東��は四日�x工場の��5棟に最新設�△鯑各�、14�Q度�峇�にNANDフラッシュの�\��を始めると発表している。昨�Q春にサムスンが��(f┫)��したことを�pけ、同�Q��(c│i)に東��も3割の��(f┫)��に踏み切った。このため、今�Qに入ってようやくNANDフラッシュの単価が�v復し、供給不�Bが�`立ってきた。加えて、NANDフラッシュでは、金融システムからの��(d┛ng)い要�个亦�ってサーバを��来のHDDからSSDへと切り��えようとする動きも始まっている。先週、日本ヒューレット・パッカードは、SSD4��構成の96Tバイトのストレージ����を発売した。��来型よりも処理�]度は4割�]いという。

スマホやタブレットなどモバイルデバイス��のストレージにはNANDフラッシュが定��しているが、DRAMはパソコン��からモバイルデバイス��へ��要が�\えており、DRAMの単価は�v復しつつある（参考�@料1）。今�Qの��2四半期には�i�Q同期比42%�\の2.42��(sh━)ドルになった。今�Qの��3、��4四半期ともそれぞれ同50%�\、同46%�\で�v復するとIC Insightsは見ている。

東��は、NANDフラッシュの先のメモリデバイスとして、MRAMもReRAMも開発しており、18日の日刊工業新聞によると、2014�QからMRAMをサンプル出荷し、ReRAMの出荷は2015�Q以�Tになる見込みだという。

18日の日経によると、ソフトバンクが�\料電池��業に参入すると発表した。同社は発電��業としての�\料電池を�[定しているが、クルマ向けの�\料電池の開発も��発になっている。ホンダとトヨタが�\料電池�Zの実��化を進めている。21日の日経には「量�厽�Zに」という見出しの記��が掲載されたが、�\料電池�Zには水素ステーションの設��や、高価な反応触��である白金をいかに��(f┫)らすか、といった課��は�Hい。ただし、Liイオン電池は�v�撻屮譟璽�や始動時の動��アシストなど�\料電池�Zでも��ず使われるため、開発を��けるだけではなく、それに�L(f┘ng)かせないバッテリマネジメントや定電流?d─ng)v路など、Liイオン電池に使われる半導��の��要は��(f┫)らない。

18日の日経�噞新聞には、��菱電機がパワー半導��を�L(zh┌ng)外で拡販するというニュースが掲載された。2012�Q度は中国の家電や欧�Δ糧�送電機�_(d│)、鉄�O�Z両向けが落ち込んだが、2013�Q度はそれらの在�Uが�k�Cされ、��要が�v復すると��菱は期待している。国内��要は再�擴��Ε┘優襯�ーの�Aい�Dり�U(ku┛)度が定��しており、�W定だが、�L(zh┌ng)外をこれから�Pばしていきたいとしている。パワー半導��の��要の高まりに応じて、ADEKAはパワー半導��向けの高�a(b┳)��の封�V剤を開発したと17日の日経�噞が伝えた。250℃まで耐えられ、2016�Q度までに量��するという。

NTTファミリの代表的企業であったNECが、スマホから����する見通しだと18日の日経が報じた。スマホそのものは、世�c的にここ5�Q以���Pびていく成長�噞である。にもかかわらずNECはNTTドコモのファミリから�sけていくことになる。

スマホは成長�噞とはいえ、スマホ端��だけがビジネスではない。たとえばサムスンは、端��は、いずれ中国の華為�\術やZTEに�sかれるとみて、BYOD（bring your own device）といったモバイル機�_(d│)の管理分野にも乗り出している。誰もが個人のスマホを職場にも�eち込む（bring）時代には、職場のコンピュータのセキュリティを守るために、スマホそのもののセキュリティをハードウエアから���wにするという�\術を開発している。この分野でモバイル端��管理ソフトメーカーのAirWatch社と提携している。�Pびているスマホの分野でいかにして�O社を�Pばすかが、今問われている。

参考�@料
1. DRAMの平均単価が�峺�(j━ng)、�Q間では�i�Q比28%�\の�x場に (2013/07/13)