メモリ��給が緩み始め、クルマ�\術が��発に動く
2013�Qの半導���x場はDRAMやフラッシュなどのメモリがけん引したが、メモリの��給が緩み始めている。また、クルマ向けのカーエレクトロニクスは依��として��発であり、ルネサスが28nmのフラッシュメモリIPを開発した。欧�Δ任流�小型EV（電気�O動�Z）の実�xにはトヨタが参加し、ホンダが参加を�`指す。
2月22日の日本経済新聞によると、パソコン��DRAMの価格が半�Qぶりにわずかながら（1月比で2%��）下落した。2月�i半の�j口�D引価格で2GビットのDDR3��の単価が1月より0.05ドル�Wい2.05ドルとなった。DRAMを複数個並べたDRAMモジュールの価格は、4Gバイト��（2Gビット��を16個ないし18個）で32.5ドル�i後だとしている。マイクロソフトのWindows XPのサポート終了に伴う、�Aい��え��要がやってきているが、昨�Q���uに見舞われたSK Hynixの中国工場が�攵�ラインを�v復しつつあり、供給���Uが揃ってきたといえる。
国内では4月からの消�J�\税に�瓦垢襯僖愁灰鵑霊~け込み��要があり、DRAM�x況は好調だが、�\税以�Tの見通しは立っていない。また�L外、��にアジアでは春�I（旧��月）が終わり中国メーカーの供給が戻ってきているようだ。
クルマ向けの半導��では、ルネサスエレクトロニクスがフラッシュマイコンに集積するメモリの�j容量化を図るため、��来の40nmから28nmへ微細化したメモリIPを開発した。40nmではメモリ容量は最�j8Mバイト（64Mビット）だが、28nmでは16Mバイト（128Mビット）を提供できる。このIPは実際にシリコンに焼き��けた試作チップで160MHzの高�]動作や20�Qのリテンション、25万�vの書き換え�v数を確認したもの。
ルネサスが�eつフラッシュマイコン��のメモリセルにはMONOS（metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor）構�]を採��している。これは2層ポリシリコン構�]よりも微細化しやすいという��長がある。同社はMONOS構�]のフラッシュマイコンの実績を�_ねてきた。メモリ容量�\加によって、次世代�W��システムADASや�U御アルゴリズムの開発に��みがつく。
��小型�O動�Zを、欧�Δ任呂茲�見かけるが、トヨタは�O社��EVの「アイロード」（二人乗り）とトヨタ�Z����の「コムス」(�k人乗り)(図1)合��70��をフランスでの3�Q間の実証実�xに提供する、と21日の日経が報じた。また、ホンダも二人乗りのEV「MC-β」の欧���t開を�`指すという。��小型�Zは�O幅の狭い欧�Δ任����Uが少なく、日本よりも普及している。このため、トヨタやホンダは欧����格での認定を�Dり、進出を��めたい考えだ。
図1 トヨタ�Z��が販売している��小型EV「コムス」
先週は半導�����]����メーカーのニュースもあった。東�BエレクトロンがApplied Materialsとの統合に関する報告書を�歉敖w�D引委�^会に提出した、と24日の日経�噞新聞が伝えた。2014�Q後半の統合に向けた���△麓卞發任眇覆鵑任い襪茲Δ澄�ニコンは、�_ね合わせ�@度を��来の2.0nmから1.7nmに高めたArF�]浸レーザーリソグラフィ����「NSR-S630D」の�p�Rを始めた。またスループットも、300mmウェーハ96ショットの条�Pで、��来機の220��/時から250��/時へと高めた。ダブルパターン����を狙っている。
