Samsung、4チップ積層TSVで128GBのDIMMを量�凮始
Samsung ElectronicsがTSV（Through silicon via）を使い、DRAMチップを4���_ねた構�]のメモリパッケージを9個使った128GバイトのDDR4メモリモジュールの量��を開始した。ハイエンドの企業向けサーバーやデータセンター向けのメモリモジュール。
図1 Samsungが量�凮始した128GB DDR4モジュール 出�Z：Business Wire
DRAMチップを��数���_ねてTSV�\術などで容量を�\やし、メモリとCPUとの�{�`を�]くしコンピュータシステムの�]度を�屬欧茲Δ箸いζ阿�は最�Z��に�Hい。もはやプロセッサ（CPU）の�]度でコンピュータシステムの性�Δ��屬�る�lではなく、メモリ容量を�屬押�CPUと�j量のデータをやり�Dりする�気�システム�]度は高まる。
���]プロセスとしては、DRAM容量をシングルチップで�屬欧襪海箸��Mしくなってきている。DRAMのキャパシタを�\加させる�\術が限�cに�Z��いてきているためだ。今�v使われたチップは、DRAMとして最も微細な20nmルールで���]され、チップ単��の容量は8Gビット（＝1Gバイト）である。�kつのモールドパッケージにはチップを4���_ねているため、1パッケージ当たり4Gバイトの容量となる。このメモリモジュールRDIMM（Registered Dual In-line Memory Module）は両�C実�△靴討�り、���陲�36個のメモリパッケージを搭載している。�駘�的には、���陲�144Gバイトを積んでいる形になる。このモジュールでは1ビットを誤り�ﾙ�のためのパリティビットとしているため、��実�屬�8ビット+1ビットの9ビットを1バイトと数えている。だから実際に使える実効メモリ容量は128Gバイトとなる。
Samsungは2014�Qに最初のTSVスタックで64GバイトのDDR4 DRAM RDIMMを開発していた。今�vのRDIMMは容量をさらに2倍に�\やした。
��来のDRAMは、ワイヤーボンディングによって、DRAMチップを�_ねていたが、チップを互い違いに積み�_ねざるを�uなかった。ボンディングパッド�霾�がチップの縁に配��されてあったためだ。これでは、チップ間の配線の�{�`が長くなり、データ幅を広げると配線の����やスキュー、レーシングなどの問��が発�擇靴笋垢�なり、誤動作につながった。このためバンド幅の拡�jには限�cがあった。
今�vのようにTSVを��いれば、1��のシリコンチップの厚さは数��µmと薄いため、チップ間の配線長も数��µmと�]縮できる。さらに、今�vは、1パッケージに4��の�_ねたチップの内の�kつをマスターチップとして、データバッファ機�Δ魴eたせた。このことによって、性�Δ半嫡J電��を最適化できた。この�T果、今�vのメモリモジュールでは最高2.4 Gbpsと��来の64GバイトLR（Load reduced）DIMM��(4��スタックだがワイヤーボンディング使��)よりも2倍の性�Δ��uられると同時に、消�J電��は半��した。
同社はTSVの�攵�を加�]し、20nm 8GビットDRAMチップの量�癉ち�屬欧��]めることで、DRAMの���j容量化に応えていく。さらに新しいTSV�\術を使ったDRAMモジュールを拡張し、128GバイトのLR DIMMなどのモジュールも数週間以内に揃えていく��画だ。今後、TSVによるDRAMモジュールの��なる高�]化にも�官�していくとして、最�j2,667Mbps、および3,200Mbpsといったデータ転送�]度のモジュールも�t開し、HBM（High Bandwidth Memory）などの����へも広げていくとしている。
参考�@料
1. Samsung Starts Mass Producing Industry’s First 128-Gigabyte DDR4 Modules for Enterprise Servers, Business Wire (2015/11/25)
