排萎の驢いトランジスタだけをDDCトランジスタに彌き垂えるというオプションと、これから倡券するようなLSIでは鏈てのトランジスタをDDCトランジスタで肋紛する、というオプションで尉家は圭罷している。UMCの黎眉禱窖嬸嚏バイスプレジデントのT. R. Yew會は、≈SuVoltaの黎眉禱窖を碰家のHKMG∈ハイK/メタルゲ〖ト∷プロセスに瞥掐することによって、貸賂のポリSiONプロセスと陵輸って、28nmモバイルコンピュ〖ティングのためのプロセスプラットフォ〖ムを捏丁していきたいと蛔っています∽と胳っている。
哭2 SuVoltaのCOOに艦扦したLouis Parrillo會
SuVoltaは、DDC禱窖をライセンス丁涂するIPベンダ〖であり、禱窖蝸をウリにする片薔措度だ。かつてBell LaboratoriesでCMOSツインタブ禱窖を倡券し、Motorola、Rambusで沸蹦嬸嚏を沸賦してきたLouis Parrillo會を23泣にCOO∈呵光脊乖勒扦莢∷に扦炭したと券山した。票會は瀾隴パ〖トナ〖家眶をすでに6家笆懼も籠やしたという。SuVolta家には、絡緘銅嘆なベンチャ〖キャピタル(VC)であるクライナ〖ˇパ〖キンスˇコ〖フィ〖ルド□バイヤ〖ズやオ〖ガストキャピタルなど、そうそうたるところが叫獲している。
