図1　2016�Q度の�nぎ頭は電子デバイス　ROS (Rate of Sales) は経常�W(w┌ng)益率　出�Z：東��

東��の電子デバイス�靆腓蓮�半導��とHDDから成り立っているが、その中でも際立って成長のエンジンとなっているのがやはりNANDフラッシュ。この��業だけの�`�Y金�Yや実績を��らかにしていないが、成長の��(sh┫)針は定まった。成長を実現するためには設��投�@は不可�L。そのためのアグレッシブな投�@をこの1〜2�Qで行う。14日の日経によると、東��はSanDiskと共同で合��5000億��を3D NANDフラッシュのために投�@する。東��はこれとは別に、すでに4000億��の投�@も��めている、と日経は昨�Q報じた（参考�@料1）。

東��は微細化と3次元(3D)構�]のNANDフラッシュの�攵巤期をオーバーラップさせる��(sh┫)向で投�@していく(図2)。これまでの19nmNANDフラッシュ����を��2世代の15nmへと微細にし、この4月から�攵�を開始した。また3D構�]のNANDフラッシュは2014�Q度のサンプル出荷を予定している。

図2　15nmプロセスと3D化2015�Q度後半にオーバーラップ　出�Z：東��

NANDフラッシュに�_点を��くのは、その�x場がさらに�jきく成長しそうだからだ。NANDフラッシュは当初、携帯電�Bのストレージから始まり、デジタルカメラのストレージ、最�Zではスマートフォンやタブレットのストレージに�j量に出荷されている。これからはSSDへの応��が本格化すると見込んでいる。すでにIBMはSSDへ1000億����模の投�@を昨�Q春に発表している（参考�@料2）。東��はHDD�靆腓盞eっているため、SSDの�x場や顧客に�瓦靴�HDDのビジネス顧客基盤を最�j限に����する、と代表執行役社長の田中久�d��は述べている。

NANDフラッシュでは、3D NAND向けの設�△鮟jきく変えなければならない。これまでのプレーナ型のメモリセルで��いられてきたポリシリコンのフローティングゲート構�]ではなく、シリコン窒化膜を�W(w┌ng)��する構�]へと変換する。このためのCVD、エッチャーだけではなく、スパッタやメッキ、CMPなど3D構�]専��の設�△���要になる。今���A工予定の四日�x工場のY5棟��2フェーズで15nmラインの量��を立ち�屬欧晋紂�Y4、Y3棟の�J�Tの�攵欻と連携して投�@�Yを削��できるように、新��にN-Y2棟をY3棟に�u設する。N-Y2棟は3D専��工��の���\棟となるとしている。2015�Q��に�A工する予定だ。ここに次世代露光����、成膜、エッチングなどの最先端����を順次導入していく。2015�Q後半ごろが3D構�]への�々垰�期になるという。

東��がNANDフラッシュを軸に成長戦�Sを立てたもう�kつの背景には、2013�Q度(2014�Q3月期���Q)に電子デバイスグループの売�峭發�、2012�Q度の1兆2866億��から、31.6%�\の1兆6934億��と��成長したことがある。営業�W(w┌ng)益は、�i�Q度の977億��から13�Q度には2385億��となった。営業�W(w┌ng)益率は14%と2ケタ��に�Pびた。なお、半導����業で、ディスクリートとシステムLSIも���C����へ変えると田中社長は述べたが、その�O筋は��さなかった。

東��の不�W要素は、NANDフラッシュの�j�}ユーザーが社内にいないことだ。スマホやタブレットの�j�}はAppleやSamsungであり、SSDを�W(w┌ng)��する�j�}ITベンダーも社外にいる。22日の経営説��会では、電子デバイス��業の他に、電��・社会インフラ��業、コミュニティ・ソリューション��業、ヘルスケア��業、ライフスタイル��業についても�Bがあった。しかし、これらの��業分野とNANDフラッシュの�x場とがかみ合っていない。図1に��すように営業�W(w┌ng)益が最�jになる��業は電子デバイスと設定しているが、��(j┤ng)来、電子デバイス��業の設�△鯏蟀@する場合には、外�雜楜劼肇瓮�トレンドを見据えることは不可�Lである。

参考�@料
1. サムスン、3次元�e構�]NANDフラッシュ量�凮始を発表 (2013/08/12)
2. IBM、フラッシュストレージの新��開発に10億ドルを投�@、東��はどう出る？ (2013/04/17)