LEAP（��低電圧デバイス�\術研�|組合）が2013 IEDM（International Electron Devices Meeting）で発表した新しい相変化メモリ(参考�@料1)は、TRAM（Topological switching RAM）と�@��けることが��まった。GeTe/Sb2Te3��格子の中のGeの�‘阿世韻把笘B�^と高�B�^をスイッチングする。このカルコゲン材料による��格子を、トポロジカル絶縁��と�饑��駘�学の世�cで�}んでいる。 [→��きを読む]
��(sh━)国では、AMDやTI（Texas Instruments）の収益構�]が改��、エルピーダはDRAMに800億��を投�@する��画を発表、東��は��(sh━)OCZ Technology社のSSD��業�A収を完了した。ソニーはインドの����業��委�m�j(lu┛)�}Evalueserveとの合弁会社を設立、欧��(sh━)への����出願を�膿覆垢襦� [→��きを読む]
![少電流・高�]・1億�v書き換え可�Δ柄衒儔愁瓮皀蠅�LEAPが開発](/assets_c/900px/131212-leap.png "少電流・高�]・1億�v書き換え可�Δ柄衒儔愁瓮皀蠅�LEAPが開発")
相変化メモリがRAMとして使える可��性が出てきた。��低電圧デバイス�\術研�|組合（LEAP）は、�T晶Aと�T晶Bの���，世韻覗蠹��，任�る原理を�W(w┌ng)��したメモリを開発し、1億�vを��える書き換え�v数を�u(p┴ng)た。これ以�屬僚颪�換えテストは時間がかかりすぎるため、中�Vしたという。 [→��きを読む]
IHSグローバルが2013�Qの世�c半導���x場見通しを発表した。2013�Qの半導���x場見通しについてはすでにIC Insightsが発表している（参考�@料1）が、IHSの統��にはファウンドリを含まない。このため、本ランキングの合��金�Yが半導������の�x場を表していることになる。 [→��きを読む]
ビッグデータ、データセンター、ストレージ、NANDフラッシュ、複雑な高集積プロセス。�k見関係のない言��だが、半導��のプロセスがITデータセンターの�\術と今、深く�Tびついている。AEC/APCレポート(参考�@料1)で報告したように、ビッグデータの解析に使うHadoopソフトウエアが、複雑な半導��プロセスパラメータの解析にも使われるようになり、NANDフラッシュはHDDと��き換わる��(c┬)渡期にある。 [→��きを読む]
ISSCC（International Solid-State Circuits Conference）2014の��要が�wまった。半導��の世�cはアジアシフトが��(d┛ng)まっていることから、東�Bを皮切りにソウル、����、シンガポール、���Bでも記�v会見を行った。この国際半導���v路会議は、アナログからRF、デジタル、低電��デジタル、プロセッサ、メモリ、イメージセンサなどをカバーし、ここから見えることはやはり、モバイル端��が�\術をけん引していることだろう。 [→��きを読む]
��湾が好調だ。2013�Qにおける半導��関連�噞の売り�屬欧���(c┬)去最高で、�i�Q比14%�\の1兆7577億��湾元（5兆8700億��）になるという見通しを��湾のIT�Uシンクタンクが発表したと日経�噞新聞が18日に伝えた。国内ではパナソニックが世�cで最初のHDMI2.0��拠の通信LSIを商��化した。��(sh━)国ではTexas Instruments社がコイルを�W(w┌ng)��するセンサの信��(gu┤)処理�v路を発表した。 [→��きを読む]
日本時間9月11日にアップルのiPhone5Sの発表があったものの、報�Oの��(c┬)�X感はさほどでもなかった中、64ビットアプリケーションプロセッサ（APU）が初めてスマートフォンに搭載された。この�T果、DRAMをいくらでも積めるようになる。東��は半導��・ストレージ��業を2015�Q度までに�Q平均6.8%で成長させるという中期��画を投�@アナリスト向けに発表した。 [→��きを読む]
21�vを迎えたISSMと、��湾TSIA主��(h┐o)のe-Manufacturing & Design Collaboration Symposium (eMDC)のジョイントシンポジウムが9月6日、��湾、新�艚xのAmbassador Hsinchu Hotelにて開��(h┐o)され、260�@の参加�vが集った。会場はTSMCを中心とした��湾の�{いエンジニアが����の8割以�屬鰒�め、��気溢れる会合であった。 [→��きを読む]
東��は8月23日、四日�x工場の��5���]棟の��2期工��の��工式を行ったと発表した。これまで伝えてきたように（参考�@料1）、NANDフラッシュの3Dプロセスや次世代リソグラフィプロセス��などの���]を�`的としており、2014�Q��(c│i)に�A工予定となっている。 [→��きを読む]
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