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メモリ給が緩み始め、クルマ\術が発に動く

2013Qの半導x場はDRAMやフラッシュなどのメモリがけん引したが、メモリの給が緩み始めている。また、クルマ向けのカーエレクトロニクスは依として発であり、ルネサスが28nmのフラッシュメモリIPを開発した。欧Δ任流小型EV(電気O動Z)の実xにはトヨタが参加し、ホンダが参加を`指す。

2月22日の日本経済新聞によると、パソコンDRAMの価格が半Qぶりにわずかながら(1月比で2%)下落した。2月i半のj口D引価格で2GビットのDDR3の単価が1月より0.05ドルWい2.05ドルとなった。DRAMを複数個並べたDRAMモジュールの価格は、4Gバイト(2Gビットを16個ないし18個)で32.5ドルi後だとしている。マイクロソフトのWindows XPのサポート終了に伴う、Aいえ要がやってきているが、昨Quに見舞われたSK Hynixの中国工場が攵ラインをv復しつつあり、供給Uが揃ってきたといえる。

国内では4月からの消J\税に瓦垢襯僖愁灰鵑霊~け込み要があり、DRAMx況は好調だが、\税以Tの見通しは立っていない。またL外、にアジアでは春I(旧月)が終わり中国メーカーの供給が戻ってきているようだ。

クルマ向けの半導では、ルネサスエレクトロニクスがフラッシュマイコンに集積するメモリのj容量化を図るため、来の40nmから28nmへ微細化したメモリIPを開発した。40nmではメモリ容量は最j8Mバイト(64Mビット)だが、28nmでは16Mバイト(128Mビット)を提供できる。このIPは実際にシリコンに焼きけた試作チップで160MHzの高]動作や20Qのリテンション、25万vの書き換えv数を確認したもの。

ルネサスがeつフラッシュマイコンのメモリセルにはMONOS(metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor)構]を採している。これは2層ポリシリコン構]よりも微細化しやすいという長がある。同社はMONOS構]のフラッシュマイコンの実績を_ねてきた。メモリ容量\加によって、次世代WシステムADASやU御アルゴリズムの開発にみがつく。

小型O動Zを、欧Δ任呂茲見かけるが、トヨタはO社EVの「アイロード」(二人乗り)とトヨタZの「コムス」(k人乗り)(図1)合70をフランスでの3Q間の実証実xに提供する、と21日の日経が報じた。また、ホンダも二人乗りのEV「MC-β」の欧t開を`指すという。小型ZはO幅の狭い欧Δ任Uが少なく、日本よりも普及している。このため、トヨタやホンダは欧格での認定をDり、進出をめたい考えだ。


図1 トヨタZが販売している小型EV「コムス」

図1 トヨタZが販売している小型EV「コムス」


先週は半導]メーカーのニュースもあった。東BエレクトロンがApplied Materialsとの統合に関する報告書を歉敖wD引委^会に提出した、と24日の日経噞新聞が伝えた。2014Q後半の統合に向けた△麓卞發任眇覆鵑任い襪茲Δ澄ニコンは、_ね合わせ@度を来の2.0nmから1.7nmに高めたArF]浸レーザーリソグラフィ「NSR-S630D」のpRを始めた。またスループットも、300mmウェーハ96ショットの条Pで、来機の220/時から250/時へと高めた。ダブルパターンを狙っている。

(2014/02/24)
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